芯片级滤波器封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种芯片级滤波器封装结构，包括空腔围墙和金属屏蔽层，其特征是：其是几何形状的四面等高围墙式；所述空腔围墙的内部四个侧面与芯片的四个侧面接触；所述空腔围墙的环形端面与基板的表面接触；所述空腔围墙的外部四个侧面置于包封胶中。所述金属屏蔽层是薄片式；所述金属屏蔽层贴附在芯片背面，所述金属屏蔽层置于包封胶中。本实用新型由于围墙式设计，使得基板上的芯片完全罩于空腔围墙和金属屏蔽层中，防止了包封胶流到芯片表面的换能器上，同时金属屏蔽层贴附在芯片背面，使器件具有了屏蔽功能。
【专利说明】芯片级滤波器封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种滤波器，具体是讲一种芯片级滤波器的封装结构。
【背景技术】
[0002]芯片级滤波器的封装，一般都是采用将芯片倒装在基板上，再用包封胶使芯片密封在基板与包封胶中。这种封装结构存在以下问题:
[0003]1、目前的封装结构，如图1所示，包封胶2直接涂布在芯片3的外侧，由于基板I与芯片3是通过金球4键合在一起的，基板I与芯片3之间形成空腔，有部分包封胶2会流进基板I与芯片3之间的空腔中，导致部分包封胶粘附到芯片2表面的换能器上，影响了产品有性能。
[0004]2、包封胶2直接涂布在芯片3的外侧，没有屏蔽功能。
【发明内容】
[0005]本实用新型旨在解决现有产品中性能不好，以及没有屏蔽功能的缺陷，提出一种新型的芯片级滤波器封装结构。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采取以下技术方案:一种芯片级滤波器封装结构，包括空腔围墙和金属屏蔽层，其特征是所述，其是几何形状的四面等高围墙式；所述空腔围墙的内部四个侧面与芯片的四个侧面接触；所述空腔围墙的环形端面与基板的表面接触；所述空腔围墙的外部四个侧面置于包封胶中。所述金属屏蔽层是薄片式；所述金属屏蔽层贴附在芯片背面，所述金属屏蔽层置于包封胶中。。
[0007]本实用新型由于采取以上技术方案，其具有以下优点:1、由于围墙式设计，使得基板上的芯片完全罩于空腔围墙和金属屏蔽层中，防止了包封胶流到芯片表面的换能器上，提高了产品的性能。2、同时金属屏蔽层贴附在芯片背面，使器件具有了屏蔽功能芯片级。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是通常芯片级滤波器封装结构的三视图；
[0009]图2是通常芯片级滤波器封装结构的剖视图；
[0010]图3是本实用新型芯片级滤波器封装结构的三视图；
[0011]图4是本实用新型芯片级滤波器封装结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的描述。
[0013]如图3所示，本实用新型提出的封装结构，是在原有的包封胶直接涂布在芯片的外侧及基板的上面，改进后先在芯片13外部罩上空腔围墙15，使芯片13置于空腔围墙15与和金属屏蔽层16与基板11组成的空间内。
[0014]这样的设计，使得包封胶12仅能涂布在空腔围墙5和金属屏蔽层16的外侧及基板11的上面。
[0015]空腔围墙15的内部四个侧面与芯片13的四个侧面接触。
[0016]空腔围墙15的环形端面与基板11的表面接触。
[0017]空腔围墙15的外部四个面置于包封胶12中。
[0018]空腔围墙15的侧面的厚度，即可以为等壁厚设计，也可以非等壁厚设计。
[0019]空腔围墙15的侧面的闻度，为等闻设计。
[0020]金属屏蔽层16贴附在芯片背面。
[0021]金属屏蔽层16置于包封胶12中。
[0022]由于在芯片13外侧罩一个空腔围墙15和背面贴附金属屏蔽层16，防止了包封胶12会流进基板11与芯片13及金球14之间形成的空腔中粘附到芯片13换能器上，有效地提高了产品的性能，同时由于芯片13背面贴附金属屏蔽层16，具有了屏蔽功能。
[0023]上述各实施例仅用于说明本实用新型，其中各部件的局部结构、连接方式可以根据实际情况有所调整，不过凡是在本实用新型技术方案的基础上进行的等同变换和改进，均不应排除在本实用新型的保护范围之外。
【权利要求】
1.一种芯片级滤波器封装结构，包括空腔围墙和金属屏蔽层，其特征是所述空腔围墙其是几何形状的四面等高围墙式；所述金属屏蔽层是薄片式。
2.根据权利要求1所述的芯片级滤波器封装结构，其特征在于:所述空腔围墙的内部四个侧面与芯片的四个侧面接触。
3.根据权利要求1所述的芯片级滤波器封装结构，其特征在于:所述空腔围墙的环形端面与基板的表面接触。
4.根据权利要求1所述的芯片级滤波器封装结构，其特征在于:所述空腔围墙的外部四个侧面置于包封胶中。
5.根据权利要求1所述的芯片级滤波器封装结构，其特征在于:所述金属屏蔽层贴附在芯片背面。
6.根据权利要求1所述的芯片级滤波器封装结构，其特征在于:所述金属屏蔽层置于包封胶中。
【文档编号】H01L23/552GK203466174SQ201320523029
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2013年8月16日 优先权日:2013年8月16日
【发明者】王宁, 刘长顺, 张水清, 张修华 申请人:深圳华远微电科技有限公司