专利名称：30排引线框架的制作方法
技术领域：
30排引线框架技术领域[0001]本实用新型涉及一种引线框架，特别是一种30排引线框架。
背景技术：
[0002]目前的引线框架产品，如市场上的20排/1120粒引线框架，每条该引线框架有20 排，每排上有56粒晶体管，该引线框架长度为252mm，宽度为73mm，如图1所示。与传统的 6排/216粒框架相比，这种产品密度在生产效率和成本节约方面有成倍的提高。但是随着市场用量的增长，目前的设备和产品的设计生产力还不能完全满足市场需求，需要提高产品的密度和资源有效利用率。同时，随着生产成本和劳力成本的提高，面临着价格压力，需要通过技术改良不断降低生产成本。实用新型内容[0003]本实用新型的目的在于:针对现有技术存在的引线框架密度低、成本高、资源利用率低的问题，提供一种高密度、低成本的30排引线框架。[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:[0005]一种30排引线框架，其特征在于，所述30排引线框架从上至下间隔排列有30排芯片槽，所述30排芯片槽中每排的芯片槽个数为56个，所述每排的56个芯片槽间隔位于引线框架的同一水平线上。[0006]上述30排引线框架的长度为252±0.1mm,宽度为73±0.04mm。[0007]本实用新型中30排引线框架，在不改变20排/1120粒引线框架的长度和宽度的条件下，由传统的20排/1120粒每一条提高到30排/1680粒每一条，引线框架的密度得到了大大提高，进而提高了生产效率，降低了生产成本。[0008]综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:[0009]1、增加引线框架密度，提高设备利用率，提高产品生产效率，降低成本。[0010]2、提高生产效率，前段提高30%的设备效率，Molding提高40%的效率。[0011]3、提高资源利用率，引线框架利用率提高35%，Compound用量降低30%。
[0012]图1为传统的20排引线框架结构示意图。[0013]图2是本实用新型30排引线框架的结构示意图。[0014]图3是图2中A部分的局部放大图。
具体实施方式
[0015]下面结合 附图，对本实用新型作详细的说明。[0016]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。[0017]如图2所示，本实施例列举的一种30排引线框架，该引线框架上设置有横X纵 =30 X 56个芯片槽，即所述30排引线框架从上至下间隔排列有30排芯片槽，所述30排芯片槽中的每排有56个芯片槽，每排的56个芯片槽间隔位于引线框架的同一水平线上。30排引线框架长度为252±0.1mm，宽度为73±0.04 mm。参考图3，本实施例列举的30排引线框架适用于安装S0T23封装的晶体管，安装S0T23封装的晶体管时，S0T23封装的晶体管放置于引线框架的芯片槽中。[0018]本实用新型30排引线框架的密度大大提高了，因此，在生产30排引线框架过程中，对模具制作、电镀、焊接等工序以及生产设备提出更高的要求。前段工序中必须做好引线框架防氧化工作和保证焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的废料。[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种30排引线框架，其特征在于，所述30排引线框架从上至下间隔排列有30排芯片槽，所述30排芯片槽中每排的芯片槽个数为56个，所述每排的56个芯片槽间隔位于引线框架的同一水平线上。
2.根据权 利要求1所述的30排引线框架，其特征在于，所述30排引线框架的长度为 252±0.I臟，宽度为 73±0.04mmη
专利摘要本实用新型涉及电子晶体管技术领域，具体涉及一种30排引线框架，所述30排引线框架从上至下间隔排列有30排芯片槽，所述30排芯片槽中每排的芯片槽个数为56个，所述每排中的56个芯片槽间隔位于引线框架的同一水平线上。本实用新型30排引线框架的密度和设备利用率都得到了提高，前段设备效率提高30%.中段Molding设备效率提高40%；框架利用率提高35%，Compound用量降低30%，降低了生产成本。
文档编号H01L23/495GK203150539SQ20132018181
公开日2013年8月21日 申请日期2013年4月12日 优先权日2013年4月12日
发明者罗天秀, 樊增勇, 许兵, 代建武, 李宁 申请人:成都先进功率半导体股份有限公司, 乐山无线电股份有限公司