大功率管的温度采样结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及大功率管的温度采样结构，由铜散热片（1）、管脚（4）、半导体芯片（5）构成，其铜散热片（1）前端设置三个管脚（4），铜散热片（1）顶上设置一形状不规则半导体芯片（5），半导体芯片（5）中心处设置一功率管安装孔（3），铜散热片（1）后端两角上均设置一圆形温度传感器粘合面（2）,本实用新型的有益效果为：结构简单，操作方便，测量温度更加的精准，使得产品的应用领域更为广泛。
【专利说明】大功率管的温度采样结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种结构简单，方便应用的大功率管散热片直接温度采样的结构。
【背景技术】
[0002]一般大功率管(三极管、MOS管、IGBT等等)都有其最大的允许工作温度，即功率管集电结温度。若超过此温度，管子就会损坏，因此在应用当中需对其进行温度保护，即当检测到温度超过功率管安全温度时，立即减少或关断功率管输出电流，降低管子功耗。
[0003]一般检测的方法是在功率管安装的风冷散热器上选取温度最高点，贴上相应温度传感器，这种方法温度检测点的温度与功率管内部的集电结温度有较大的温差，一般20°C以上，温度的上升率也较集电结实际温度低。
实用新型内容
[0004]本实用新型是为了解决目前大功率管中集电结温度难以测量的问题，提供了一种能够精确测量大功率管集电结温度的结构。
[0005]本实用新型的主要特点在于:由铜散热片、管脚、半导体芯片构成，其铜散热片前端设置三个管脚，铜散热片顶上设置半导体芯片，半导体芯片中心处设置一功率管安装孔，铜散热片后端两角上均设置一圆形温度传感器粘合面。
[0006]本实用新型的有益效果为:结构简单，操作方便，测量温度更加的精准，使得产品的应用领域更为广泛。
[0007]【专利附图】
【附图说明】:
[0008]图1为本实用新型产品结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面在【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明
[0010]参见图1所示，大功率管，由铜散热片1、管脚4、半导体芯片5构成，其铜散热片I前端设置三个管脚4，铜散热片I顶上设置半导体芯片5，半导体芯片5中心处设置一功率管安装孔3，铜散热片I后端两角上均设置一圆形温度传感器粘合面2。
[0011]为此我们采用功率管散热片直接温度测量方式，即将功率管的半导体芯片非内部硅芯位置的塑封磨去，露出铜散热片1，再把温度传感器贴在圆形温度传感器粘合面2上面。
[0012]大功率管的半导体芯片制作工艺一般是通过光刻，半导体材料的扩散和渗透技术，在娃片上形成娃芯，再把娃片安装在散热片上，一般功率管内部娃芯位于安装孔3与管脚4之间，因此磨去部分不超过安装孔3，是不影响大功率管的电气功能，以IGBT管FGL40N120AN工作在40A状态下为例，常规采样方式与芯片散热器采样方式对比，管脚温度上升率为25 °C /分钟和18 °C /分钟。
【权利要求】
1.大功率管的温度采样结构，由铜散热片(I)、管脚(4)、半导体芯片(5)构成，其铜散热片(I)前端设置三个管脚(4)，铜散热片(I)顶上设置一半导体芯片(5)，半导体芯片(5)中心处设置一功率管安装孔(3)，其特征在于:铜散热片(I)后端两角上均设置一圆形温度传感器粘合面(2)。
【文档编号】H01L23/34GK203631530SQ201320831196
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月17日 优先权日:2013年12月17日
【发明者】袁忠杰, 肖春 申请人:安徽易特流焊割发展有限公司