减压干燥装置以及减压干燥方法
减压干燥装置以及减压干燥方法
【专利摘要】本发明提供一种减压干燥装置以及减压干燥方法。在减压干燥装置中，在减压干燥处理之后，通过供气口(一侧供气口)向腔室内供给氮气，所述供气口从基板的中心位置观察时向水平方向一侧(+Y侧)的空间区域内开口。因此，在供气后不久，在供气口所处的+Y侧的空间区域内形成正压的环境。其结果为，在藉由供气而产生于腔室内的气流AF2中，在基板的第1主面侧流动的气流成为从+Y侧向-Y侧的单向气流。由此，“压力集中区域”产生于基板的第1主面侧的可能性下降。即，在压力集中区域内所产生的溶剂成分的液滴附着于基板的第1主面侧的残渣缺陷的风险下降。
【专利说明】减压干燥装置以及减压干燥方法【技术领域】
[0001]本发明涉及一种减压干燥装置以及减压干燥方法，对形成于被处理基板上的涂布液在减压状态下实施干燥处理。
【背景技术】
[0002]从前，在基板处理装置(例如，液晶面板制造装置等)中，已知有减压干燥装置，所述减压干燥装置对在基板表面涂布有涂布液的基板实施减压干燥处理。例如，在光刻(photolithography)步骤中使用减压干燥装置，以使涂布于玻璃基板等被处理基板上的抗蚀液的涂布膜在预烘干(prebaking)之前适度地干燥。
[0003]现有的具有代表性的减压干燥装置例如，如专利文献I所记载，将基板水平地载置于基板支撑构件上之后，关闭腔室而进行减压干燥处理，所述基板支撑构件配设于可开闭的腔室内的适当高度。
[0004]在这种减压干燥处理中，首先，通过设置于腔室内的排气口，藉由外部的真空泵来进行腔室内的真空排气。藉由所述真空排气，腔室内的压力从在此之前的大气压状态变为减压状态，在所述减压状态下溶剂成分从基板上的蚀刻涂布膜蒸发。接着，在腔室内的压力被减低至固定压力为止的时点，结束腔室内的减压。然后，从设置于腔室内的供给口喷出或扩散释放出惰性气体(例如氮气)或者空气，使腔室内的压力恢复至大气压(使压力恢复)。当腔室内压力恢复 后，提起上部腔室而打开腔室，搬出基板。
[0005][现有技术文献]
[0006][专利文献]
[0007][专利文献I]日本专利特开2011-64400号公报
【发明内容】
[0008]在这种减压干燥处理中，存在如下情况:在所述压力恢复的步骤中，伴随着腔室内的压力急剧上升，悬浮于腔室内的溶剂成分变为液滴。并且，如果变为液滴的溶剂成分附着于基板的表面上，那么对所述基板来说会因残渣而引起缺陷，从而导致良率下降。
[0009]作为用于防止溶剂成分变为液滴的构成，通常在这种减压干燥装置中设置测量腔室内的压力的压力传感器(sensor)。并且，以腔室内的压力被减低至固定压力(溶剂成分得以充分干燥的压力)为止之后开始进行压力恢复步骤的方式而进行顺序控制(sequencecontrol)，由此可以降低溶剂成分变为液滴的可能性。但是，由于近年来的基板的大型化、以及伴随于此的腔室的大型化，即使在腔室内，在各个部分所产生的压力的差也增大，从而难以藉由所述压力传感器来充分掌握腔室内整体的压力状态(溶剂成分是否已干燥)。
[0010]而且，根据减压干燥装置的使用形态，还存在如下情况:在减压步骤中不使压力减低至所述固定压力为止便开始进行压力恢复步骤。在所述情况下，即使可以藉由压力传感器来完全掌握腔室内的压力状态，在减压步骤中未能完全去除腔室内的溶剂成分的状态下执行压力恢复步骤，溶剂成分也有可能变为液滴。[0011]作为用于解决这种“由溶剂成分的液滴化所引起的残渣缺陷”的问题的方法，已知有如下方法:藉由在压力恢复步骤中以微弱的供气压缓慢地使腔室内压力恢复，来防止腔室内的压力急剧上升。但是，在所述情况下，会产生“减压干燥处理的处理时间增大”的新问题。
[0012]本发明是为了解决所述问题而开发的，目的在于提供一种减压干燥装置，降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性，并且不增大减压干燥处理的处理时间。
[0013]为了解决所述问题，技术方案I所述的发明是一种减压干燥装置，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第I主面及第2主面，并且在所述第I主面上上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥装置的特征在于:包括腔室，收纳所述基板；支撑部，在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板；排气部，通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气；供气部，通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气；以及控制部，控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气，并且在所述供气口中，包含至少一个一侧供气口，所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向，从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第I空间区域内开口，在所述腔室内进行基板的减压干燥后，所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时，使用所述一侧供气口对所述腔室内供气，由此至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流沿所述水平方向，从所述第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
[0014]技术方案2所述的发明根据技术方案I所述的减压干燥装置，其特征在于:当关于所述腔室的内部空间，以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界，定义出所述第I主面侧的第I部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时，所述一侧供气口设置于所述第2部分空间，并且向所述第I部分空间开口。
[0015]技术方案3所述的发明根据技术方案2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述排气口设置于第2部分空间，所述一侧供气口在水平面观察时在较所述排气口更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且在结束所述减压干燥而转入至所述压力恢复时，所述控制部控制所述供气部以及所述排气部的动作顺序，以成为如下时序关系:在所述排气口位置的排气压消失之前，在所述一侧供气口的位置的供气压上升。
[0016]技术方案4所述的发明根据技术方案2或技术方案3所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述压力恢复时的所述基板的存在位置更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且朝向从垂直轴往所述基板侧倾斜的方向开口。
[0017]技术方案5所述的发明根据技术方案I至技术方案4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向排列的多个点状的开口。
[0018]技术方案6所述的发明根据技术方案I至技术方案4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的开□。
[0019]技术方案7所述的发明是一种减压干燥方法，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第I主面及第2主面，并且在所述第I主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥方法的特征在于:包括减压步骤，对以水平姿势收纳有所述基板的腔室内进行减压；以及压力恢复步骤，在所述减压步骤之后，使所述腔室内压力恢复，并且在所述压力恢复步骤中，至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流在所述腔室内，沿规定的水平方向，从所述基板的中心观察时从一侧的第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
[0020][发明的效果]
[0021]根据技术方案I至技术方案7所述的发明，在减压干燥后的腔室内的压力恢复时，沿水平方向从基板的一侧供给的气流成为单向气流，越过涂布有涂布液的基板的第I主面的中心而流向另一侧。因此，经蒸发的溶剂成分在第I主面上被有效率地向另一侧冲走，从而难以在基板的第I主面上变为液滴。因此，可以降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性。并且，不需要延长压力恢复步骤所需的时间，因此不会增大减压干燥处理的处理时间。
[0022]特别是在技术方案2所述的发明中，在压力恢复步骤中的供气时，形成为不会直接向基板的第I主面侧吹附气体的供气方向。因此，不会在基板的第I主面上产生由压力恢复时的气流的影响所造成的流动不均。
[0023]并且，供气口(一侧供气口)向基板的第I主面侧的第I部分空间开口，因此在基板的第I主面侧流动的所述单向气流相对快于在基板的第2主面侧流动的气流。其结果为，可以进一步降低压力集中区域(在基板的两主面上分别流动的两个气流成分的碰撞部位)产生于基板的第I主面侧的可能性，从而残渣缺陷的风险进一步下降。
[0024]特别是在技术方案3所述的发明中，以从减压步骤转入至压力恢复步骤时，能够从排气口有效率地排出悬浮于一侧供气口附近的溶剂的蒸气的方式，来规定排气口与一侧供气口的相对的位置关系、以及供气及排气的相对的时序关系。因此，能够进一步降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性。
[0025]特别是在技术方案4所述的发明中，藉由预先使供气口(一侧供气口)的开口方向倾斜，可以有效率地向基板的第I主面上供气，其结果为，将涂布液的溶剂蒸气从基板的第I主面上冲走的作用强大，残渣缺陷的风险进一步下降。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是表示第I实施方式的减压干燥装置I与涂布装置9的位置关系的配置图。
[0027]图2是表示第I实施方式的涂布装置9的构成的立体图。
[0028]图3是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成的纵截面图。
[0029]图4是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成的俯视图。
[0030]图5是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是排气部30的构成的俯视图。
[0031]图6是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是供气部40的构成的俯视图。
[0032]图7是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是处理空间L的构成的概念图。
[0033]图8是表示第I实施方式的控制部8的电气构成的框图。
[0034]图9是表示第I实施方式的减压干燥装置I的处理动作的一例的动作流程图。[0035]图10是表示第I实施方式的减压步骤与压力恢复步骤中的排气部30与供气部40的动作时序的时序图。
[0036]图11是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的侧视图。
[0037]图12是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的俯视图。
[0038]图13是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图。
[0039]图14是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的俯视图。
[0040]图15是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的构成的纵截面图。
[0041]图16(a)及图16(b)是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的构成，特别是供气构件46的构成的示意图。
[0042]图17是概念性地表示第2实施方式的减压干燥装置IA中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图。
[0043]图18是概念性地表示第2实施方式的减压干燥装置IA中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的俯视图。
[0044]图19是表示第2实施方式的变形例的供气构件46B的构成的示意图。
[0045]符号的说明:
[0046]UlA:减压干燥装置
[0047]8:控制部
[0048]9:涂布装置
[0049]10:腔室
[0050]IOS:侧壁
[0051]11:下部腔室
[0052]12:上部腔室
[0053]13:升降机构
[0054]14:0 形圈
[0055]20:支撑部
[0056]21:支撑销
[0057]22:支撑板
[0058]23:升降构件
[0059]24:升降机构
[0060]30:排气部
[0061]31、31a、31b、31c、31d:排气口
[0062]32、32a、32b、32c、32d.排气管
[0063]33、33a、33b、33c、33d:开闭阀
[0064]34:压力控制阀
[0065]35:真空泵[0066]40、40A:供气部
[0067]41、41a、41b、41c、41d:供气口 (一侧供气口)
[0068]42、42a、42b、42c、42d:供气管
[0069]43、43a、43b、43c、43d:开闭阀
[0070]44、44a、44b、44c、44d:流量调整阀
[0071]45:气体供给源
[0072]46、46B:供气构件
[0073]47:开口部
[0074]48:圆形开口
[0075]50:压力传感器
[0076]81:CPU
[0077]82:R0M
[0078]83:RAM
[0079]84:固定磁盘
[0080]86:显示装置
[0081]87:输入装置
[0082]88:读取装置
[0083]89:总线
[0084]90:平台
[0085]91:狭缝喷嘴
[0086]92:喷嘴支撑体
[0087]93:导轨
[0088]94:水平移动机构
[0089]AF1、AF2:气流
[0090]AFlO:抽吸气流
[0091]AF20:喷出气流
[0092]FG:手指部
[0093]G:基板
[0094]IF:虚拟边界面
[0095]IP:虚拟水平面
[0096]L:处理空间
[0097]LI:+Y空间区域
[0098]L2:_Y空间区域
[0099]Lll:上部空间
[0100]L12:下部空间
[0101]PD:压力集中区域
[0102]PO:中心位置
[0103]PR:程序
[0104]RM:记录介质[0105]S1:第 I 主面
[0106]S2:第 2 主面
[0107]STl ?ST12:步骤
[0108]TR:搬送机械手
[0109]Tl ?T5:时刻
[0110]X、Y、Z:方向
[0111]Θ:倾斜角度
【具体实施方式】
[0112]〈1.第I实施方式〉
[0113]〈1.1减压干燥装置I以及周边装置的构成>
[0114]以下，参照【专利附图】
【附图说明】本发明的第I实施方式。
[0115]本发明是可以应用于各种基板处理流程中的减压干燥装置(减压干燥方法)，但是在以下说明中，是说明用于实施了蚀刻涂布处理的液晶显示装置用的玻璃基板(以下，称为“基板G” )的减压干燥装置(减压干燥方法)。
[0116]图1是表示本发明的第I实施方式中的减压干燥装置I与涂布装置9的位置关系的一例的配置图。在图1以后的各图中，将X方向以及Y方向规定为规定水平面的正交两个方向，此外将Z方向规定为与所述X方向及Y方向正交的垂直方向。
[0117]图2是表示第I实施方式中的涂布装置9的构成的立体图。并且，在以下说明中，将基板G的表面侧(涂布抗蚀液之侧)的主面称为“第I主面SI”，将基板G的背面侧(不涂布抗蚀液之侧)的主面称为“第2主面S2”。
[0118]涂布装置9是在基板G的第I主面SI上涂布抗蚀液的装置，包括:平台(stage)90，包括能够以水平姿势吸附保持基板G的保持面；长条型的狭缝喷嘴(slitnozzle) 91,沿X方向延伸；桥梁式构造的喷嘴支撑体92,沿X方向横贯平台90的上面而支撑狭缝喷嘴91 ；以及水平移动机构94 (例如，电动直线电动机(linear motor))，使狭缝喷嘴91 (喷嘴支撑体92)沿在Y方向上延伸的一对导轨(guide rail)93水平移动。
[0119]进行涂布处理时，在以第I主面SI向上的方式将基板G水平地保持于平台90上的状态下，由抗蚀液供给部(未图示)以规定的流量将抗蚀液供送至狭缝喷嘴91，并且利用水平移动机构94以固定速度沿Y方向移动狭缝喷嘴91 (喷嘴支撑体92)。由此，从所述狭缝喷嘴91的喷出口将抗蚀液供给至基板G上，在基板G的第I主面SI上以固定的膜厚形成抗蚀液的涂布膜。
[0120]搬送机械手(robot) TR是如下机械手:将利用涂布装置9在其第I主面SI上涂布有抗蚀液的基板G搬送至减压干燥装置1，并且将利用减压干燥装置I完成了减压干燥处理的基板G搬送至下一个步骤的预烘干单元(未图示)。
[0121]搬送机械手TR是如下机械手:包括沿水平方向延伸的四根棒状构件即手指部FG，并且包括以垂直方向为中心进行旋转的旋转驱动机构、升降机构、水平移动机构(均未图示)。搬送机械手TR藉由使所述机构能动化，而可以在各装置间交接基板G。
[0122]图3是表示本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的构成的纵截面图。
[0123]减压干燥装置I包括腔室10，所述腔室10包括:下部腔室11，固定于所述装置；以及可动的上部腔室12，作为能够相对于下部腔室11开闭的上盖而发挥作用。上部腔室12与内置有驱动源的升降机构13相连结，并被所述升降机构13上下驱动。由于形成为这种构成，所以能够使上部腔室12与下部腔室11密接(密闭腔室)或分离(打开腔室)。并且，在密接状态下，在腔室10的内部形成基板G的处理空间L。另一方面，在分离状态下，可以在腔室10的内部与搬送机械手TR之间进行基板G的交接。
[0124]当搬送机械手TR将基板G搬入至减压干燥装置I时，减压干燥装置I提起上部腔室12而使腔室打开。接着，搬送机械手TR将基板G载置于多个支撑板22上，其中多个支撑板22设置于腔室10内，当搬送机械手TR退避至腔室10外部时，放下上部腔室12而使腔室10为密闭状态。在所述密闭状态下，对腔室10内的基板G按时间顺序执行减压处理以及压力恢复处理，由此对形成于基板G上的蚀刻涂布膜实施减压干燥处理，在所述基板G的第I主面SI上均匀地获得所需的蚀刻膜质特性。
[0125]并且，当在减压干燥装置I中一次(一块基板)的减压干燥处理结束时，升降机构13提起上部腔室12而形成为腔室打开状态。搬送机械手TR进入至所述腔室内，从支撑板22接收并搬出处理完毕的基板G，并将基板G搬送至下一个步骤进行预烘干的预烘干单元(未图示)。
[0126]〈1.2减压干燥装置I的各部分的构成>
[0127]图4是表示本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的构成的俯视图。再者，在图4中，表示了已去除减压干燥装置I的构成中的图3所示的上部腔室12以及升降机构13的构成。
[0128]如上所述，减压干燥装置I是用于对经蚀刻涂布后的基板G进行减压干燥处理，使所述抗蚀液干燥而形成抗蚀膜的装置。减压干燥装置I大致包括:腔室10，收纳基板；支撑部20，在腔室10内以水平姿势支撑基板；排气部30，通过向腔室10内开口的排气口 31而进行腔室10内的排气；供气部40，通过向腔室10内开口的供气口 41而对腔室10内供气；以及压力传感器50，检测腔室10内的压力(参照图3、图4)。并且，减压干燥装置I包括控制部8，作为用于控制所述各部分的动作的构成。
[0129]腔室10是内部包含用于对基板进行减压干燥处理的处理空间L的耐压容器。如上所述，腔室10包括可以彼此分离的下部腔室11及上部腔室12，下部腔室11固定于所述装置，在上部腔室12上连接有内置驱动源的升降机构13。作为所述升降机构13，例如可以采用包括气缸(air cylinder)或电动直线电动机的升降机构。
[0130]在下部腔室11的上表面的周缘部，设置有由硅胶等所构成的O形圈14。因此，当上部腔室12藉由升降机构13而下降时，下部腔室11的上表面与上部腔室12的下表面之间藉由O形圈14而密闭，从而形成于腔室10内部的处理空间L成为气密状态。
[0131]支撑部20是用于在腔室10的内部以水平姿势支撑基板G的机构，包括:多个支撑板22，在其上表面包含多个支撑销(support pin) 21 ;多个升降构件23，分别抵接于所述多个支撑板22而设置；以及升降机构24，对多个升降构件23 —体地上下驱动。
[0132]如图3所示，多个(本实施方式中为三个)支撑板22分别设置成达到相同的高度位置。因此，藉由使各支撑销21的头部抵接于基板G的第2主面S2，而以水平姿势支撑基板G。
[0133]多个升降构件23与配置于腔室10的外部的一个升降机构24相连结，分别贯通下部腔室11的底部而向腔室10的内部突出。并且，多个升降构件23与下部腔室11的底部藉由未图示的密封构件而真空密封，从而防止腔室10内外的气体从所述贯通部分连通。
[0134]并且，藉由使升降机构24进行动作，而对多个升降构件23以及多个支撑板22 —体地上下驱动，从而可以调节在腔室10内基板G被支撑的高度。作为所述升降机构24，与升降机构13相同，可以米用包括气缸或电动直线电动机的升降机构。
[0135]多个支撑板22 (本实施方式中为三个支撑板22)是沿X方向延伸的长条型的板状构件，沿Y方向隔开固定间隔而平行地设置。并且，如图1所示，搬送机械手TR从-X方向侧进入至减压干燥装置I而将基板G搬入或搬出减压干燥装置I。因此，在进入至减压干燥装置I的时序，搬送机械手TR的手指部FG (四根棒状构件)及多个支撑板22是分别沿Y方向隔开固定间隔而平行地设置。并且，手指部FG的相邻的棒状构件彼此的Y方向间隔形成为大于一个支撑板22的Y方向宽度。由于形成为这种构成，所以即使在搬送机械手TR进入至腔室10内的情况下，在俯视观察时在手指部FG的四股空隙部分配置有多个支撑板22，从而支撑板22与搬送机械手TR也不会发生碰撞。
[0136]因此，藉由使保持着基板G的手指部FG移动至支撑板22的正上方，利用升降机构24使支撑板22上升至手指部FG的上方为止，可以将基板G从搬送机械手TR传送至减压干燥装置I。并且，藉由使手指部FG移动至载置有基板G的支撑板22的正下方，利用升降机构24使支撑板22下降至手指部FG的下方为止，可以将基板G从腔室10传送至搬送机械手TR。
[0137]图5是概念性地表示本实施方式的减压干燥装置I的排气的构成的俯视图。再者，在图5中，用虚线表示在减压步骤时基板G所存在的位置，将此时的基板G的中心表示为中心位置PO。在本实施方式的情况下，基板G为矩形，因此其中心位置PO定义为所述矩形的两条对角线的交点。当基板如半导体晶片为大致圆形时，将在基板支撑于腔室内的状态下的所述圆的中心点定义为中心位置。
[0138]排气部30是用于抽吸排出腔室10内的气体而使腔室10内为减压状态的配管系统，包括向腔室10内开口的排气口 31、排气管32、开闭阀(on-off valve) 33、压力控制阀34以及真空泵35。再者，在以下说明中，关于排气口 31、排气管32、开闭阀33的各个，在对其构成要素进行命名时，有时使用“排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d”，“排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d”，“开闭阀33a、开闭阀33b、开闭阀33c、开闭阀33d”的表达。
[0139]排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d向腔室10内开口，并且分别通过排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d而与压力控制阀34以及真空泵35相连接。并且，在排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d上,分别设置有开闭阀33a、开闭阀33b、开闭阀33c、开闭阀33d。此外，真空泵35与排气管线相连接。
[0140]开闭阀33、压力控制阀34以及真空泵35与控制部8电性连接。因此，控制部8在使真空泵35进行动作的状态下，打开开闭阀33及压力控制阀34，由此将腔室10内的气体抽吸至排气口 31，并经由排气管32向排气管线排气。另一方面，藉由控制部8关闭开闭阀33而使腔室10内的排气停止。如上所述，在本实施方式的减压干燥装置I中，在真空泵35进行动作的状态下，藉由开闭阀33的开闭而进行腔室10内的排气的接通(on)或断开(off)控制。因此，与藉由真空泵35的接通或断开来进行腔室10内的排气的接通或断开控制的情况不同，本实施方式在排气开始时也可以实现充分的排气力。
[0141]并且，藉由利用控制部8调节压力控制阀34的开度，可以调节排气部30的排气力。藉由如上所述调节排气力，可以对使腔室10内缓慢减压的状态(副排气)与使腔室10内急剧减压的状态(主排气)进行切换。在下述减压步骤中，采用了进行副排气并经过固定时间后切换为主排气的动作顺序。如此一来，防止了伴随着腔室10内的急剧减压，涂布于基板G上的抗蚀液中所含的溶剂成分发生暴沸。
[0142]图6是示意性地表示本实施方式的减压干燥装置I的供气的构成的俯视图。再者，在图6中，用虚线表示压力恢复步骤时基板G所存在的位置，并将此时的基板的中心表示为中心位置PO。
[0143]供气部40是用于向腔室10内供给气体，使藉由排气部30而成为减压状态的腔室10内的压力恢复至大气压为止的配管系统，包括供气口 41、供气管42、开闭阀43、流量调整阀44及气体供给源45。再者，在以下说明中，关于供气口 41、供气管42、开闭阀43、流量调整阀44的各个，在对其构成要素进行命名时，有时使用“供气口 41a、供气口 41b、供气口41c、供气口 41d”，“供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d”，“开闭阀43a、开闭阀43b、开闭阀43c、开闭阀43d”，“流量调整阀44a、流量调整阀44b、流量调整阀44c、流量调整阀44d”的表达。
[0144]作为利用供气部40供给至腔室10内的气体，例如可以采用氮气或压缩空气等，但是在以下说明中，说明供给氮气的情况。
[0145]供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d向腔室10内开口，并分别通过供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d而与气体供给源45相连接。并且，在供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d上，分别设置有开闭阀43a、开闭阀43b、开闭阀43c、开闭阀43d以及流量调整阀44a、流量调整阀44b、流量调整阀44c、流量调整阀44d。
[0146]开闭阀43、流量调整阀44以及气体供给源45与控制部8电性连接。因此，控制部8将开闭阀43及流量调整阀44打开并且从气体供给源45供给氮气，由此所述氮气经由供气管42，从供气口 41供给至腔室10内。其结果为，腔室10内的压力恢复至大气压为止。另一方面，控制部8停止从气体供给源45供给氮气，由此停止腔室10内的压力恢复。
[0147]并且，可以通过调节流量调整阀44的开度来调节供气部40的供气力。藉由如上所述调节供气力，可以对使腔室10内缓慢地恢复压力的状态(缓慢吹除(slow purge))与使腔室10内急剧地恢复压力的状态(主吹除(mainpurge))进行切换。
[0148]因此，藉由利用缓慢吹除进行压力恢复步骤，可以防止腔室10内的压力急剧增力口，从而降低在腔室10内可能以气体状态存在的抗蚀液的溶剂成分变为液滴的可能性。所述液滴附着于基板G的第I主面SI上会导致基板G的残渣缺陷，因此缓慢吹除具有降低残渣缺陷的风险的优点。另一方面，如果利用主吹除进行压力恢复步骤，则具有缩短压力恢复步骤的处理时间，实现生产节拍提高(takt up)的优点。
[0149]图7是将形成于密闭状态的腔室10内的处理空间L概念性地加以分割而表示的侧视图。再者，图7是表示腔室10、排气口 31及供气口 41的构成的图，剩余的构成(支撑部20等)已省略。而且，图7中的基板G的位置表示了在减压步骤以及压力恢复步骤时被支撑部20支撑的情况下所存在的基板G的位置。
[0150]在以下说明中，从被支撑部20支撑的基板G的中心位置PO观察，将水平方向的一侧(在本实施方式中为+Y侧)的处理空间L称为“+Y空间区域LI”，将另一侧(在本实施方式中为-Y侧)的处理空间L称为“-Y空间区域L2”。而且，关于处理空间L，以规定为减压步骤以及压力恢复步骤时的基板G的高度的虚拟水平面IP为边界，将第I主面SI侧(在本实施方式中为+Z侧)称为“上部空间L11”，将第2主面S2侧(在本实施方式中为-Z侦U)称为“下部空间L12”。
[0151]再者，“+Υ空间区域L1”、“_Y空间区域L2”、“上部空间L11”以及“下部空间L12”分别相当于本发明中的“第I空间区域”、“第2空间区域”、“第I部分空间”以及“第2部分空间”。
[0152]利用关于这种处理空间L的概念性的分割，说明本实施方式的减压干燥装置I中的排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d以及供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d的配置关系。
[0153]对应于矩形状的下部腔室11底面的四角，各设置有一个排气口 3la、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d。更具体而言，配置于-Y空间区域L2的排气口 31a、排气口 31c与配置于+Y空间区域LI的排气口 31d、排气口 31b在水平面观察时，相对于基板G的中心位置PO成为点对称的配置(参照图5)。
[0154]因此，当藉由下述减压步骤而抽吸排出腔室10内的气体时，在基板G的第I主面SI侧(+Z侧)，产生从中心位置PO向排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d均匀地扩散的四个方向的气流AFl (参照图12)。
[0155]另一方面，供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d从基板G的中心位置PO观察时，均设置于一侧(+Y方向侧)的下部腔室11的底面(参照图6)。如上所述，供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d作为从基板的中心位置PO观察时向一侧的+Y空间区域Ll( “第I空间区域”)内开口的“一侧供气口”而发挥作用。
[0156]因此，在下述压力恢复步骤中向腔室10内供给氮气之后紧接着的时序中，在供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d所处的+Y空间区域LI内，形成与-Y空间区域L2相比为正压的环境。其结果为，在基板G的第I主面SI侧(+Z侧)，产生从+Y空间区域LI越过中心位置PO而流向-Y空间区域L2的单向气流AF2(参照图14)。但是，这里的所谓“越过中心位置PO”，不是指“通过中心位置PO的正上方”，而是指越过作为+Y空间区域LI与-Y空间区域L2的边界线而通过中心位置PO的虚拟边界面IF(参照图14)。
[0157]并且，在本实施方式的减压干燥装置I中，排气口 31以及供气口 41均配置于基板G的第2主面S2侧(-Z侧)即下部空间L12。因此，减压步骤中所产生的气流AFl中产生于排气口 31附近的强大气流即抽吸气流AF10、压力恢复步骤中所产生的气流AF2中产生于供气口 41附近的强大气流即喷出气流AF20不会直接影响到基板G的第I主面SI (涂布有抗蚀液之侧的主面)(参照图11、图13)。因此，在基板G的第I主面SI上，不易产生由所述气流的影响所引起的抗蚀液的液体不均。
[0158]并且，如图4所示，供气口 41在水平面观察时，在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口。关于形成为这种配置关系的理由，将在后文描述。
[0159]压力传感器50是用于测定腔室10内的压力的装置(参照图3)。在本实施方式的减压干燥处理中，在藉由压力传感器50而测定的腔室10内的压力达到规定值的时序，结束排气部30的抽吸排气(减压步骤)，开始藉由供气部40向腔室10内供给氮气(压力恢复步骤)。作为这种压力传感器50,例如可以采用真空计(vacuum gauge)。
[0160]图8所示的控制部8控制设置于减压干燥装置I中的所述各种动作机构。作为控制部8的硬件的构成与一般的计算机相同。即，控制部8是将中央处理单元(centralprocessing unit, CPU)81、只读存储器(read only memory, ROM)82、随机存取存储器(random access memory, RAM)83 及固定磁盘 84 连接于总线(bus line)89 而构成,CPU81进行各种运算处理，R0M82是存储基本程序的读取专用的存储器，RAM83是存储各种信息的读写自如的存储器，固定磁盘84中预先存储处理程序PR或数据等。
[0161]在总线89上，连接有升降机构13、升降机构24、排气部30、供气部40以及压力传感器50。控制部8的CPU81藉由执行固定磁盘84中所存储的处理程序PR，而控制减压干燥装置I的各动作机构，进行对基板G的减压干燥处理。
[0162]并且，在总线89上，电性连接有显示装置86以及输入装置87。显示装置86例如使用液晶显示器等而构成，显示处理结果或消息(message)等各种信息。输入装置87例如使用键盘或鼠标等而构成，接受命令(co_and)或参数(parameter)等的输入。装置的操作员可以一边确认显示于显示装置86的内容，一边利用输入装置87进行命令或参数等的输入。再者，也可以设为将显示装置86与输入装置87加以一体化而构成为触摸屏(touchpanel)。
[0163]此外,在总线89上,连接有从数字化通用磁盘(digital versatile disc,DVD)或光盘只读存储器(compact disc read-only memory, CD-ROM)等记录介质RM读取记录内容的读取装置88。处理程序PR也可以设为被读取装置88从记录介质RM读取并存储于固定磁盘84。而且，处理程序PR也可以设为经由网络从外部的信息处理装置下载。
[0164]〈1.3减压干燥装置I的动作>
[0165]图9是表示本实施方式中的减压干燥装置I的处理动作的一例的动作流程图。以下，按照图9所示的动作流程，说明减压干燥装置I的动作。
[0166]在减压干燥装置I中处理基板G时，首先，藉由升降机构13使上部腔室12上升，将腔室10打开(步骤STl)。
[0167]然后，当藉由搬送机械手TR将基板G搬入至腔室10的内部时，藉由升降机构24使多个支撑板22升，将基板G传送至多个支撑销21上。然后，搬送机械手TR避至腔室10的外部，支撑于多个支撑板22的基板G藉由升降机构24下降至执行减压干燥处理的高度为止(步骤ST2)。
[0168]当如上所述将基板G搬入至腔室10内并进行其高度调节后，藉由升降机构13使上部腔室12下降，从而使腔室10为密闭状态(步骤ST3)。再者，藉由升降机构24所进行的支撑板22的升降也可以与藉由升降机构13所进行的上部腔室12的升降同步地进行。
[0169]图10是表示减压步骤(步骤ST4?步骤ST7A)与压力恢复步骤(步骤ST7B?步骤ST9)的排气部30 (真空泵35)与供气部40 (气体供给源45)的动作时序的时序图。
[0170]并且，图11、图12是概念性地表示在减压步骤(包括副排气及主排气)中，因排气部30的排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的侧视图以及俯视图。再者，图12是以去除了上部腔室12及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0171]在步骤ST3中在基板G支撑于腔室10内的状态下使腔室10密闭后，开始腔室10内的副排气(步骤ST4)。具体而言，减压干燥装置I预先使真空泵35进行动作，在开始副排气的时序(图?ο:T1)打开排气部30的开闭阀33以及压力控制阀34。其结果为，腔室10内部的气体通过排气口 31而抽吸排出至排气管线，使腔室10的内部比较缓慢地减压(图10:时亥Ij Tl~时亥Ij Τ2)。
[0172]然后，当开始副排气并经过固定时间后，从副排气切换为主排气(步骤ST5)。如上所述，在主排气时，藉由控制部8进行控制，以使得压力调节阀34的开度大于副排气时的压力调节阀34的开度。其结果为，腔室10内被更急剧地减压(图10:时刻Τ2~时刻Τ3)。
[0173]如上所述，对应于藉由减压步骤(步骤ST4、步骤ST5)而使腔室10的内部减压，涂布于基板G的表面上的抗蚀液中所含的溶剂成分进行气化,从而涂布于基板G上的抗蚀液得以干燥。然后，经气化的溶剂成分也随着气流AFl从排气口 31抽吸排出至排气管线(图
11、图 12)。
[0174]并且，藉由分成副排气与主排气两个阶段来进行减压，可以防止腔室10内的压力急剧变化，从而可以避免基板G上的抗蚀液中所含的溶剂成分发生暴沸。
[0175]并且，当藉由压力传感器50而测定的腔室10内的压力达到设定值时(步骤ST6中分支为是(Yes))，关闭开闭阀33而停止排气动作(步骤ST7A)。与此同时，开始藉由供气部40向腔室10内供给氮气(步骤ST7B)。再者，所述设定值是根据基板处理的方案(recipe)而确定的参数，是在减压干燥处理之前存储于控制部8的RAM83内的值。
[0176]图13、图14是概念性地表示在压力恢复步骤中，因供气部40的供气的影响而产生于腔室10内的气 流AF2的侧视图以及俯视图。再者，图14是以去除了上部腔室12以及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0177]本实施方式中所执行的压力恢复步骤(图10:时刻T3~时刻T5)只执行主吹除，所述主吹除是在流量调整阀44的开度大的状态下打开开闭阀43，并且从气体供给源45供给氮气。因此，与执行缓慢吹除的情况相比，压力恢复步骤的处理时间得以缩短，从而使生广节拍提闻。
[0178]并且，在图10中的时刻T3~时刻T4，开闭阀33的关闭动作与气体供给源45的动作起始在顺序控制上是在同一时序进行，但是事实上，当结束减压而转入至压力恢复时，在排气231附近的抽吸气流AFlO(排气压)消失之前，在供气口 41的位置的喷出气流AF20(供气压)上升。因此，在压力恢复步骤开始后不久(图10:时刻T3~时刻T4)，由供气部40供气而产生的气流AF2中，在下部空间L12流动的气流的一部分被抽吸至排气口31，但作为整体，产生从+Y空间区域LI向-Y空间区域L2的气流(参照图13)。
[0179]然后，当腔室10内的压力上升，藉由压力传感器50而测量的腔室10内的压力达到大气压时，在步骤ST8中分支为是(Yes)，结束藉由供气部40所进行的腔室10内的压力恢复(步骤ST9)。
[0180]当压力恢复结束时，藉由升降机构13而使上部腔室12上升，打开腔室10(步骤ST10)。此时，藉由升降机构24，支撑板22也在保持着基板G的状态下上升。
[0181]然后，从腔室10搬出已完成减压干燥处理的基板G(步骤Sll)。具体而言，藉由使搬送机械手TR进行动作而将手指部FG插入至载置于多个支撑销21上的基板G的下方，并且使多个支撑板22下降而将基板G传送至手指部FG。搬送机械手TR在将基板G接收至手指部FG上后，在保持着所述基板G的状态下向腔室10的外部移动。藉由以上所述，对一块基板G的减压干燥处理结束。[0182]再者，当对后续的基板G也连续地实施减压干燥处理时，在步骤ST12中分支为是(Yes)而转入至步骤ST2，由此对所述后续的基板G也可以实施减压干燥处理。
[0183]〈1.4减压干燥装置I的效果>
[0184]以下，说明本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的效果。
[0185](I)在本实施方式的减压干燥装置I中，供气口 41是作为从基板G的中心位置PO观察时向水平方向一侧(+Y侧)的+Y空间区域LI内开口的“一侧供气口”而发挥作用，在腔室10内进行基板G的减压干燥后的压力恢复步骤中，利用所述一侧供气口(供气口 41)向腔室10内供气。因此，在从供气口 41向腔室10内供给氮气后紧接着的时序中，在供气口 41所处的+Y空间区域LI内，形成与-Y空间区域L2相比为正压的环境。其结果为，如图13、图14所示，在藉由供气而产生于腔室10内的气流AF2中，在支撑于支撑板22上的基板G的第I主面SI侧流动的气流成为从+Y空间区域LI越过中心位置PO而流向-Y空间区域L2的单向气流。
[0186]由于如上所述在基板G的第I主面SI侧形成单向气流，因此可以降低“压力集中区域ro”产生于基板G的第I主面Si侧的可能性，所述“压力集中区域ro”是在压力恢复步骤中产生于腔室10内的气流AF2彼此相碰撞而压力瞬间升高的部位。
[0187]在所述压力集中区域ro内，伴随着其压力的上升，悬浮于所述压力集中区域ro内的抗蚀液的溶剂成分有可能变为液滴。因此，藉由如上所述降低压力集中区域ro产生于基板G的第I主面SI侧的可能性(在基板G的侧方或第2主面S2侧产生压力集中区域PD)，可以降低变为液滴的抗蚀液的溶剂成分附着于基板G的第I主面SI侧的残渣缺陷的风险。
[0188](2)而且，由于供气口 41设置于下部空间L12(基板G的第2主面S2侧)，因此不会将喷出气流AF20直接吹附至基板G的第I主面SI侧(涂布有抗蚀液之侧)，所述喷出气流AF20是在压力恢复步骤时产生于腔室10内的气流AF2中，在供气口 41的附近产生并且压力特别强的气流。因此，不会在基板G的第I主面SI上产生由压力恢复时的喷出气流AF20的影响所造成的流动不均。
[0189](3)而且，供气口 41向上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)开口，因此在压力恢复步骤时产生于腔室10内的气流AF2中，在基板G的第I主面SI侧流动的单向气流相对地快于在基板G的第2主面S2侧流动的气流。其结果为，可以进一步降低压力集中区域H)(气流的碰撞部位)产生于基板G的第I主面SI侧的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。
[0190](4)而且，在本实施方式的减压干燥装置I中，
[0191](4-1)将供气口 41及排气口 31设置于下部空间L12，
[0192](4-2)供气口 41在水平面观察时在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口，
[0193](4-3)在结束减压步骤(基板G的减压干燥)而转入至压力恢复步骤时，控制部8控制供气部40以及排气部30的动作顺序，以成为如下时序关系，即，在排气口 31位置的抽吸气流AFlO (排气压)消失之前，在供气口 41位置的喷出气流AF20 (供气压)上升(参照图 13)。
[0194]由于形成为如上所述的构成，因此藉由供给至下部空间L12的氮气而产生的气流AF2中，在水平面观察时朝向外侧(沿侧壁10S)的气流不易受到抽吸气流AFlO的影响，另一方面在水平面观察时朝向内侧的气流则容易因抽吸气流AFlO的影响而被抽吸至排气口31(参照图13)。因此，在从减压步骤转入至压力恢复步骤之后不久，气流AF2中，在水平面观察时朝向外侧的气流比朝向内侧的气流相对更快地流动。
[0195]而且，将供气口 41及排气口 31设置于下部空间L12，因此如图13及图14所示，气流AF2中，在水平面观察时朝向内侧的气流在下部空间L12 (基板G的第2主面S2侧)流动，在水平面观察时朝向外侧的气流向上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)流动。
[0196]总而言之，在压力恢复步骤中所产生的气流AF2中，在上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)流动的气流快于在下部空间L12(基板G的第2主面S2侧)流动的气流。由于形成为这种构成，所以可以进一步降低压力集中区域H)产生于基板G的正上方的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。并且，供气口 41在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口，因此可以防止在从减压步骤转入至压力恢复步骤之后不久，藉由减压步骤而流动至排气口31附近的抗蚀液的溶剂成分在供气步骤中被推回至基板G的第I主面SI侧，从而残渣缺陷的风险下降。
[0197]再者，优选的是如图13所示，不仅在基板G的第I主面SI的面上产生单向气流，而且在基板G的第2主面S2的大部分面上均形成为单向气流的状态。由于在第2主面S2自身上没有形成液晶显示晶胞(cell)等电子元件(device)，所以即使在第2主面S2上产生残渣缺陷，也不会直接影响到基板G的良率。但是，在减压干燥处理的其后步骤等中，附着于第2主面S2上的残渣飞扬而附着于第I主面SI侧的可能性并非为零，因此优选的是尽可能防止残渣的产生，从而优选的是使压力集中区域H)产生于尽可能远离供气口 41及基板G的中心的区域(具体而言，在远离供气口 41之侧的基板G的端部或较其更靠外侧)。
[0198]如以上说明，在本实施方式的减压干燥装置I中，藉由以排气口 31及供气口 41的配置、以及排气及供气的动作时序为特征，可以降低压力集中区域ro产生于基板的第I主面Si侧(产生基板G的残渣缺陷)的可能性。
[0199]因此，即使不利用先前在减压干燥处理中所进行的技术，S卩，不利用藉由在主吹除之前执行固定时间的缓慢吹除来防止腔室10内的压力急剧增加的技术，也可以降低基板G中的残渣缺陷的可能性。即，可以只利用主吹除(供气压强的急剧性的压力恢复)来执行压力恢复步骤，从而可以使减压干燥处理的生产节拍提高。
[0200]<2.第2实施方式>
[0201]〈2.1第2实施方式中的减压干燥装置IA的构成>
[0202]其次，说明本发明的第2实施方式。图15是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的主要部分构成的概略的侧视图。而且，图16(a)及图16(b)是表示第2实施方式的供气部40A(特别是供气构件46)的外观的示意图，图16(b)表示图16(a)的A-A截面。再者，在图15以后的各图中，对与第I实施方式相同的要素标注相同的符号。
[0203]第2实施方式的减压干燥装置IA形成为如下构成:在第I实施方式的减压干燥装置I的构成中，将供气部40取代为供气部40A。更具体而言，在第2实施方式中，将包含狭缝状的开口部47的供气构件46设置于腔室10内，来代替在第I实施方式中设置于腔室10的底壁并且向腔室10内开口的供气口 41。第2实施方式的减压干燥装置I的剩余构成与第I实施方式相同，因此省略所述构成的说明。
[0204]第2实施方式的供气部40A是用于使藉由排气部30而成为减压状态的腔室10内的压力恢复至大气压为止的配管系统，包括:供气构件46，包含狭缝状的开口部47 ;供气管42，将由气体供给源45供给的氮气输送至供气构件46 ;开闭阀43，设置于供气管42 ;流量调整阀44 ;以及气体供给源45。
[0205]如图15及图16(a)及图16(b)所示，供气构件46是沿X方向延伸设置于腔室10内的筒状的构件，包括沿X方向延伸而设置的狭缝状的开口部47。并且，供气构件46设置于+Y空间区域LI并且设置于下部空间L12，其开口部47在水平面观察时，在较压力恢复步骤时基板G所存在的位置更靠腔室10的侧壁IOS侧，且朝向从垂直轴(Z方向)向基板G侧仅倾斜角度Θ (O度〈Θ〈90度)的方向开口(参照图16 (a)、图16(b))。
[0206]由于形成为如上所述的构成，因此在第2实施方式的减压干燥装置I中，开口部47从中心位置PO观察时向水平方向一侧(+Y侧)的下部空间L12开口，并且作为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的“一侧供气口 ”而发挥作用。
[0207]〈2.2第2实施方式中的减压干燥装置IA的效果>
[0208]以下，说明本发明的第2实施方式的减压干燥装置IA的效果。
[0209]图17、图18是概念性地表示在压力恢复步骤中因供气部40A的供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图以及俯视图。再者，图18是以去除了上部腔室12以及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0210]如上所述，第2实施方式的开口部47 (—侧供气口)在水平面观察时，在较压力恢复步骤时基板G所存在的位置更靠腔室10的侧壁IOS侧，朝向从垂直轴向基板G侧倾斜的方向开口。因此，从开口部47喷出的喷出气流AF20更多地在基板G的第I主面SI侧流动，在所述基板G的第I主面SI侧流动的气流AF2相对快于在基板G的第2主面S2侧流动的气流AF2(参照图17、图18)。其结果为，可以进一步降低压力集中区域Η)(气流的碰撞部位)产生于基板G的第I主面SI侧的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。
[0211]再者，在第2实施方式的减压干燥装置IA中，关于形成为与第I实施方式的减压干燥装置I相同的构成的项目，当然可获得与第I实施方式的减压干燥装置I相同的效果。
[0212]〈3变形例〉
[0213]以下，说明本发明的变形例。
[0214]本发明的减压干燥装置1、减压干燥装置1A(减压干燥方法)只要是对在第I主面SI上涂布有包含溶剂的涂布液的基板G进行减压干燥处理的装置，即可以应用，并不限定于本实施方式的构成。
[0215]因此，被处理基板并不限于液晶用的玻璃基板，也可以为其它的平板显示器用基板、半导体晶片、光盘(compact disc, CD)基板、光罩、印刷基板等。作为减压干燥处理对象的涂布液也不限于抗蚀液，例如还可以为层间绝缘材料、介电体材料、配线材料等的处理液。而且，涂布装置9与减压干燥装置1、减压干燥装置IA的配置关系也不限于如图1所示的构成，例如既可以为减压干燥装置I堆叠成多级的构成，也可以为包含多个搬送机械手TR的构成。
[0216]腔室10的构造或形状毋庸置言，腔室10内外的各部分，特别是排气部30、供气部40的构造，一侧供气口的个数、配置位置等也不限于上述实施方式的内容，而可以进行各种变形。即，一侧供气口既可以为一个，也可以为多个。而且，在本实施方式中，为了进行排气的接通或断开控制以及排气力的控制，使用了开闭阀33及压力控制阀34，但是也可以取而代之，采用可以从关闭状态调整至全开状态为止的一个阀。关于开闭阀43及流量调整阀44，也是相同。
[0217]图19是表示所述第2实施方式的变形例的供气构件46B的外观的示意图。如图19所示，供气构件46B是单向延伸的筒状的构件，包含沿所述单向等间隔地排列的多个圆形开口 48作为一侧供气口。而且，所述圆形开口 48的开口轴优选的也是从垂直轴Z仅倾斜与图16(b)的情况相同的角度Θ。所述圆形开口 48的排列成为多个点状开口的排列的典型例。所述变形例还可以采用如下构成:将所述供气构件46B沿X方向延伸设置于+Y空间区域LI并且延伸设置于下部空间L12来代替第2实施方式的供气构件46。
[0218]并且，在上述实施方式中，已说明不进行缓慢吹除的压力恢复步骤，但是并不限于此。即，也可以在主吹除之前执行固定时间的缓慢吹除。在这种情况下，藉由本发明的应用以及使用缓慢吹除的压力恢复(不伴随急剧的压力变化的压力恢复)，可以大幅度降低残渣缺陷的可能性。
[0219]并且，在上述实施方式中，揭示了以基板G的第I主面SI侧成为上方的方式而载置于支撑部20的构成，但是当基板G的第I主面SI侧为下方时，即，当使涂布有处理液的主面朝向下侧而保持基板进行减压干燥时，也可以应用本发明的减压干燥装置I。在这种情况下，使上部空间Lll对应于“第2部分空间”，使下部空间L12对应于“第I部分空间”，由此可获得与本实施方式相同的效果。
[0220]此外，在上述实施方式中，已举出从基板G的中心位置PO观察时一侧供气口向水平方向一侧的“第I空间区域内”开口的构成的示例进行说明，但是藉由将所述第I空间区域规定为“腔室10内的在水平面观察时的区域中，从基板G的中心位置PO观察时从水平方向一侧的端部算起的四分之一的区域”，可以更好地实施本发明。即，藉由将一侧供气口配置于在水平面观察时从腔室10的端部侧算起四分之一的区域内，而形成在压力恢复步骤时在基板G的第I主面SI上从第I空间区域向第2空间区域的更强的单向气流，从而压力集中区域ro不易产生于基板的上方，因此残渣缺陷的防止效果变得特别好。
[0221]而且，在本发明的减压干燥装置1、减压干燥装置IA中，是藉由通过向第I空间区域内开口的至少一个一侧供气口进行供气，来进行腔室10内的压力恢复。即，在本发明的减压干燥装置I中，只要压力恢复步骤中所使用的一侧供气口配置于第I空间区域内即可，关于其它步骤中所使用的供气口，则可以配置于第2空间区域或中心部分。
【权利要求】
1.一种减压干燥装置，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第1主面及第2主面，并且在所述第1主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥装置的特征在于，包括: 腔室，收纳所述基板； 支撑部，在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板； 排气部，通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气； 供气部，通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气；以及控制部，控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气，并且在所述供气口中，包含至少一个一侧供气口，所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向，从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第1空间区域内开口， 在所述腔室内进行所述基板的减压干燥之后，所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时，使用所述一侧供气口对所述腔室内供气，由此至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流沿所述水平方向，从所述第1空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置，其特征在于:关于所述腔室的内部空间，当以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界，定义出所述第1主面侧的第I部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时，所述一侧供气口设置于所述第2部分空间，并且向所述第1部分空间开口。
3.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述排气口设置于所述第2部分空间，所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述排气口更靠所述腔室的侧壁侧开口，在结束所述减压干燥而转入至所述压力恢复时，所述控制部控制所述供气部以及所述排气部的动作顺序，以成为如下时序关系:在所述排气口位置的排气压消失之前，在所述一侧供气口的位置的供气压上升。
4.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述压力恢复时的所述基板的存在位置更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且朝向从垂直轴往所述基板侧倾斜的方向开口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向排列的多个点状的开口。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的开口。
7.一种减压干燥方法，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第1主面及第2主面，并且在所述第I主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥方法的特征在于，包括: 减压步骤，对以水平姿势收纳有所述基板的腔室内进行减压；以及压力恢复步骤，在所述减压步骤之后，使所述腔室内压力恢复，并且在所述压力恢复步骤中，至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流在所述腔室内，沿规定的水平方向，从所述基板的中心观察时从一侧的第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
【文档编号】H01L21/00GK103903959SQ201310706279
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月19日 优先权日:2012年12月26日
【发明者】柿村崇 申请人:大日本网屏制造株式会社
【专利摘要】本发明提供一种减压干燥装置以及减压干燥方法。在减压干燥装置中，在减压干燥处理之后，通过供气口(一侧供气口)向腔室内供给氮气，所述供气口从基板的中心位置观察时向水平方向一侧(+Y侧)的空间区域内开口。因此，在供气后不久，在供气口所处的+Y侧的空间区域内形成正压的环境。其结果为，在藉由供气而产生于腔室内的气流AF2中，在基板的第1主面侧流动的气流成为从+Y侧向-Y侧的单向气流。由此，“压力集中区域”产生于基板的第1主面侧的可能性下降。即，在压力集中区域内所产生的溶剂成分的液滴附着于基板的第1主面侧的残渣缺陷的风险下降。
【专利说明】减压干燥装置以及减压干燥方法【技术领域】
[0001]本发明涉及一种减压干燥装置以及减压干燥方法，对形成于被处理基板上的涂布液在减压状态下实施干燥处理。
【背景技术】
[0002]从前，在基板处理装置(例如，液晶面板制造装置等)中，已知有减压干燥装置，所述减压干燥装置对在基板表面涂布有涂布液的基板实施减压干燥处理。例如，在光刻(photolithography)步骤中使用减压干燥装置，以使涂布于玻璃基板等被处理基板上的抗蚀液的涂布膜在预烘干(prebaking)之前适度地干燥。
[0003]现有的具有代表性的减压干燥装置例如，如专利文献I所记载，将基板水平地载置于基板支撑构件上之后，关闭腔室而进行减压干燥处理，所述基板支撑构件配设于可开闭的腔室内的适当高度。
[0004]在这种减压干燥处理中，首先，通过设置于腔室内的排气口，藉由外部的真空泵来进行腔室内的真空排气。藉由所述真空排气，腔室内的压力从在此之前的大气压状态变为减压状态，在所述减压状态下溶剂成分从基板上的蚀刻涂布膜蒸发。接着，在腔室内的压力被减低至固定压力为止的时点，结束腔室内的减压。然后，从设置于腔室内的供给口喷出或扩散释放出惰性气体(例如氮气)或者空气，使腔室内的压力恢复至大气压(使压力恢复)。当腔室内压力恢复 后，提起上部腔室而打开腔室，搬出基板。
[0005][现有技术文献]
[0006][专利文献]
[0007][专利文献I]日本专利特开2011-64400号公报
【发明内容】
[0008]在这种减压干燥处理中，存在如下情况:在所述压力恢复的步骤中，伴随着腔室内的压力急剧上升，悬浮于腔室内的溶剂成分变为液滴。并且，如果变为液滴的溶剂成分附着于基板的表面上，那么对所述基板来说会因残渣而引起缺陷，从而导致良率下降。
[0009]作为用于防止溶剂成分变为液滴的构成，通常在这种减压干燥装置中设置测量腔室内的压力的压力传感器(sensor)。并且，以腔室内的压力被减低至固定压力(溶剂成分得以充分干燥的压力)为止之后开始进行压力恢复步骤的方式而进行顺序控制(sequencecontrol)，由此可以降低溶剂成分变为液滴的可能性。但是，由于近年来的基板的大型化、以及伴随于此的腔室的大型化，即使在腔室内，在各个部分所产生的压力的差也增大，从而难以藉由所述压力传感器来充分掌握腔室内整体的压力状态(溶剂成分是否已干燥)。
[0010]而且，根据减压干燥装置的使用形态，还存在如下情况:在减压步骤中不使压力减低至所述固定压力为止便开始进行压力恢复步骤。在所述情况下，即使可以藉由压力传感器来完全掌握腔室内的压力状态，在减压步骤中未能完全去除腔室内的溶剂成分的状态下执行压力恢复步骤，溶剂成分也有可能变为液滴。[0011]作为用于解决这种“由溶剂成分的液滴化所引起的残渣缺陷”的问题的方法，已知有如下方法:藉由在压力恢复步骤中以微弱的供气压缓慢地使腔室内压力恢复，来防止腔室内的压力急剧上升。但是，在所述情况下，会产生“减压干燥处理的处理时间增大”的新问题。
[0012]本发明是为了解决所述问题而开发的，目的在于提供一种减压干燥装置，降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性，并且不增大减压干燥处理的处理时间。
[0013]为了解决所述问题，技术方案I所述的发明是一种减压干燥装置，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第I主面及第2主面，并且在所述第I主面上上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥装置的特征在于:包括腔室，收纳所述基板；支撑部，在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板；排气部，通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气；供气部，通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气；以及控制部，控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气，并且在所述供气口中，包含至少一个一侧供气口，所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向，从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第I空间区域内开口，在所述腔室内进行基板的减压干燥后，所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时，使用所述一侧供气口对所述腔室内供气，由此至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流沿所述水平方向，从所述第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
[0014]技术方案2所述的发明根据技术方案I所述的减压干燥装置，其特征在于:当关于所述腔室的内部空间，以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界，定义出所述第I主面侧的第I部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时，所述一侧供气口设置于所述第2部分空间，并且向所述第I部分空间开口。
[0015]技术方案3所述的发明根据技术方案2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述排气口设置于第2部分空间，所述一侧供气口在水平面观察时在较所述排气口更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且在结束所述减压干燥而转入至所述压力恢复时，所述控制部控制所述供气部以及所述排气部的动作顺序，以成为如下时序关系:在所述排气口位置的排气压消失之前，在所述一侧供气口的位置的供气压上升。
[0016]技术方案4所述的发明根据技术方案2或技术方案3所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述压力恢复时的所述基板的存在位置更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且朝向从垂直轴往所述基板侧倾斜的方向开口。
[0017]技术方案5所述的发明根据技术方案I至技术方案4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向排列的多个点状的开口。
[0018]技术方案6所述的发明根据技术方案I至技术方案4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的开□。
[0019]技术方案7所述的发明是一种减压干燥方法，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第I主面及第2主面，并且在所述第I主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥方法的特征在于:包括减压步骤，对以水平姿势收纳有所述基板的腔室内进行减压；以及压力恢复步骤，在所述减压步骤之后，使所述腔室内压力恢复，并且在所述压力恢复步骤中，至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流在所述腔室内，沿规定的水平方向，从所述基板的中心观察时从一侧的第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
[0020][发明的效果]
[0021]根据技术方案I至技术方案7所述的发明，在减压干燥后的腔室内的压力恢复时，沿水平方向从基板的一侧供给的气流成为单向气流，越过涂布有涂布液的基板的第I主面的中心而流向另一侧。因此，经蒸发的溶剂成分在第I主面上被有效率地向另一侧冲走，从而难以在基板的第I主面上变为液滴。因此，可以降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性。并且，不需要延长压力恢复步骤所需的时间，因此不会增大减压干燥处理的处理时间。
[0022]特别是在技术方案2所述的发明中，在压力恢复步骤中的供气时，形成为不会直接向基板的第I主面侧吹附气体的供气方向。因此，不会在基板的第I主面上产生由压力恢复时的气流的影响所造成的流动不均。
[0023]并且，供气口(一侧供气口)向基板的第I主面侧的第I部分空间开口，因此在基板的第I主面侧流动的所述单向气流相对快于在基板的第2主面侧流动的气流。其结果为，可以进一步降低压力集中区域(在基板的两主面上分别流动的两个气流成分的碰撞部位)产生于基板的第I主面侧的可能性，从而残渣缺陷的风险进一步下降。
[0024]特别是在技术方案3所述的发明中，以从减压步骤转入至压力恢复步骤时，能够从排气口有效率地排出悬浮于一侧供气口附近的溶剂的蒸气的方式，来规定排气口与一侧供气口的相对的位置关系、以及供气及排气的相对的时序关系。因此，能够进一步降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性。
[0025]特别是在技术方案4所述的发明中，藉由预先使供气口(一侧供气口)的开口方向倾斜，可以有效率地向基板的第I主面上供气，其结果为，将涂布液的溶剂蒸气从基板的第I主面上冲走的作用强大，残渣缺陷的风险进一步下降。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是表示第I实施方式的减压干燥装置I与涂布装置9的位置关系的配置图。
[0027]图2是表示第I实施方式的涂布装置9的构成的立体图。
[0028]图3是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成的纵截面图。
[0029]图4是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成的俯视图。
[0030]图5是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是排气部30的构成的俯视图。
[0031]图6是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是供气部40的构成的俯视图。
[0032]图7是表示第I实施方式的减压干燥装置I的构成，特别是处理空间L的构成的概念图。
[0033]图8是表示第I实施方式的控制部8的电气构成的框图。
[0034]图9是表示第I实施方式的减压干燥装置I的处理动作的一例的动作流程图。[0035]图10是表示第I实施方式的减压步骤与压力恢复步骤中的排气部30与供气部40的动作时序的时序图。
[0036]图11是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的侧视图。
[0037]图12是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的俯视图。
[0038]图13是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图。
[0039]图14是概念性地表示第I实施方式的减压干燥装置I中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的俯视图。
[0040]图15是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的构成的纵截面图。
[0041]图16(a)及图16(b)是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的构成，特别是供气构件46的构成的示意图。
[0042]图17是概念性地表示第2实施方式的减压干燥装置IA中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图。
[0043]图18是概念性地表示第2实施方式的减压干燥装置IA中，因供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的俯视图。
[0044]图19是表示第2实施方式的变形例的供气构件46B的构成的示意图。
[0045]符号的说明:
[0046]UlA:减压干燥装置
[0047]8:控制部
[0048]9:涂布装置
[0049]10:腔室
[0050]IOS:侧壁
[0051]11:下部腔室
[0052]12:上部腔室
[0053]13:升降机构
[0054]14:0 形圈
[0055]20:支撑部
[0056]21:支撑销
[0057]22:支撑板
[0058]23:升降构件
[0059]24:升降机构
[0060]30:排气部
[0061]31、31a、31b、31c、31d:排气口
[0062]32、32a、32b、32c、32d.排气管
[0063]33、33a、33b、33c、33d:开闭阀
[0064]34:压力控制阀
[0065]35:真空泵[0066]40、40A:供气部
[0067]41、41a、41b、41c、41d:供气口 (一侧供气口)
[0068]42、42a、42b、42c、42d:供气管
[0069]43、43a、43b、43c、43d:开闭阀
[0070]44、44a、44b、44c、44d:流量调整阀
[0071]45:气体供给源
[0072]46、46B:供气构件
[0073]47:开口部
[0074]48:圆形开口
[0075]50:压力传感器
[0076]81:CPU
[0077]82:R0M
[0078]83:RAM
[0079]84:固定磁盘
[0080]86:显示装置
[0081]87:输入装置
[0082]88:读取装置
[0083]89:总线
[0084]90:平台
[0085]91:狭缝喷嘴
[0086]92:喷嘴支撑体
[0087]93:导轨
[0088]94:水平移动机构
[0089]AF1、AF2:气流
[0090]AFlO:抽吸气流
[0091]AF20:喷出气流
[0092]FG:手指部
[0093]G:基板
[0094]IF:虚拟边界面
[0095]IP:虚拟水平面
[0096]L:处理空间
[0097]LI:+Y空间区域
[0098]L2:_Y空间区域
[0099]Lll:上部空间
[0100]L12:下部空间
[0101]PD:压力集中区域
[0102]PO:中心位置
[0103]PR:程序
[0104]RM:记录介质[0105]S1:第 I 主面
[0106]S2:第 2 主面
[0107]STl ?ST12:步骤
[0108]TR:搬送机械手
[0109]Tl ?T5:时刻
[0110]X、Y、Z:方向
[0111]Θ:倾斜角度
【具体实施方式】
[0112]〈1.第I实施方式〉
[0113]〈1.1减压干燥装置I以及周边装置的构成>
[0114]以下，参照【专利附图】
【附图说明】本发明的第I实施方式。
[0115]本发明是可以应用于各种基板处理流程中的减压干燥装置(减压干燥方法)，但是在以下说明中，是说明用于实施了蚀刻涂布处理的液晶显示装置用的玻璃基板(以下，称为“基板G” )的减压干燥装置(减压干燥方法)。
[0116]图1是表示本发明的第I实施方式中的减压干燥装置I与涂布装置9的位置关系的一例的配置图。在图1以后的各图中，将X方向以及Y方向规定为规定水平面的正交两个方向，此外将Z方向规定为与所述X方向及Y方向正交的垂直方向。
[0117]图2是表示第I实施方式中的涂布装置9的构成的立体图。并且，在以下说明中，将基板G的表面侧(涂布抗蚀液之侧)的主面称为“第I主面SI”，将基板G的背面侧(不涂布抗蚀液之侧)的主面称为“第2主面S2”。
[0118]涂布装置9是在基板G的第I主面SI上涂布抗蚀液的装置，包括:平台(stage)90，包括能够以水平姿势吸附保持基板G的保持面；长条型的狭缝喷嘴(slitnozzle) 91,沿X方向延伸；桥梁式构造的喷嘴支撑体92,沿X方向横贯平台90的上面而支撑狭缝喷嘴91 ；以及水平移动机构94 (例如，电动直线电动机(linear motor))，使狭缝喷嘴91 (喷嘴支撑体92)沿在Y方向上延伸的一对导轨(guide rail)93水平移动。
[0119]进行涂布处理时，在以第I主面SI向上的方式将基板G水平地保持于平台90上的状态下，由抗蚀液供给部(未图示)以规定的流量将抗蚀液供送至狭缝喷嘴91，并且利用水平移动机构94以固定速度沿Y方向移动狭缝喷嘴91 (喷嘴支撑体92)。由此，从所述狭缝喷嘴91的喷出口将抗蚀液供给至基板G上，在基板G的第I主面SI上以固定的膜厚形成抗蚀液的涂布膜。
[0120]搬送机械手(robot) TR是如下机械手:将利用涂布装置9在其第I主面SI上涂布有抗蚀液的基板G搬送至减压干燥装置1，并且将利用减压干燥装置I完成了减压干燥处理的基板G搬送至下一个步骤的预烘干单元(未图示)。
[0121]搬送机械手TR是如下机械手:包括沿水平方向延伸的四根棒状构件即手指部FG，并且包括以垂直方向为中心进行旋转的旋转驱动机构、升降机构、水平移动机构(均未图示)。搬送机械手TR藉由使所述机构能动化，而可以在各装置间交接基板G。
[0122]图3是表示本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的构成的纵截面图。
[0123]减压干燥装置I包括腔室10，所述腔室10包括:下部腔室11，固定于所述装置；以及可动的上部腔室12，作为能够相对于下部腔室11开闭的上盖而发挥作用。上部腔室12与内置有驱动源的升降机构13相连结，并被所述升降机构13上下驱动。由于形成为这种构成，所以能够使上部腔室12与下部腔室11密接(密闭腔室)或分离(打开腔室)。并且，在密接状态下，在腔室10的内部形成基板G的处理空间L。另一方面，在分离状态下，可以在腔室10的内部与搬送机械手TR之间进行基板G的交接。
[0124]当搬送机械手TR将基板G搬入至减压干燥装置I时，减压干燥装置I提起上部腔室12而使腔室打开。接着，搬送机械手TR将基板G载置于多个支撑板22上，其中多个支撑板22设置于腔室10内，当搬送机械手TR退避至腔室10外部时，放下上部腔室12而使腔室10为密闭状态。在所述密闭状态下，对腔室10内的基板G按时间顺序执行减压处理以及压力恢复处理，由此对形成于基板G上的蚀刻涂布膜实施减压干燥处理，在所述基板G的第I主面SI上均匀地获得所需的蚀刻膜质特性。
[0125]并且，当在减压干燥装置I中一次(一块基板)的减压干燥处理结束时，升降机构13提起上部腔室12而形成为腔室打开状态。搬送机械手TR进入至所述腔室内，从支撑板22接收并搬出处理完毕的基板G，并将基板G搬送至下一个步骤进行预烘干的预烘干单元(未图示)。
[0126]〈1.2减压干燥装置I的各部分的构成>
[0127]图4是表示本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的构成的俯视图。再者，在图4中，表示了已去除减压干燥装置I的构成中的图3所示的上部腔室12以及升降机构13的构成。
[0128]如上所述，减压干燥装置I是用于对经蚀刻涂布后的基板G进行减压干燥处理，使所述抗蚀液干燥而形成抗蚀膜的装置。减压干燥装置I大致包括:腔室10，收纳基板；支撑部20，在腔室10内以水平姿势支撑基板；排气部30，通过向腔室10内开口的排气口 31而进行腔室10内的排气；供气部40，通过向腔室10内开口的供气口 41而对腔室10内供气；以及压力传感器50，检测腔室10内的压力(参照图3、图4)。并且，减压干燥装置I包括控制部8，作为用于控制所述各部分的动作的构成。
[0129]腔室10是内部包含用于对基板进行减压干燥处理的处理空间L的耐压容器。如上所述，腔室10包括可以彼此分离的下部腔室11及上部腔室12，下部腔室11固定于所述装置，在上部腔室12上连接有内置驱动源的升降机构13。作为所述升降机构13，例如可以采用包括气缸(air cylinder)或电动直线电动机的升降机构。
[0130]在下部腔室11的上表面的周缘部，设置有由硅胶等所构成的O形圈14。因此，当上部腔室12藉由升降机构13而下降时，下部腔室11的上表面与上部腔室12的下表面之间藉由O形圈14而密闭，从而形成于腔室10内部的处理空间L成为气密状态。
[0131]支撑部20是用于在腔室10的内部以水平姿势支撑基板G的机构，包括:多个支撑板22，在其上表面包含多个支撑销(support pin) 21 ;多个升降构件23，分别抵接于所述多个支撑板22而设置；以及升降机构24，对多个升降构件23 —体地上下驱动。
[0132]如图3所示，多个(本实施方式中为三个)支撑板22分别设置成达到相同的高度位置。因此，藉由使各支撑销21的头部抵接于基板G的第2主面S2，而以水平姿势支撑基板G。
[0133]多个升降构件23与配置于腔室10的外部的一个升降机构24相连结，分别贯通下部腔室11的底部而向腔室10的内部突出。并且，多个升降构件23与下部腔室11的底部藉由未图示的密封构件而真空密封，从而防止腔室10内外的气体从所述贯通部分连通。
[0134]并且，藉由使升降机构24进行动作，而对多个升降构件23以及多个支撑板22 —体地上下驱动，从而可以调节在腔室10内基板G被支撑的高度。作为所述升降机构24，与升降机构13相同，可以米用包括气缸或电动直线电动机的升降机构。
[0135]多个支撑板22 (本实施方式中为三个支撑板22)是沿X方向延伸的长条型的板状构件，沿Y方向隔开固定间隔而平行地设置。并且，如图1所示，搬送机械手TR从-X方向侧进入至减压干燥装置I而将基板G搬入或搬出减压干燥装置I。因此，在进入至减压干燥装置I的时序，搬送机械手TR的手指部FG (四根棒状构件)及多个支撑板22是分别沿Y方向隔开固定间隔而平行地设置。并且，手指部FG的相邻的棒状构件彼此的Y方向间隔形成为大于一个支撑板22的Y方向宽度。由于形成为这种构成，所以即使在搬送机械手TR进入至腔室10内的情况下，在俯视观察时在手指部FG的四股空隙部分配置有多个支撑板22，从而支撑板22与搬送机械手TR也不会发生碰撞。
[0136]因此，藉由使保持着基板G的手指部FG移动至支撑板22的正上方，利用升降机构24使支撑板22上升至手指部FG的上方为止，可以将基板G从搬送机械手TR传送至减压干燥装置I。并且，藉由使手指部FG移动至载置有基板G的支撑板22的正下方，利用升降机构24使支撑板22下降至手指部FG的下方为止，可以将基板G从腔室10传送至搬送机械手TR。
[0137]图5是概念性地表示本实施方式的减压干燥装置I的排气的构成的俯视图。再者，在图5中，用虚线表示在减压步骤时基板G所存在的位置，将此时的基板G的中心表示为中心位置PO。在本实施方式的情况下，基板G为矩形，因此其中心位置PO定义为所述矩形的两条对角线的交点。当基板如半导体晶片为大致圆形时，将在基板支撑于腔室内的状态下的所述圆的中心点定义为中心位置。
[0138]排气部30是用于抽吸排出腔室10内的气体而使腔室10内为减压状态的配管系统，包括向腔室10内开口的排气口 31、排气管32、开闭阀(on-off valve) 33、压力控制阀34以及真空泵35。再者，在以下说明中，关于排气口 31、排气管32、开闭阀33的各个，在对其构成要素进行命名时，有时使用“排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d”，“排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d”，“开闭阀33a、开闭阀33b、开闭阀33c、开闭阀33d”的表达。
[0139]排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d向腔室10内开口，并且分别通过排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d而与压力控制阀34以及真空泵35相连接。并且，在排气管32a、排气管32b、排气管32c、排气管32d上,分别设置有开闭阀33a、开闭阀33b、开闭阀33c、开闭阀33d。此外，真空泵35与排气管线相连接。
[0140]开闭阀33、压力控制阀34以及真空泵35与控制部8电性连接。因此，控制部8在使真空泵35进行动作的状态下，打开开闭阀33及压力控制阀34，由此将腔室10内的气体抽吸至排气口 31，并经由排气管32向排气管线排气。另一方面，藉由控制部8关闭开闭阀33而使腔室10内的排气停止。如上所述，在本实施方式的减压干燥装置I中，在真空泵35进行动作的状态下，藉由开闭阀33的开闭而进行腔室10内的排气的接通(on)或断开(off)控制。因此，与藉由真空泵35的接通或断开来进行腔室10内的排气的接通或断开控制的情况不同，本实施方式在排气开始时也可以实现充分的排气力。
[0141]并且，藉由利用控制部8调节压力控制阀34的开度，可以调节排气部30的排气力。藉由如上所述调节排气力，可以对使腔室10内缓慢减压的状态(副排气)与使腔室10内急剧减压的状态(主排气)进行切换。在下述减压步骤中，采用了进行副排气并经过固定时间后切换为主排气的动作顺序。如此一来，防止了伴随着腔室10内的急剧减压，涂布于基板G上的抗蚀液中所含的溶剂成分发生暴沸。
[0142]图6是示意性地表示本实施方式的减压干燥装置I的供气的构成的俯视图。再者，在图6中，用虚线表示压力恢复步骤时基板G所存在的位置，并将此时的基板的中心表示为中心位置PO。
[0143]供气部40是用于向腔室10内供给气体，使藉由排气部30而成为减压状态的腔室10内的压力恢复至大气压为止的配管系统，包括供气口 41、供气管42、开闭阀43、流量调整阀44及气体供给源45。再者，在以下说明中，关于供气口 41、供气管42、开闭阀43、流量调整阀44的各个，在对其构成要素进行命名时，有时使用“供气口 41a、供气口 41b、供气口41c、供气口 41d”，“供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d”，“开闭阀43a、开闭阀43b、开闭阀43c、开闭阀43d”，“流量调整阀44a、流量调整阀44b、流量调整阀44c、流量调整阀44d”的表达。
[0144]作为利用供气部40供给至腔室10内的气体，例如可以采用氮气或压缩空气等，但是在以下说明中，说明供给氮气的情况。
[0145]供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d向腔室10内开口，并分别通过供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d而与气体供给源45相连接。并且，在供气管42a、供气管42b、供气管42c、供气管42d上，分别设置有开闭阀43a、开闭阀43b、开闭阀43c、开闭阀43d以及流量调整阀44a、流量调整阀44b、流量调整阀44c、流量调整阀44d。
[0146]开闭阀43、流量调整阀44以及气体供给源45与控制部8电性连接。因此，控制部8将开闭阀43及流量调整阀44打开并且从气体供给源45供给氮气，由此所述氮气经由供气管42，从供气口 41供给至腔室10内。其结果为，腔室10内的压力恢复至大气压为止。另一方面，控制部8停止从气体供给源45供给氮气，由此停止腔室10内的压力恢复。
[0147]并且，可以通过调节流量调整阀44的开度来调节供气部40的供气力。藉由如上所述调节供气力，可以对使腔室10内缓慢地恢复压力的状态(缓慢吹除(slow purge))与使腔室10内急剧地恢复压力的状态(主吹除(mainpurge))进行切换。
[0148]因此，藉由利用缓慢吹除进行压力恢复步骤，可以防止腔室10内的压力急剧增力口，从而降低在腔室10内可能以气体状态存在的抗蚀液的溶剂成分变为液滴的可能性。所述液滴附着于基板G的第I主面SI上会导致基板G的残渣缺陷，因此缓慢吹除具有降低残渣缺陷的风险的优点。另一方面，如果利用主吹除进行压力恢复步骤，则具有缩短压力恢复步骤的处理时间，实现生产节拍提高(takt up)的优点。
[0149]图7是将形成于密闭状态的腔室10内的处理空间L概念性地加以分割而表示的侧视图。再者，图7是表示腔室10、排气口 31及供气口 41的构成的图，剩余的构成(支撑部20等)已省略。而且，图7中的基板G的位置表示了在减压步骤以及压力恢复步骤时被支撑部20支撑的情况下所存在的基板G的位置。
[0150]在以下说明中，从被支撑部20支撑的基板G的中心位置PO观察，将水平方向的一侧(在本实施方式中为+Y侧)的处理空间L称为“+Y空间区域LI”，将另一侧(在本实施方式中为-Y侧)的处理空间L称为“-Y空间区域L2”。而且，关于处理空间L，以规定为减压步骤以及压力恢复步骤时的基板G的高度的虚拟水平面IP为边界，将第I主面SI侧(在本实施方式中为+Z侧)称为“上部空间L11”，将第2主面S2侧(在本实施方式中为-Z侦U)称为“下部空间L12”。
[0151]再者，“+Υ空间区域L1”、“_Y空间区域L2”、“上部空间L11”以及“下部空间L12”分别相当于本发明中的“第I空间区域”、“第2空间区域”、“第I部分空间”以及“第2部分空间”。
[0152]利用关于这种处理空间L的概念性的分割，说明本实施方式的减压干燥装置I中的排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d以及供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d的配置关系。
[0153]对应于矩形状的下部腔室11底面的四角，各设置有一个排气口 3la、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d。更具体而言，配置于-Y空间区域L2的排气口 31a、排气口 31c与配置于+Y空间区域LI的排气口 31d、排气口 31b在水平面观察时，相对于基板G的中心位置PO成为点对称的配置(参照图5)。
[0154]因此，当藉由下述减压步骤而抽吸排出腔室10内的气体时，在基板G的第I主面SI侧(+Z侧)，产生从中心位置PO向排气口 31a、排气口 31b、排气口 31c、排气口 31d均匀地扩散的四个方向的气流AFl (参照图12)。
[0155]另一方面，供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d从基板G的中心位置PO观察时，均设置于一侧(+Y方向侧)的下部腔室11的底面(参照图6)。如上所述，供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d作为从基板的中心位置PO观察时向一侧的+Y空间区域Ll( “第I空间区域”)内开口的“一侧供气口”而发挥作用。
[0156]因此，在下述压力恢复步骤中向腔室10内供给氮气之后紧接着的时序中，在供气口 41a、供气口 41b、供气口 41c、供气口 41d所处的+Y空间区域LI内，形成与-Y空间区域L2相比为正压的环境。其结果为，在基板G的第I主面SI侧(+Z侧)，产生从+Y空间区域LI越过中心位置PO而流向-Y空间区域L2的单向气流AF2(参照图14)。但是，这里的所谓“越过中心位置PO”，不是指“通过中心位置PO的正上方”，而是指越过作为+Y空间区域LI与-Y空间区域L2的边界线而通过中心位置PO的虚拟边界面IF(参照图14)。
[0157]并且，在本实施方式的减压干燥装置I中，排气口 31以及供气口 41均配置于基板G的第2主面S2侧(-Z侧)即下部空间L12。因此，减压步骤中所产生的气流AFl中产生于排气口 31附近的强大气流即抽吸气流AF10、压力恢复步骤中所产生的气流AF2中产生于供气口 41附近的强大气流即喷出气流AF20不会直接影响到基板G的第I主面SI (涂布有抗蚀液之侧的主面)(参照图11、图13)。因此，在基板G的第I主面SI上，不易产生由所述气流的影响所引起的抗蚀液的液体不均。
[0158]并且，如图4所示，供气口 41在水平面观察时，在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口。关于形成为这种配置关系的理由，将在后文描述。
[0159]压力传感器50是用于测定腔室10内的压力的装置(参照图3)。在本实施方式的减压干燥处理中，在藉由压力传感器50而测定的腔室10内的压力达到规定值的时序，结束排气部30的抽吸排气(减压步骤)，开始藉由供气部40向腔室10内供给氮气(压力恢复步骤)。作为这种压力传感器50,例如可以采用真空计(vacuum gauge)。
[0160]图8所示的控制部8控制设置于减压干燥装置I中的所述各种动作机构。作为控制部8的硬件的构成与一般的计算机相同。即，控制部8是将中央处理单元(centralprocessing unit, CPU)81、只读存储器(read only memory, ROM)82、随机存取存储器(random access memory, RAM)83 及固定磁盘 84 连接于总线(bus line)89 而构成,CPU81进行各种运算处理，R0M82是存储基本程序的读取专用的存储器，RAM83是存储各种信息的读写自如的存储器，固定磁盘84中预先存储处理程序PR或数据等。
[0161]在总线89上，连接有升降机构13、升降机构24、排气部30、供气部40以及压力传感器50。控制部8的CPU81藉由执行固定磁盘84中所存储的处理程序PR，而控制减压干燥装置I的各动作机构，进行对基板G的减压干燥处理。
[0162]并且，在总线89上，电性连接有显示装置86以及输入装置87。显示装置86例如使用液晶显示器等而构成，显示处理结果或消息(message)等各种信息。输入装置87例如使用键盘或鼠标等而构成，接受命令(co_and)或参数(parameter)等的输入。装置的操作员可以一边确认显示于显示装置86的内容，一边利用输入装置87进行命令或参数等的输入。再者，也可以设为将显示装置86与输入装置87加以一体化而构成为触摸屏(touchpanel)。
[0163]此外,在总线89上,连接有从数字化通用磁盘(digital versatile disc,DVD)或光盘只读存储器(compact disc read-only memory, CD-ROM)等记录介质RM读取记录内容的读取装置88。处理程序PR也可以设为被读取装置88从记录介质RM读取并存储于固定磁盘84。而且，处理程序PR也可以设为经由网络从外部的信息处理装置下载。
[0164]〈1.3减压干燥装置I的动作>
[0165]图9是表示本实施方式中的减压干燥装置I的处理动作的一例的动作流程图。以下，按照图9所示的动作流程，说明减压干燥装置I的动作。
[0166]在减压干燥装置I中处理基板G时，首先，藉由升降机构13使上部腔室12上升，将腔室10打开(步骤STl)。
[0167]然后，当藉由搬送机械手TR将基板G搬入至腔室10的内部时，藉由升降机构24使多个支撑板22升，将基板G传送至多个支撑销21上。然后，搬送机械手TR避至腔室10的外部，支撑于多个支撑板22的基板G藉由升降机构24下降至执行减压干燥处理的高度为止(步骤ST2)。
[0168]当如上所述将基板G搬入至腔室10内并进行其高度调节后，藉由升降机构13使上部腔室12下降，从而使腔室10为密闭状态(步骤ST3)。再者，藉由升降机构24所进行的支撑板22的升降也可以与藉由升降机构13所进行的上部腔室12的升降同步地进行。
[0169]图10是表示减压步骤(步骤ST4?步骤ST7A)与压力恢复步骤(步骤ST7B?步骤ST9)的排气部30 (真空泵35)与供气部40 (气体供给源45)的动作时序的时序图。
[0170]并且，图11、图12是概念性地表示在减压步骤(包括副排气及主排气)中，因排气部30的排气的影响而产生于腔室10内的气流AFl的侧视图以及俯视图。再者，图12是以去除了上部腔室12及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0171]在步骤ST3中在基板G支撑于腔室10内的状态下使腔室10密闭后，开始腔室10内的副排气(步骤ST4)。具体而言，减压干燥装置I预先使真空泵35进行动作，在开始副排气的时序(图?ο:T1)打开排气部30的开闭阀33以及压力控制阀34。其结果为，腔室10内部的气体通过排气口 31而抽吸排出至排气管线，使腔室10的内部比较缓慢地减压(图10:时亥Ij Tl~时亥Ij Τ2)。
[0172]然后，当开始副排气并经过固定时间后，从副排气切换为主排气(步骤ST5)。如上所述，在主排气时，藉由控制部8进行控制，以使得压力调节阀34的开度大于副排气时的压力调节阀34的开度。其结果为，腔室10内被更急剧地减压(图10:时刻Τ2~时刻Τ3)。
[0173]如上所述，对应于藉由减压步骤(步骤ST4、步骤ST5)而使腔室10的内部减压，涂布于基板G的表面上的抗蚀液中所含的溶剂成分进行气化,从而涂布于基板G上的抗蚀液得以干燥。然后，经气化的溶剂成分也随着气流AFl从排气口 31抽吸排出至排气管线(图
11、图 12)。
[0174]并且，藉由分成副排气与主排气两个阶段来进行减压，可以防止腔室10内的压力急剧变化，从而可以避免基板G上的抗蚀液中所含的溶剂成分发生暴沸。
[0175]并且，当藉由压力传感器50而测定的腔室10内的压力达到设定值时(步骤ST6中分支为是(Yes))，关闭开闭阀33而停止排气动作(步骤ST7A)。与此同时，开始藉由供气部40向腔室10内供给氮气(步骤ST7B)。再者，所述设定值是根据基板处理的方案(recipe)而确定的参数，是在减压干燥处理之前存储于控制部8的RAM83内的值。
[0176]图13、图14是概念性地表示在压力恢复步骤中，因供气部40的供气的影响而产生于腔室10内的气 流AF2的侧视图以及俯视图。再者，图14是以去除了上部腔室12以及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0177]本实施方式中所执行的压力恢复步骤(图10:时刻T3~时刻T5)只执行主吹除，所述主吹除是在流量调整阀44的开度大的状态下打开开闭阀43，并且从气体供给源45供给氮气。因此，与执行缓慢吹除的情况相比，压力恢复步骤的处理时间得以缩短，从而使生广节拍提闻。
[0178]并且，在图10中的时刻T3~时刻T4，开闭阀33的关闭动作与气体供给源45的动作起始在顺序控制上是在同一时序进行，但是事实上，当结束减压而转入至压力恢复时，在排气231附近的抽吸气流AFlO(排气压)消失之前，在供气口 41的位置的喷出气流AF20(供气压)上升。因此，在压力恢复步骤开始后不久(图10:时刻T3~时刻T4)，由供气部40供气而产生的气流AF2中，在下部空间L12流动的气流的一部分被抽吸至排气口31，但作为整体，产生从+Y空间区域LI向-Y空间区域L2的气流(参照图13)。
[0179]然后，当腔室10内的压力上升，藉由压力传感器50而测量的腔室10内的压力达到大气压时，在步骤ST8中分支为是(Yes)，结束藉由供气部40所进行的腔室10内的压力恢复(步骤ST9)。
[0180]当压力恢复结束时，藉由升降机构13而使上部腔室12上升，打开腔室10(步骤ST10)。此时，藉由升降机构24，支撑板22也在保持着基板G的状态下上升。
[0181]然后，从腔室10搬出已完成减压干燥处理的基板G(步骤Sll)。具体而言，藉由使搬送机械手TR进行动作而将手指部FG插入至载置于多个支撑销21上的基板G的下方，并且使多个支撑板22下降而将基板G传送至手指部FG。搬送机械手TR在将基板G接收至手指部FG上后，在保持着所述基板G的状态下向腔室10的外部移动。藉由以上所述，对一块基板G的减压干燥处理结束。[0182]再者，当对后续的基板G也连续地实施减压干燥处理时，在步骤ST12中分支为是(Yes)而转入至步骤ST2，由此对所述后续的基板G也可以实施减压干燥处理。
[0183]〈1.4减压干燥装置I的效果>
[0184]以下，说明本发明的第I实施方式的减压干燥装置I的效果。
[0185](I)在本实施方式的减压干燥装置I中，供气口 41是作为从基板G的中心位置PO观察时向水平方向一侧(+Y侧)的+Y空间区域LI内开口的“一侧供气口”而发挥作用，在腔室10内进行基板G的减压干燥后的压力恢复步骤中，利用所述一侧供气口(供气口 41)向腔室10内供气。因此，在从供气口 41向腔室10内供给氮气后紧接着的时序中，在供气口 41所处的+Y空间区域LI内，形成与-Y空间区域L2相比为正压的环境。其结果为，如图13、图14所示，在藉由供气而产生于腔室10内的气流AF2中，在支撑于支撑板22上的基板G的第I主面SI侧流动的气流成为从+Y空间区域LI越过中心位置PO而流向-Y空间区域L2的单向气流。
[0186]由于如上所述在基板G的第I主面SI侧形成单向气流，因此可以降低“压力集中区域ro”产生于基板G的第I主面Si侧的可能性，所述“压力集中区域ro”是在压力恢复步骤中产生于腔室10内的气流AF2彼此相碰撞而压力瞬间升高的部位。
[0187]在所述压力集中区域ro内，伴随着其压力的上升，悬浮于所述压力集中区域ro内的抗蚀液的溶剂成分有可能变为液滴。因此，藉由如上所述降低压力集中区域ro产生于基板G的第I主面SI侧的可能性(在基板G的侧方或第2主面S2侧产生压力集中区域PD)，可以降低变为液滴的抗蚀液的溶剂成分附着于基板G的第I主面SI侧的残渣缺陷的风险。
[0188](2)而且，由于供气口 41设置于下部空间L12(基板G的第2主面S2侧)，因此不会将喷出气流AF20直接吹附至基板G的第I主面SI侧(涂布有抗蚀液之侧)，所述喷出气流AF20是在压力恢复步骤时产生于腔室10内的气流AF2中，在供气口 41的附近产生并且压力特别强的气流。因此，不会在基板G的第I主面SI上产生由压力恢复时的喷出气流AF20的影响所造成的流动不均。
[0189](3)而且，供气口 41向上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)开口，因此在压力恢复步骤时产生于腔室10内的气流AF2中，在基板G的第I主面SI侧流动的单向气流相对地快于在基板G的第2主面S2侧流动的气流。其结果为，可以进一步降低压力集中区域H)(气流的碰撞部位)产生于基板G的第I主面SI侧的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。
[0190](4)而且，在本实施方式的减压干燥装置I中，
[0191](4-1)将供气口 41及排气口 31设置于下部空间L12，
[0192](4-2)供气口 41在水平面观察时在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口，
[0193](4-3)在结束减压步骤(基板G的减压干燥)而转入至压力恢复步骤时，控制部8控制供气部40以及排气部30的动作顺序，以成为如下时序关系，即，在排气口 31位置的抽吸气流AFlO (排气压)消失之前，在供气口 41位置的喷出气流AF20 (供气压)上升(参照图 13)。
[0194]由于形成为如上所述的构成，因此藉由供给至下部空间L12的氮气而产生的气流AF2中，在水平面观察时朝向外侧(沿侧壁10S)的气流不易受到抽吸气流AFlO的影响，另一方面在水平面观察时朝向内侧的气流则容易因抽吸气流AFlO的影响而被抽吸至排气口31(参照图13)。因此，在从减压步骤转入至压力恢复步骤之后不久，气流AF2中，在水平面观察时朝向外侧的气流比朝向内侧的气流相对更快地流动。
[0195]而且，将供气口 41及排气口 31设置于下部空间L12，因此如图13及图14所示，气流AF2中，在水平面观察时朝向内侧的气流在下部空间L12 (基板G的第2主面S2侧)流动，在水平面观察时朝向外侧的气流向上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)流动。
[0196]总而言之，在压力恢复步骤中所产生的气流AF2中，在上部空间Lll (基板G的第I主面SI侧)流动的气流快于在下部空间L12(基板G的第2主面S2侧)流动的气流。由于形成为这种构成，所以可以进一步降低压力集中区域H)产生于基板G的正上方的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。并且，供气口 41在较排气口 31更靠腔室10的侧壁IOS侧开口，因此可以防止在从减压步骤转入至压力恢复步骤之后不久，藉由减压步骤而流动至排气口31附近的抗蚀液的溶剂成分在供气步骤中被推回至基板G的第I主面SI侧，从而残渣缺陷的风险下降。
[0197]再者，优选的是如图13所示，不仅在基板G的第I主面SI的面上产生单向气流，而且在基板G的第2主面S2的大部分面上均形成为单向气流的状态。由于在第2主面S2自身上没有形成液晶显示晶胞(cell)等电子元件(device)，所以即使在第2主面S2上产生残渣缺陷，也不会直接影响到基板G的良率。但是，在减压干燥处理的其后步骤等中，附着于第2主面S2上的残渣飞扬而附着于第I主面SI侧的可能性并非为零，因此优选的是尽可能防止残渣的产生，从而优选的是使压力集中区域H)产生于尽可能远离供气口 41及基板G的中心的区域(具体而言，在远离供气口 41之侧的基板G的端部或较其更靠外侧)。
[0198]如以上说明，在本实施方式的减压干燥装置I中，藉由以排气口 31及供气口 41的配置、以及排气及供气的动作时序为特征，可以降低压力集中区域ro产生于基板的第I主面Si侧(产生基板G的残渣缺陷)的可能性。
[0199]因此，即使不利用先前在减压干燥处理中所进行的技术，S卩，不利用藉由在主吹除之前执行固定时间的缓慢吹除来防止腔室10内的压力急剧增加的技术，也可以降低基板G中的残渣缺陷的可能性。即，可以只利用主吹除(供气压强的急剧性的压力恢复)来执行压力恢复步骤，从而可以使减压干燥处理的生产节拍提高。
[0200]<2.第2实施方式>
[0201]〈2.1第2实施方式中的减压干燥装置IA的构成>
[0202]其次，说明本发明的第2实施方式。图15是表示第2实施方式的减压干燥装置IA的主要部分构成的概略的侧视图。而且，图16(a)及图16(b)是表示第2实施方式的供气部40A(特别是供气构件46)的外观的示意图，图16(b)表示图16(a)的A-A截面。再者，在图15以后的各图中，对与第I实施方式相同的要素标注相同的符号。
[0203]第2实施方式的减压干燥装置IA形成为如下构成:在第I实施方式的减压干燥装置I的构成中，将供气部40取代为供气部40A。更具体而言，在第2实施方式中，将包含狭缝状的开口部47的供气构件46设置于腔室10内，来代替在第I实施方式中设置于腔室10的底壁并且向腔室10内开口的供气口 41。第2实施方式的减压干燥装置I的剩余构成与第I实施方式相同，因此省略所述构成的说明。
[0204]第2实施方式的供气部40A是用于使藉由排气部30而成为减压状态的腔室10内的压力恢复至大气压为止的配管系统，包括:供气构件46，包含狭缝状的开口部47 ;供气管42，将由气体供给源45供给的氮气输送至供气构件46 ;开闭阀43，设置于供气管42 ;流量调整阀44 ;以及气体供给源45。
[0205]如图15及图16(a)及图16(b)所示，供气构件46是沿X方向延伸设置于腔室10内的筒状的构件，包括沿X方向延伸而设置的狭缝状的开口部47。并且，供气构件46设置于+Y空间区域LI并且设置于下部空间L12，其开口部47在水平面观察时，在较压力恢复步骤时基板G所存在的位置更靠腔室10的侧壁IOS侧，且朝向从垂直轴(Z方向)向基板G侧仅倾斜角度Θ (O度〈Θ〈90度)的方向开口(参照图16 (a)、图16(b))。
[0206]由于形成为如上所述的构成，因此在第2实施方式的减压干燥装置I中，开口部47从中心位置PO观察时向水平方向一侧(+Y侧)的下部空间L12开口，并且作为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的“一侧供气口 ”而发挥作用。
[0207]〈2.2第2实施方式中的减压干燥装置IA的效果>
[0208]以下，说明本发明的第2实施方式的减压干燥装置IA的效果。
[0209]图17、图18是概念性地表示在压力恢复步骤中因供气部40A的供气的影响而产生于腔室10内的气流AF2的侧视图以及俯视图。再者，图18是以去除了上部腔室12以及升降机构13的构成的俯视图来描绘。
[0210]如上所述，第2实施方式的开口部47 (—侧供气口)在水平面观察时，在较压力恢复步骤时基板G所存在的位置更靠腔室10的侧壁IOS侧，朝向从垂直轴向基板G侧倾斜的方向开口。因此，从开口部47喷出的喷出气流AF20更多地在基板G的第I主面SI侧流动，在所述基板G的第I主面SI侧流动的气流AF2相对快于在基板G的第2主面S2侧流动的气流AF2(参照图17、图18)。其结果为，可以进一步降低压力集中区域Η)(气流的碰撞部位)产生于基板G的第I主面SI侧的可能性，从而残渣缺陷的风险下降。
[0211]再者，在第2实施方式的减压干燥装置IA中，关于形成为与第I实施方式的减压干燥装置I相同的构成的项目，当然可获得与第I实施方式的减压干燥装置I相同的效果。
[0212]〈3变形例〉
[0213]以下，说明本发明的变形例。
[0214]本发明的减压干燥装置1、减压干燥装置1A(减压干燥方法)只要是对在第I主面SI上涂布有包含溶剂的涂布液的基板G进行减压干燥处理的装置，即可以应用，并不限定于本实施方式的构成。
[0215]因此，被处理基板并不限于液晶用的玻璃基板，也可以为其它的平板显示器用基板、半导体晶片、光盘(compact disc, CD)基板、光罩、印刷基板等。作为减压干燥处理对象的涂布液也不限于抗蚀液，例如还可以为层间绝缘材料、介电体材料、配线材料等的处理液。而且，涂布装置9与减压干燥装置1、减压干燥装置IA的配置关系也不限于如图1所示的构成，例如既可以为减压干燥装置I堆叠成多级的构成，也可以为包含多个搬送机械手TR的构成。
[0216]腔室10的构造或形状毋庸置言，腔室10内外的各部分，特别是排气部30、供气部40的构造，一侧供气口的个数、配置位置等也不限于上述实施方式的内容，而可以进行各种变形。即，一侧供气口既可以为一个，也可以为多个。而且，在本实施方式中，为了进行排气的接通或断开控制以及排气力的控制，使用了开闭阀33及压力控制阀34，但是也可以取而代之，采用可以从关闭状态调整至全开状态为止的一个阀。关于开闭阀43及流量调整阀44，也是相同。
[0217]图19是表示所述第2实施方式的变形例的供气构件46B的外观的示意图。如图19所示，供气构件46B是单向延伸的筒状的构件，包含沿所述单向等间隔地排列的多个圆形开口 48作为一侧供气口。而且，所述圆形开口 48的开口轴优选的也是从垂直轴Z仅倾斜与图16(b)的情况相同的角度Θ。所述圆形开口 48的排列成为多个点状开口的排列的典型例。所述变形例还可以采用如下构成:将所述供气构件46B沿X方向延伸设置于+Y空间区域LI并且延伸设置于下部空间L12来代替第2实施方式的供气构件46。
[0218]并且，在上述实施方式中，已说明不进行缓慢吹除的压力恢复步骤，但是并不限于此。即，也可以在主吹除之前执行固定时间的缓慢吹除。在这种情况下，藉由本发明的应用以及使用缓慢吹除的压力恢复(不伴随急剧的压力变化的压力恢复)，可以大幅度降低残渣缺陷的可能性。
[0219]并且，在上述实施方式中，揭示了以基板G的第I主面SI侧成为上方的方式而载置于支撑部20的构成，但是当基板G的第I主面SI侧为下方时，即，当使涂布有处理液的主面朝向下侧而保持基板进行减压干燥时，也可以应用本发明的减压干燥装置I。在这种情况下，使上部空间Lll对应于“第2部分空间”，使下部空间L12对应于“第I部分空间”，由此可获得与本实施方式相同的效果。
[0220]此外，在上述实施方式中，已举出从基板G的中心位置PO观察时一侧供气口向水平方向一侧的“第I空间区域内”开口的构成的示例进行说明，但是藉由将所述第I空间区域规定为“腔室10内的在水平面观察时的区域中，从基板G的中心位置PO观察时从水平方向一侧的端部算起的四分之一的区域”，可以更好地实施本发明。即，藉由将一侧供气口配置于在水平面观察时从腔室10的端部侧算起四分之一的区域内，而形成在压力恢复步骤时在基板G的第I主面SI上从第I空间区域向第2空间区域的更强的单向气流，从而压力集中区域ro不易产生于基板的上方，因此残渣缺陷的防止效果变得特别好。
[0221]而且，在本发明的减压干燥装置1、减压干燥装置IA中，是藉由通过向第I空间区域内开口的至少一个一侧供气口进行供气，来进行腔室10内的压力恢复。即，在本发明的减压干燥装置I中，只要压力恢复步骤中所使用的一侧供气口配置于第I空间区域内即可，关于其它步骤中所使用的供气口，则可以配置于第2空间区域或中心部分。
【权利要求】
1.一种减压干燥装置，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第1主面及第2主面，并且在所述第1主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥装置的特征在于，包括: 腔室，收纳所述基板； 支撑部，在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板； 排气部，通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气； 供气部，通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气；以及控制部，控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气，并且在所述供气口中，包含至少一个一侧供气口，所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向，从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第1空间区域内开口， 在所述腔室内进行所述基板的减压干燥之后，所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时，使用所述一侧供气口对所述腔室内供气，由此至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流沿所述水平方向，从所述第1空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置，其特征在于:关于所述腔室的内部空间，当以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界，定义出所述第1主面侧的第I部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时，所述一侧供气口设置于所述第2部分空间，并且向所述第1部分空间开口。
3.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述排气口设置于所述第2部分空间，所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述排气口更靠所述腔室的侧壁侧开口，在结束所述减压干燥而转入至所述压力恢复时，所述控制部控制所述供气部以及所述排气部的动作顺序，以成为如下时序关系:在所述排气口位置的排气压消失之前，在所述一侧供气口的位置的供气压上升。
4.根据权利要求2所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口在水平面观察时，在较所述压力恢复时的所述基板的存在位置更靠所述腔室的侧壁侧开口，并且朝向从垂直轴往所述基板侧倾斜的方向开口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向排列的多个点状的开口。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置，其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的开口。
7.一种减压干燥方法，对基板进行减压干燥处理，所述基板包括第1主面及第2主面，并且在所述第I主面上涂布有包含溶剂的涂布液，所述减压干燥方法的特征在于，包括: 减压步骤，对以水平姿势收纳有所述基板的腔室内进行减压；以及压力恢复步骤，在所述减压步骤之后，使所述腔室内压力恢复，并且在所述压力恢复步骤中，至少在所述基板的所述第I主面上形成单向气流，所述单向气流在所述腔室内，沿规定的水平方向，从所述基板的中心观察时从一侧的第I空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
【文档编号】H01L21/00GK103903959SQ201310706279
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月19日 优先权日:2012年12月26日
【发明者】柿村崇 申请人:大日本网屏制造株式会社
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