硅平面二极管阵列的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种硅平面二极管阵列包括基板和二极管阵列，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。该硅平面二极管阵列，结构简单，二极管阵列塑封在金属陶瓷管内确保其电气特性不受影响，还设有涂层可以清楚显示二极管阵列工作参数，方便正确使用。
【专利说明】硅平面二极管阵列
【技术领域】
[0001]本实用新型属于一种晶体管。
【背景技术】
[0002]目前，现有的薄膜晶体管液晶显示器制作过程中，晶体管阵列基板在制造完成之后会进行检测，特别是对晶体管阵列基板的像素阵列进行检测，以确认晶体管阵列基板是否能正常运作。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的本实用新型的目的是克服现有【技术领域】存在的不足，提供一种硅平面二极管阵列。
[0004]为达到这一目的，所采取的技术方案如下:
[0005]一种硅平面二极管阵列包括
[0006]基板I和二级管阵列2，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管3内通过粘结层4将二极管阵列2粘接在基板I上。
[0007]进一步基板为娃平面基板。
[0008]进一步，硅平面二极管阵列还包括导电层5，导电层位于粘接层的上面。
[0009]进一步，硅平面二极管阵列还包括涂层。
[0010]进一步，二极管阵列为8个二极管组成。
[0011]本实用新型的硅平面二极管阵列，结构简单，二极管阵列塑封在金属陶瓷管内确保其电气特性不受影响，还设有涂层可以清楚显示二极管阵列工作参数，方便正确使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明:
[0013]图1为本实用新型的硅平面二极管阵列的结构示意图；
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型所提供的存放传送装置和分析装置进行示例性的说明。
[0015]如图1所示，本实用新型的一种硅平面二极管阵列包括，
[0016]基板和二极管阵列，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。
[0017]优选的技术方案，基板为硅平面基板。
[0018]优选的技术方案，硅平面二极管阵列还包括导电层，导电层位于粘接层的上面。
[0019]优选的技术方案，硅平面二极管阵列还包括涂层，所述涂层的原料为紫外光固化油墨，可经过酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。。[0020]优选的技术方案，二极管阵列为8个二极管组成。
[0021]综上所述，以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围，因此，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种硅平面二极管阵列，其特征在于，包括 基板和二极管阵列，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。
2.根据权利要求1所述硅平面二极管阵列，其特征在于，基板为硅平面基板。
3.根据权利要求1所述的硅平面二极管阵列，其特征在于，硅平面二极管阵列还包括导电层，导电层位于粘接层的上面。
4.根据权利要求1所述的硅平面二极管阵列，其特征在于，硅平面二极管阵列还包括涂层。
5.根据权利要求1所述的硅平面二极管阵列，其特征在于，二级管阵列为8个二极管组成。
【文档编号】H01L33/52GK203445116SQ201320515408
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】吴炳刚 申请人:沈阳飞达电子有限公司