光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备的制作方法

光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。根据本实用新型能够提供一种光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备，能够有效地取出信号，使元件特性稳定化，提高可靠性。
【专利说明】光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备

【技术领域】
[0001] 本公开涉及使用有机光电转换材料的光电转换元件，包含这种光电转换元件作为 像素的固体摄像装置以及电子设备。

【背景技术】
[0002] 在CO) (Charge Coupled Device :电荷稱合器件）图像传感器或者 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体）图像传感 器等固体摄像装置中，提出了各像素使用由有机半导体构成的有机光电转换膜的装置（例 如，专利文献1)。
[0003] 在该固体摄像装置中，各像素中具有将上述有机光电转换膜夹入用于取出信号的 一对电极间的构造。在这种结构中，为了调整电极和有机光电转换膜之间的功函数差，提出 了设置使用有机材料的电荷阻挡层（电荷阻挡层）的方法（参照专利文献2)。
[0004] 在先技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2011-187918号公报
[0007] 专利文献2 :日本特开2012-19235号公报。 实用新型内容
[0008] 然而，希望实现可通过与上述专利文献2不同的其他方法使元件特性稳定化并提 高可靠性的光电转换元件。
[0009] 鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种可以使元件特性稳定化并提高可 靠性的光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。
[0010] 本实用新型提供了：
[0011] -种光电转换兀件，其具备：有机光电转换膜；夹着所述有机光电转换膜而设置 的第一电极及第二电极；以及设于所述第二电极与所述有机光电转换膜之间的电荷阻挡 层，其中，所述电荷阻挡层具有：包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数 的金属元素的功函数调整层；以及设于所述功函数调整层与所述第二电极之间、抑制所述 金属元素向所述第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
[0012] 在上述光电转换元件中，所述第一扩散抑制层由不含有氧元素（0)的无氧有机分 子构成。
[0013] 在上述光电转换元件中，所述电荷阻挡层进一步在所述功函数调整层的所述有机 光电转换膜侧具有由不含氧元素（〇)的无氧有机分子构成的第二扩散抑制层。
[0014] 在上述光电转换元件中，所述电荷阻挡层进一步在所述功函数调整层和所述第一 扩散抑制层之间，具有由含氧元素（〇)的含氧有机分子构成的第三扩散抑制层。
[0015] 在上述光电转换兀件中，所述第一电极是具有光透射性的导电膜。
[0016] 在上述光电转换元件中，所述第二电极包含铝（A1)、铜（Cu)、镍（Ni)、铬（Cr)、钒 以)、钛〇1)、锆（21〇、铌（他）、钥（1〇)、钌〇?11)、钯（?(1)、铪时)、钽〇'&)、钨〇￥)、钼仇） 及金（Au)中的至少一种。
[0017] 在上述光电转换元件中，所述第二电极是具有光透射性且与所述第一电极功函数 不同的导电膜。
[0018] 在上述光电转换元件中，所述金属元素是锂（Li)、铍（Be)、钠（Na)、镁（Mg)、钾 〇()、钙私)、铷（他）、锶阶）、铯办）或钡伽）。
[0019] 本实用新型还提供了一种固体摄像装置，其具有各自包含光电转换元件的多个像 素，其中所述光电转换元件具备：有机光电转换膜；夹着所述有机光电转换膜而设置的第 一电极及第二电极；以及设于所述第二电极和所述有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，所 述电荷阻挡层具有：包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元素 的功函数调整层；以及设于所述功函数调整层和所述第二电极之间、抑制所述金属元素向 所述第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
[0020] 在上述固体摄像装置中，所述电荷阻挡层进一步在所述功函数调整层的所述有机 光电转换膜侧具有由不含氧元素（〇)的无氧有机分子构成的第二扩散抑制层。
[0021] 本实用新型还提供了一种电子设备，其具备固体摄像装置，所述固体摄像装置具 有各自包含光电转换元件的多个像素，其中所述光电转换元件具备：有机光电转换膜；夹 着所述有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极；以及设于所述第二电极和所述有机 光电转换膜之间的电荷阻挡层，所述电荷阻挡层具有：包含调整所述有机光电转换膜的所 述第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层；以及设于所述功函数调整层和所述第 二电极之间、抑制所述金属兀素向所述第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
[0022] 本实用新型的一个实施方式的光电转换元件具备：有机光电转换膜，夹着有机光 电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷 阻挡层，电荷阻挡层具有包含调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功 函数调整层，以及设于功函数调整层和第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的 第一扩散抑制层。
[0023] 本实用新型的一个实施方式的固体摄像装置具有分别包含上述本公开的一个实 施方式的光电转换元件的多个像素。
[0024] 本实用新型的一个实施方式的电子设备具有上述本公开的一个实施方式的固体 摄像装置。
[0025] 在本实用新型的一个实施方式的光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备中， 在夹着有机光电转换膜的第一电极及第二电极中、第二电极和有机光电转换膜之间具备电 荷阻挡层。该电荷阻挡层具有包含调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素 的功函数调整层，从而抑制从第二电极到有机光电转换膜的电荷移动，可有效地取出信号。 在这种功函数调整层和第二电极之间具有第一扩散抑制层，从而抑制金属元素向第二电极 侧扩散，稳定并维持上述功函数调整层的功能。
[0026] 在本实用新型的一个实施方式的光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备中， 在夹着有机光电转换膜的第一电极及第二电极中、第二电极与有机光电转换膜之间具备电 荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含规定的金属元素的功函数调整层，从而可有效地取出信号。 另一方面，在该功函数调整层与第二电极之间具有第一扩散抑制层，从而抑制金属元素向 第二电极侧扩散，能够稳定并维持上述功函数调整层的功能。因此，可使元件特性稳定化， 提商可罪性。

【专利附图】

【附图说明】
[0027] 图1是表示本公开的一个实施的方式的光电转换元件（像素）的概略结构的示意 图。
[0028] 图2是表示比较例1涉及的光电转换元件（像素）的结构的示意图。
[0029] 图3是表示图2所示的光电转换元件的能量带构造的示意图。
[0030] 图4是表示比较例2涉及的光电转换元件（像素）的结构的示意图。
[0031] 图5是表示图4所示的光电转换元件的能量带构造的示意图。
[0032] 图6是说明图4所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0033] 图7是说明图4所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0034] 图8是说明在比较例1、2的各元件中产生的暗电流的特性图。
[0035] 图9是表示比较例1、2的各元件中的电极的成膜时间与功函数的关系的特性图。
[0036] 图10A是表示使用喹吖啶酮的样品的结构的示意图。
[0037] 图10B是表示使用浴铜灵的样品的结构的示意图。
[0038] 图11A是图10A所示的样品的成膜时间（深度）与元素的存在比率。
[0039] 图11B是图10B所示的样品的成膜时间（深度）与元素的存在比率。
[0040] 图12是说明图1所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0041] 图13是说明图1所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0042] 图14是表示比较例3涉及的光电转换元件（像素）的结构的示意图。
[0043] 图15是表示图14所示的光电转换元件的能量带构造的示意图。
[0044] 图16是说明图14所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0045] 图17是说明图14所示的光电转换元件的作用的示意图。
[0046] 图18是表示变形例1涉及的光电转换元件（像素）的概略结构的示意图。
[0047] 图19是表示图18所示的光电转换元件的能量带构造的示意图。
[0048] 图20是表示变形例2涉及的光电转换元件（像素）的概略结构的示意图。
[0049] 图21是表示图20所示的光电转换元件的能量带构造的示意图。
[0050] 图22是固体摄像装置的功能框图。
[0051] 图23是应用例涉及的电子设备的功能框图。

【具体实施方式】
[0052] 以下，参照附图详细地说明本公开中的实施方式。此外，说明的顺序如下所述。
[0053] 1.实施方式（在有机光电转换膜与第二电极之间具有电荷阻挡层（功函数调整层 及扩散抑制层）的光电转换兀件的不例）
[0054] 2.变形例1 (电荷阻挡层的其他示例）
[0055] 3.变形例2 (电荷阻挡层的其他示例）
[0056] 4.固体摄像装置的整体结构例
[0057] 5·应用例（电子设备（摄像机）的示例）
[0058] 实施方式
[0059] 结构
[0060] 图1表示本公开的一个实施方式所涉及的光电转换元件（光电转换元件10)的结 构。光电转换元件10用作本公开的一个实施方式所涉及的固体摄像装置的像素。细节在 后文叙述，固体摄像装置是例如CCD (电荷耦合器件）或CMOS (互补金属氧化物半导体）图 像传感器等。光电转换元件10设于具有例如像素晶体管和布线的基板（未图示）上，被未 图示的密封膜及平坦化膜等覆盖。另外，在平坦化膜上配设例如未图示的片上透镜（才> 予V :/卜 > 文）。
[0061] 光电转换元件10是使用有机半导体吸收选择的波长的光（例如，R、G、B的任一个 色光）而产生电子-空穴对的有机光电转换元件。在后述的固体摄像装置中，这些R、G、B 各色光电转换元件10 (像素）二维地并排配置。或者，也可以是在一个像素内由有机半导 体构成的光电转换层以及由无机半导体构成的光电转换层沿纵向层压的结构。在本实施方 式中，参照图1对作为这种光电转换元件的主要部分结构进行说明。
[0062] 该光电转换兀件10在第一电极11和第二电极16之间具有有机光电转换膜12。 第一电极11及第二电极16用于取出在有机光电转换膜12中产生的信号电荷（正孔（空 穴）或者电子）。
[0063] 第一电极11例如由ΙΤ0(铟锡氧化物）等具有光透射性的透明导电膜构成。作 为透明导电膜，除此以外，也可使用氧化锡（T0)、添加有掺杂剂的氧化锡（Sn02)类材料， 或者也可使用在氧化锌（ZnO)中添加有掺杂剂的氧化锌类材料。作为氧化锌类材料，例如 可列举出添加铝（A1)作为掺杂剂的铝锌氧化物（ΑΖ0)，添加镓（Ga)的镓锌氧化物（GZ0)， 添加铟（In)的铟锌氧化物（ΙΖ0)。另外，除此以外，也可使用Cul、InSb0 4、ZnMgO、Culn02、 MgIN204、Cd0、ZnSn03等。在后述的作用说明及实施例中，假设该第一电极11由ITO(功函数： 约4. 7eV)构成，但作为第一电极11，除ΙΤ0以外，还可使用如上所述的各种透明导电膜。
[0064] 第二电极 16 例如由铝（A1)、铜（Cu)、镍（Ni)、铬（Cr)、钒（V)、钛（Ti)、锆（Zr)、铌 (Nb)、钥（Mo)、钌（Ru)、钯（Pd)、铪（Hf)、钽（Ta)、钨（W)、钼（Pt)及金（Au)等金属元素的 单体或合金构成。或者，该第二电极16也可具有光透射性。在该情况下，作为第二电极16 的构成材料，可列举出与作为上述第一电极11的构成材料而列举出的透明导电膜等同的 材料，第二电极16使用这些透明导电膜之中与上述第一电极11功函数不同的导电膜。在 后述的作用说明及实施例中，假设该第二电极16由铝（功函数：约4. 3eV)构成，但作为第 二电极16,除铝以外还可使用如上所述的各种电极材料。但第二电极16优选，作为负极起 作用时具有比第一电极11浅的功函数，在作为正极起作用时具有比第一电极11深的功函 数。
[0065] 此外，在光电转换元件10中，例如从第一电极11侧入射光，该入射光之中的规定 波长的光在有机光电转换膜12中被吸收。另外，在从第一电极11取出信号电荷时，在将光 电转换元件10用作像素的后述的固体摄像装置中，第一电极11对应于每一个像素而分离 设置，另一方面第二电极16作为对应于各像素的公共电极而设置。或者，在从第二电极16 取出信号电荷时，第二电极16对应于每一个像素而分离设置，第一电极11作为对应于各像 素的公共电极而设置。
[0066] 有机光电转换膜12由吸收选择的波段的光而产生电信号的有机半导体构成。作 为这种有机半导体，可列举出各种有机颜料，可列举出例如喹吖啶酮衍生物（包含喹吖啶 酮、二甲基喹吖啶酮、二乙基喹吖啶酮、二丁基喹吖啶酮、二氯喹吖啶酮等二卤喹吖啶酮的 喹吖啶酮类），酞菁衍生物（酞菁，SubPC，CuPC，ZnPC，H2PC，PbPC)。另外，除此以外，可列 举例如恶二唑衍生物（NDO, PBD)，芪衍生物（TPB)，茈衍生物（PTCDA，PTCDI，PTCBI，联芘 (Bipyrene))，四氰基对苯二醌二甲烷衍生物（TCNQ，F4-TCNQ)，及菲罗啉衍生物（菲咯啉， 蒽，红荧烯，二蒽酮）。但除此以外，例如也可使用萘衍生物，芘衍生物，及荧衍生物。或者， 也可使用苯撑乙炔> )、芴、咔唑、吲哚、芘、吡咯、甲基吡啶、噻吩、乙 炔、二乙炔等的聚合体或其衍生物。此外，可优选金属络合类色素、罗丹明类色素、花青类 色素、部花青类色素、苯基咕吨类色素、三苯甲烧类色素、若丹菁类色素、咕吨类色素、大环 状氮杂轮烯（ 7开' 7 3 类色素，奧类色素、萘醌、蒽醌类色素，蒽及芘等缩合多环芳香 族及芳香环以及杂环化合物缩合的链状化合物，或者，带有方酸基及克酮酸次甲酯（夂13 3 7^ ^ 基作为连接链的喹啉，苯并噻唑、苯并恶唑等两种含氮杂环，或，由方酸 基及克酮酸次甲酯基结合而成的类似花青系的色素等。此外，作为上述金属络合物色素，优 选铝络合物（Alq3, Balq)，二硫醇金属络合物类色素，金属酞菁色素，金属卟啉色素，或钌络 合物色素，但不限于此。另外，在有机光电转换膜12中，在如上所述的颜料以外，也可层压 富勒烯（C 6(I)、BCP(浴铜灵）等其他有机材料。在后述的作用说明及实施例中，假设该有机 光电转换膜12由喹吖啶酮构成，但作为有机光电转换膜12,除喹吖啶酮以外，也可使用如 上所述的各种有机半导体。此外，喹卩丫陡酮的最高占据分子轨道（HOMO :Highest Occupied Molecular Orbital)的能级约 5. 3eV，最低未占据分子空轨道（LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)的能级约为 3. 2eV。
[0067] 在该有机光电转换膜12和第二电极16之间设有电荷阻挡层15。电荷阻挡层15例 如从有机光电转换膜12 -侧开始依次具有功函数调整层13及扩散抑制层14A(第一扩散 抑制层）。该电荷阻挡层15至少具有通过功函数调整层13的功能抑制（阻挡）电荷（例 如空穴）从第二电极16向有机光电转换膜12移动的功能。
[0068] 功函数调整层13具有调整有机光电转换膜12的第二电极16侧的功函数的功能。 具体而言，功函数调整层13由具有比第二电极16浅的功函数（低功函数）的金属元素（无 机元素）的单体、或者包含这种金属元素的合金或化合物组成，以抑制电荷（例如正孔） 从第二电极16向有机光电转换膜12移动（注入）。作为这种金属元素，可列举出例如锂 (Li)、铍（Be)、钠（Na)、镁（Mg)、钾（K)、钙（Ca)、铷（Rb)、锶（Sr)、铯（Cs)或钡（Ba)。在后 述的作用说明及实施例中，假设该功函数调整层13使用锂作为金属元素，由铝和锂的合金 (称为"AlLi"）形成的情况，但作为金属元素，除了锂以外，可使用如上所述的各种金属元 素。此外，AlLi的功函数约为2. 8eV。
[0069] 扩散抑制层14A设于功函数调整层13和第二电极16之间，抑制功函数调整层13 所含有的金属元素（例如，锂）向第二电极16侧扩散。该扩散抑制层14A例如由不具有 氧元素（0)的有机分子（以下称为无氧有机分子）构成。作为无氧有机分子，可列举例如 菲罗啉衍生物、红荧烯衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、茈衍生物及四氰基对苯二醌二甲烷 (TCNQ)衍生物。扩散抑制层14A包含如上所述的无氧有机分子中的至少一种。在后述的作 用说明及实施例中，该扩散抑制层14A中假设浴铜灵（BCP)作为本公开的一个实施方式的 无氧有机分子，但作为扩散抑制层14A，除了该BCP以外，还可使用如上所述的各种有机分 子。此外，BCP的HOMO能级约为6. 2eV，LUMO能级约为2. 4eV。
[0070] 作用效果
[0071] 在本实施方式的光电转换元件10中，例如作为固体摄像装置的像素，采用如下的 方法取得信号电荷。即，例如从第一电极11的下方向光电转换兀件10入射光时，该入射光 之中的至少一部分在有机光电转换膜12中进行光电转换。具体而言，通过在有机光电转换 膜12中选择性地检测（吸收）规定的色光（红色光、绿色光或蓝色光），产生电子-空穴 对。从第一电极11侧取出产生的电子-空穴对中的例如电子，空穴被从第二电极16侧取 出。通过后述的垂直信号线Lsig读取这些电子及空穴中的一方，作为信号电荷，可取得摄 像数据。
[0072] 比较例1
[0073] 图2表示本实施方式的比较例（比较例1)涉及的光电转换元件的结构。在该光 电转换元件中，在由ΙΤ0构成的第一电极11上具有由喹吖啶酮（QD)构成的有机光电转换 膜12,以及由铝构成的第二电极16。图3表示比较例1涉及的光电转换元件的能量带构造。 在该比较例1的层压构造中，如图3所示，由于喹吖啶酮的HOMO能级（5. 3eV)与铝的功函 数（4. 3eV)之间的能量差小，因此因空穴移动而产生所谓的暗电流，难以进行有效的信号 取出。
[0074] 比较例2
[0075] 图4表示本实施方式的比较例（比较例2)涉及的光电转换元件的结构。在该光 电转换元件中，与上述比较例1同样，在由ΙΤ0构成的第一电极11和由铝构成的第二电极 16之间，设有由喹吖啶酮（QD)构成的有机光电转换膜12。但在比较例2中，在有机光电转 换膜12与第二电极16之间具有由AlLi构成的功函数调整层13。在图5中示出比较例2 涉及的光电转换元件的能量带构造。这样，在比较例2的层压构造中，在有机光电转换膜12 和第二电极16之间,通过设置比第二电极16低功函数的AlLi (功函数：2. 8eV)作为功函数 调整层13,形成能量带构造中的障壁，从而期待能抑制向有机光电转换膜12的空穴移动。 [0076] 然而，实际上，如图6示意性所示，产生功函数调整层13所含有的金属元素 (锂）13a随着时间经过而扩散至第二电极16侧，并出现在第二电极16的表面的现象。此 夕卜，一部分金属元素13a还扩散到有机光电转换膜12侧。因此，如图7所示，实际的能量 带构造中，有机光电转换膜12的第二电极16侧的功函数接近铝单体的功函数（或者达到 相同程度），容易随空穴移动而产生暗电流。由此，难以构筑在上述图5中示出的理想的能 量带构造而实现期望的信号取出效率。
[0077] 此处，图8示出比较例1、2的元件构造中的暗电流的测定结果。可知，在非曝光时， 与在有机光电转换膜12上仅设置第二电极16 (A1)的比较例1相比，还设有功函数调整层 13(AlLi)的比较例2的一方，暗电流得到抑制。另外，在图9示出分别将A1膜及AlLi膜成 膜为20nm时的各膜的深度（厚度）和功函数的关系。此外，深度0相当于各膜的最表面， 利用从该最表面以一定速度向深度方向切削的溅射法，测定表面的元素浓度。结果可知，在 不含锂的A1膜中在深度方向上功函数没有产生大的变动，而在AlLi膜中最表面的功函数 低且随着深度加深而功函数上升。在该AlLi膜中测定锂浓度时，从最表面到2?3nm左 右的区域（图9中的A)中锂浓度高，但与最表面的锂浓度为30重量％相对，离最表面2nm 的深度处锂浓度变为3重量％，与最表面相比减少到1/10左右。这样，可知随着深度增大 而锂浓度减少，作为其理由之一，可列举出AlLi膜中的锂元素被大气中的氧（02)吸引而扩 散。从这些结果可知，AlLi膜中的锂元素被氧吸引而扩散，因该扩散产生的锂浓度的变化 影响功函数的变动。此外，可认为图中的B由铝内的碳的影响而产生。
[0078] 因此，使用如下的样品（样品sl、s2)，对上述的锂偏析进行解析。如图10A所示， 样品si是在氧化硅基板（SiO :150nm)上以QD膜（5nm)、AlLi膜（100nm)及A1膜（50nm) 的顺序成膜。如图10B所示，样品s2是取代样品si中的QD膜而形成BCP膜（5nm)。此处， 样品si的QD是含有氧元素的有机分子（以下，称为含氧有机分子），例如由以下的式（1) 表达。另一方面，样品s2的BCP是无氧有机分子，例如由下式（2)表达。
[0079] 化学式1
[0080]

【权利要求】
1. 一种光电转换元件，其特征在于， 具备： 有机光电转换膜； 第一电极及第二电极，夹着所述有机光电转换膜而设置；以及 电荷阻挡层，设于所述第二电极与所述有机光电转换膜之间， 所述电荷阻挡层具有： 功函数调整层，包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元 素；以及 第一扩散抑制层，设于所述功函数调整层与所述第二电极之间、抑制所述金属元素向 所述第二电极侧扩散。
2. 根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于， 所述第一扩散抑制层由不包含氧元素（〇)的无氧有机分子构成。
3. 根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于， 所述电荷阻挡层还具有第二扩散抑制层，所述第二扩散抑制层位于所述功函数调整层 的所述有机光电转换膜侧，由不含有氧元素（〇)的无氧有机分子构成。
4. 根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于， 所述电荷阻挡层还具有第三扩散抑制层，所述第三扩散抑制层位于所述功函数调整层 和所述第一扩散抑制层之间，由含有氧元素（〇)的含氧有机分子构成。
5. 根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于， 所述第一电极是具有光透射性的导电膜。
6. 根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于， 所述第二电极包含铝（A1)、铜（Cu)、镍（Ni)、铬（Cr)、钒（V)、钛（Ti)、锆（Zr)、铌（Nb)、 钥（Mo)、钌（Ru)、钯（Pd)、铪（Hf)、钽（Ta)、钨（W)、钼（Pt)及金（Au)中的至少一种。
7. 根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于， 所述第二电极是具有光透射性且功函数与所述第一电极不同的导电膜。
8. 根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于， 所述金属元素是锂（Li)、铍（Be)、钠（Na)、镁（Mg)、钾（K)、钙（Ca)、铷（Rb)、锶（Sr)、 铯（Cs)或钡（Ba)。
9. 一种固体摄像装置，其特征在于， 具有各自包含光电转换元件的多个像素， 所述光电转换元件具备： 有机光电转换膜； 第一电极及第二电极，夹着所述有机光电转换膜而设置；以及 电荷阻挡层，设于所述第二电极和所述有机光电转换膜之间， 所述电荷阻挡层具有： 功函数调整层，包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元 素；以及 第一扩散抑制层，设于所述功函数调整层和所述第二电极之间、抑制所述金属元素向 所述第二电极侧扩散。
10. 根据权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于， 所述电荷阻挡层还具有第二扩散抑制层，所述第二扩散抑制层位于所述功函数调整层 的所述有机光电转换膜侧，由不含有氧元素（〇)的无氧有机分子构成。
11. 一种电子设备，其特征在于， 具备固体摄像装置， 所述固体摄像装置具有各自包含光电转换元件的多个像素， 所述光电转换元件具备： 有机光电转换膜； 第一电极及第二电极，夹着所述有机光电转换膜而设置；以及电荷阻挡层，设于所述第 二电极和所述有机光电转换膜之间，所述电荷阻挡层具有： 功函数调整层，包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元 素；以及 第一扩散抑制层，设于所述功函数调整层和所述第二电极之间、抑制所述金属元素向 所述第二电极侧扩散。
【文档编号】H01L27/30GK203839382SQ201320680767
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年10月30日 优先权日:2012年11月6日
【发明者】宇高融, 榎修, 村田昌树, 森本类, 新井龙志 申请人:索尼公司