一种水膜生成装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种水膜生成装置，它由水箱、PLC、直流电源、中间继电器、时间继电器、传感器、供水管、电磁阀、滴水管、滴水管箱组成；水箱通过供水管与滴水管连接，电磁阀设在供水管中，滴水管设在滴水管箱下部，传感器设在滴水管箱侧壁，PLC分别与传感器、直流电源、中间继电器电连接，中间继电器与时间继电器电连接，时间继电器与电磁阀电连接。它的效果在于：能在硅片正面表面生成一均匀的拱状水膜，该拱状水膜有很好的张力，可以阻止酸液对硅片边缘的侵蚀，防止刻蚀边的产生，提高硅片质量。
【专利说明】一种水膜生成装置
[0001]【技术领域】:本实用新型涉及一种在太阳能硅片酸刻蚀加工中对硅片表面布上水膜防止酸液侵蚀硅片的水膜生成装置。
[0002]【背景技术】:现有太阳能电池硅片在酸刻蚀加工中，为保护硅片不受溢出的酸液在正面产生刻蚀边，会在硅片正面覆盖一层水膜，该水膜在一定程度上可保护溢出的酸液不能在硅片正面产生刻蚀边。现有在硅片正面生成一层覆盖水膜的装置，如名称为“一种具有喷雾功能的湿法刻蚀”其专利号为201220362016.3的专利技术，它主要是在硅片正面上方设有一喷雾装置，通过喷雾装置向硅片正面喷洒雾状的水滴而形成一个薄水膜层来达到保护硅片正面不受酸液刻蚀。该种通过喷雾而产生水膜的装置在使用中存在的不足是:它仅是在硅片正面形成一个很薄的水平水膜层，它对溢上硅片正面的酸液阻力上，酸液容易侵入到硅片的正面而产生刻蚀边。
[0003]
【发明内容】
:本实用新型的目的在于，针对现有太阳能电池硅片在酸刻蚀加工中所存在的上述不足，而提出一种在硅片正面生成一层拱状水膜，可有效保护硅片正面不受溢出酸液侵蚀而产生刻蚀边的水膜生成装置。
[0004]通过下述技术方案可实现本实用新型目的，一种水膜生成装置，其特征在于，它由水箱、PLC、直流电源、中间继电器、时间继电器、传感器、供水管、电磁阀、滴水管、滴水管箱组成；水箱通过供水管与滴水管连接，电磁阀设在供水管中，滴水管设在滴水管箱下部，传感器设在滴水管箱侧壁，PLC分别与传感器、直流电源、中间继电器电连接，中间继电器与时间继电器电连接，时间继电器与电磁阀电连接。
[0005]为利于在硅片正面生成拱状水膜，滴水管以对应的硅片为单元进行布置，每个单元为4根，4根滴水管按方形排布。
[0006]为利于在娃片正面生成均匀的拱状水膜，滴水管前端为斜口，其斜角为45?60°，斜面朝向方形排布的中心。
[0007]本实用新型的效果在于:它能在硅片正面表面生成一均匀的拱状水膜，该拱状水膜有很好的张力，可以阻止酸液对硅片边缘的侵蚀，防止刻蚀边的产生，提高硅片质量，据统计，安装本装置前，每个作业班因刻蚀边过宽产生的返工片大约有2%0，安装后本装置后，该情况基本消除；另外PECVD镀膜后返工片率也由10%。降到2%0 ;该效果的产生在于，本装置中设有PLC和滴水管，PLC对滴水管向硅片正面滴水的时间进行了设定，使得滴水将整个硅片正面布满而快要溢出时停止，这时，在硅片正面也就形成了一个拱状的水膜，它有很好的张力，可有效保护硅片正面不受溢出酸液侵蚀而产生刻蚀边；另外，本装置中滴水管的布置和前端斜面结构也有利于拱状水膜的均匀形成。
[0008]下面结合附图及实施例对本实用新型进一步阐述:
【专利附图】
【附图说明】:
[0009]附图1为本实用新型的结构示意图；
[0010]附图2为本实用新型的电路方框结构示意图。【具体实施方式】:
[0011]参见附图1、2，一种水膜生成装置，它由水箱1、PLC2、直流电源3、中间继电器4、时间继电器5、传感器6、供水管7、电磁阀8、滴水管9、滴水管箱10组成；水箱I通过供水管7与滴水管9连接，电磁阀8设在供水管7中，滴水管9设在滴水管箱10下部，传感器6设在滴水管箱10侧壁，PLC2分别与传感器6、直流电源3、中间继电器4电连接，中间继电器4与时间继电器5电连接，时间继电器5与电磁阀电8连接。为利于在硅片正面生成拱状水膜，滴水管9以对应的硅片为单元进行布置，每个单元为4根，4根滴水管9按方形排布。为使在硅片正面生成一层均匀的拱状水膜，滴水管9前端为斜口，其斜角为45?60°，斜面朝向方形排布的中心。
【权利要求】
1.一种水膜生成装置，其特征在于，它由水箱、PLC、直流电源、中间继电器、时间继电器、传感器、供水管、电磁阀、滴水管、滴水管箱组成；水箱通过供水管与滴水管连接，电磁阀设在供水管中，滴水管设在滴水管箱下部，传感器设在滴水管箱侧壁，PLC分别与传感器、直流电源、中间继电器电连接，中间继电器与时间继电器电连接，时间继电器与电磁阀电连接。
2.按权利要求1所述的一种水膜生成装置，其特征在于，滴水管以对应的硅片为单元进行布置，每个单元为4根，4根滴水管按方形排布。
3.按权利要求1或2所述的一种水膜生成装置，其特征在于，滴水管前端为斜口，其斜角为45?60°，斜面朝向方形排布的中心。
【文档编号】H01L31/18GK203521449SQ201320563206
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2013年9月6日
【发明者】王许辉, 陈淳 申请人:江西瑞晶太阳能科技有限公司