Led驱动电路的制作方法
【专利摘要】提供一种在对LED列施加全波整流波形使其发光之时，通过追加简单的电路使得在全波整流波形的低电压相位的发光亮度变大的LED驱动电路。LED驱动电路的特征在于，具有：整流电路，所述整流电路输出全波整流波形电压；主发光LED列，所述主发光LED列包含有串联连接了多个LED的第1部分LED列以及串联连接了多个LED的第2部分LED列；串联连接了多个LED的辅助发光LED列；旁路电路，所述旁路电路连接于第1部分LED列和第2LED列的连接部分，用于使来自第1部分LED的电流返回至整流电路；以及电流限制电路，所述电流限制电路对流过辅助发光LED列的电流进行限制，主发光LED列和所述辅助发光LED列相对于整流电路被并联连接，旁路电路根据流过主发光LED列的电流，将通过旁路电路的电流断开，且将流过辅助发光LED列的电流断开。
【专利说明】LED驱动电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种LED驱动电路，尤其涉及具有串联连接多个LED (发光二极管)的LED列作为光源的驱动电路。
【背景技术】
[0002]已知有将从商用交流电源得到的全波整流波形直接施加到LED列，并使LED点亮的LED驱动电路。LED列是多个LED列串联连接的，并被构成为可以耐高电压。与从商用交流电源产生一定电压、使LED点亮的其他方式的LED驱动电路相比，所述LED驱动电路具有电路结构简单且小型化的特征。
[0003]然而，仅对LED列施加全波整流波形的话，则产生仅在全波整流波形超过LED列所具有的阈值的期间LED点亮的情况。例如，在LED的正向电压Vf为3V，且使用40个LED串联连接的LED列的情况下，LED列的阈值为120V。商用交流电源的有效值为100V时，采用所述LED驱动电路的话，仅在全波整流波形超过120V的较短期间内LED点亮。因此，采用所述LED驱动电路的话，不仅变暗或明显闪动，而且功率因数、失真系数也变差。
[0004]对此，作为延长点亮期间的手法，已知有如下方法:将LED列分割为多个部分LED列，在全波整流波形的电压值低的相位下，仅点亮一部分的部分LED列，随着电压值变高，增加点亮的部分LED列的数量(参照专利文献I)。
[0005]图4是示出LED驱动电路的一例的电路图，是不脱离专利文献I的图26的宗旨地重新画的图。此时，将电流限制电阻置换为电流限制电路。因此，请注意以下这一点:图4所示的LED驱动电路是为了例示而利用的LED驱动电路，不是照原样示出公知的LED驱动电路。
[0006]在图4的实例中，在各部分LED列的连接点连接了旁路电路，该旁路电路在全波整流波形的低电压相位下接通(导通)、在高电压相位下断开(非导通)。旁路电路根据全波整流波形的电压值又或流过LED列的电流值进行接通-断开控制。
[0007]图4所示的LED驱动电路400包括:二极管电桥电路405、部分LED列410和430、旁路电路420、以及电流限制电阻433。商用电源406与二极管电桥电路405的输入端子连接。
[0008]二极管电桥电路405由4个二极管401、402、403、以及404构成，端子A是全波整流波形的输出端子，端子B是赋予基准电压的端子。在部分LED列410内，含有LED411、412的多个LED串联连接。同样地，在部分LED列430内，包括LED431、432的多个LED串联连接。旁路电路420具有:上拉电阻421、电流检测电阻424、场效应晶体管422 (以下称为FET)、双极晶体管423 (以下称为晶体管)、第I电流输入端子427、第2电流输入端子428、以及电流输出端子429。电流限制电路440也与旁路电路420同样地具有上拉电阻441、电流检测电阻444、FET442、晶体管443、电流输入端子447、以及电流输出端子449。另外，FET422、442是增强型的η型MOS-FET。
[0009]图5的(a)是示出全波整流波形的波形图，图5的(b)是示出LED驱动电路400的电路电流I的波形图。另外，图5的(a)以及图5的(b)中的时间轴一致。
[0010]在图5中，在期间tl中，由于全波整流波形的电压值未达到部分LED列410的阈值，所以电路电流I不流动。
[0011]在期间t2中，全波整流波形的电压值超过了部分LED列410的阈值，但还没有达到部分LED列410的阈值与部分LED列430的阈值的和。此时，电路电流I通过旁路电路420而返回桥式整流电路405。另外，在期间t2中，进行反馈以使得晶体管423的基极-射极间电压维持0.6V，旁路电路420进行恒流动作。另外，严格来说，在期间t2的最后的较短期间，全波整流的电压值变得比部分LED列410的阈值与部分LED列430的阈值的和稍大，电流通过部分LED列430从电流输入端子428输入。
[0012]在期间t3中，全波整流波形的电压值变得比部分LED列410的阈值与部分LED列430的阈值的和大，电流通过部分LED列430输入到电流输入端子428。此时，晶体管423饱和，FET422的栅极电压变为基准电压(端子B的电压)，FET422截止。其结果，从旁路电路420的电流输入端子427输入的电流剧减。又，在电流限制电路440中，进行反馈以使得晶体管443的基极-射极间电压维持0.6V，从而进行恒流动作。另外，在全波整流波形的电压值下降的期间中，是沿着全波整流波形的电压值上升的期间的逆过程。
[0013]现有技术文献
[0014]专利文献
[0015]专利文献1W02011/020007号公报
【发明内容】
[0016]但是，在图4所示的LED驱动电路400中，与全波整流波形处于高电压相位的期间t3 (参照图5)相比，位于低电压相位的期间t2 (参照图5)中的电流小，点亮的LED (LED111、112等)的数量少，因此明显变暗。进一步地，由于LED没有点亮的期间tl(参照图5)以及低电压相位的期间t2的比例较大，移动间歇现象(?一； 3)(零星看到高速移动的物体的现象)明显。
[0017]本发明的目的在于提供一种通过追加简单的电路使得在全波整流波形的低电压相位的发光亮度变大的LED驱动电路。
[0018]LED驱动电路的特征在于，具有:整流电路，所述整流电路输出全波整流波形电压；主发光LED列，所述主发光LED列包含有串联连接了多个LED的第I部分LED列以及串联连接了多个LED的第2部分LED列；串联连接了多个LED的辅助发光LED列；旁路电路，所述旁路电路连接于第I部分LED列和第2LED列的连接部分，用于使来自第I部分LED的电流返回至整流电路；以及电流限制电路，所述电流限制电路对流过辅助发光LED列的电流进行限制，主发光LED列和辅助发光LED列相对于整流电路被并联连接，旁路电路根据流过主发光LED列的电流，将通过旁路电路的电流断开，且将流过辅助发光LED列的电流断开。
[0019]在LED驱动电路中，旁路电路优选进行控制，以使得辅助发光LED列在全波整流波形电压的低电压相位导通，在全波整流波形电压的高电压相位断开。
[0020]LED驱动电路由全波整流波形电压驱动，其具有:主发光LED列，所述主发光LED列包含有串联连接了多个LED的第I部分LED列以及串联连接了多个LED的第2部分LED列；串联连接了多个LED的辅助发光LED列；旁路电路，所述旁路电路包含第I电流输入端子、第2电流输入端子和第I场效应型晶体管，第I电流输入端子连接于第I部分LED列和第2部分LED列的连接部，第I场效应型晶体管利用从第2电流输入端子流入的电流对从第I电流输入端子流入的电流进行限制；以及辅助发光电路，所述辅助发光电路包含第2场效应型晶体管，用于使辅助发光LED列发光，第I场效应型晶体管的栅极电压与第2场效应型晶体管的栅极电压被设定为相同电位。
[0021]旁路电路所包含的第I场效应型晶体管根据从旁路电路的第2电流输入端子流入的电流进行从第I电流输入端子流入的电流的导通-断开控制。由于在全波整流波形的低电压相位，没有从第2电流输入端子流入的电流或者只有一点点，所以第I场效应型晶体管导通，电流从第I电流输入端子输入。另一方面，由于在全波整流波形的高电压相位，从第2电流输入端子流入的电流增加，所以第I场效应型晶体管截止，从第I电流输入端子流入的电流就没有了。由于辅助发光电路所包含的第2场效应型晶体管的栅极电压与第I电场效应晶体管的栅极电压相等，所以在全波整流波形的低电压相位导通，在高电压相位断开。其结果，辅助发光电路所包含的辅助发光LED列在全波整流波形的低电压相位发光。
[0022]在LED驱动电路中，优选为辅助发光LED列的阳极与第I部分LED列的阳极连接，辅助发光LED列的阴极与第2场效应型晶体管的漏极连接。
[0023]在LED驱动电路中，优选为第I场效应型晶体管以及第2场效应型晶体管为增强型。
[0024]在LED驱动电路中，优选为，旁路电路还包含电流输出端子、双极晶体管、上拉电阻、以及电流检测电阻，上拉电阻的一端和第I场效应型晶体管的漏极连接于第I电流输入端子，第I场效应型晶体管的栅极和双极晶体管的集电极连接于上拉电阻的另一端，第I场效应型晶体管的源极、双极晶体管的基极和电流检测电阻的一端连接于第2电流输入端子，所述双极晶体管的发射极和电流检测电阻的另一端连接于电流输出端子。
[0025]在LED驱动电路中，优选为第I以及第2场效应型晶体管为耗尽型。
[0026]在LED驱动电路中，优选为，旁路电路还包括电流输出端子以及电流检测电阻，第I场效应型晶体管的漏极连接于第I电流输入端子，第I场效应型晶体管的源极和电流检测电阻的一端连接于第2电流输入端子，第I场效应型晶体管的栅极和电流检测电阻的另一端连接于电流输出端子。
[0027]在LED驱动电路中，由于辅助发光电路所包含的第2场效应型晶体管的栅极电压与旁路电路所包含的第I场效应型晶体管的栅极电压相等，所以不需要特别地准备第2场效应型晶体管的栅极电压，可以使应追加的电路简单化。进一步地，在LED驱动电路中，利用辅助发光电路的发光来增强全波整流波形的低电压相位的发光。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1是LED驱动电路100的电路结构图。
[0029]图2的(a)是示出全波整流波形的波形图，(b)是示出LED驱动电路100的电路电流I的波形图。
[0030]图3是其他的LED驱动电路300的电路结构图。
[0031]图4是示出LED驱动电路的一例的电路图，是不脱离专利文献I的图26的宗旨地重新画的图
[0032]图5的(a)示出全波整流波形的波形图，(b)是示出LED驱动电路400的电路电流I的波形图。
【具体实施方式】
[0033]以下，参照附图对LED驱动电路进行说明。只是需要注意的是:本发明的技术范围并不被限定于这些实施方式，涉及到权利要求记载的发明及其等同发明。另外，在对附图的说明中，对同一或相当的要素都赋予同一符号，省略重复的说明。
[0034]图1是LED驱动电路100的电路结构图。
[0035]LED驱动电路100具有桥式整流电路105、部分LED列110以及130、旁路电路120、电流限制电路140、以及辅助发光电路160。商用交流电源106与桥式整流电路105的输入端子连接。
[0036]桥式整流电路105由4个二极管101、102、103、以及104构成，端子A是全波整流波形的输出端子，端子B是赋予基准电压的端子。包含于LED驱动电路100的LED列具有主发光LED列以及辅助发光LED列这两个LED列。主发光LED列由部分LED列110 (第I部分LED列)和部分LED列130 (第2部分LED列)构成。辅助发光LED列表示后述的辅助发光电路160所包含的辅助发光LED列150。在主发光LED列中，部分LED列110和部分LED列130串联连接。在部分LED列110内，含有LED111、112的多个LED串联连接。同样地，在部分LED列130内，含有LED131U32的多个LED串联连接。部分LED列110的阳极与桥式整流电路105的A端子连接。部分LED列110、130的连接部与旁路电路120的电流输入端子127(第I电流输入端子)连接。部分LED列130的阴极与电流限制电路140的电流输入端子147连接。
[0037]旁路电路120包括:电流输入端子127(第I电流输入端子)、电流输入端子128(第2电流输入端子)、和电流输出端子129。电流输入端子128与电流限制电路140的电流输出端子149连接。电流输出端子129与桥式整流电路105的B端子连接。旁路电路120构成为通过从电流输入端子128流入的电流来限制从电流输入端子127流入的电流。
[0038]旁路电路120由上拉电阻121、电流检测电阻124、场效应型晶体管122(第I场效应型晶体管)、以及双极晶体管123 (以下称为晶体管)构成。上拉电阻121的一端和FET122的漏极连接于电流输入端子127。FET122的栅极和晶体管123的集电极连接于上拉电阻121的另一端。FET122的源极、晶体管123的基极、以及电流检测电阻124的一端连接于电流输入端子128。晶体管123的发射极和电流检测电阻124的另一端连接于电流输出端子129。
[0039]电流限制电路140与旁路电路120相比较，不同点仅在于没有第2电流输入端子(相当于旁路电路120的电流输入端子128)。在电流限制电路14中，上拉电阻141、电流检测电阻144、FET142、以及晶体管143的连接也与旁路电路120等同。另外，电流检测电阻144将电阻值设定得比电流检测电阻124的电阻值小。
[0040]辅助发光电路160由辅助发光LED列150、FET162、以及电阻164构成。辅助发光LED150列是包含LED151、15 2的多个LED串联连接而成，阳极与部分LED列110的阳极连接，阴极与FET162的漏极连接。另外，为了使阈值一致，设定为辅助发光LED列150的串联段数和部分LED列110的串联段数相等。FET162的栅极与旁路电路120所包含的FET122的栅极连接，FET162的源极与电阻164的一端连接。电阻164的另一端与桥式整流电路105的B端子连接。
[0041]另外，FET122、142、以及162是增强型的η型M0S-FET。
[0042]图2的(a)是示出全波整流波形的波形图，图2的(b)是示出LED驱动电路100的电路电流J的波形图。电路电流J是指从桥式整流电路105的A端子向部分LED列110侧流出的电流。另外，图2的(a)和图2的(b)的时间轴一致。
[0043]在图2中，在期间tl，全波整流波形的电压值没有达到部分LED列110以及辅助发光LED列150的阈值，所以电路电流J不流动。
[0044]在期间t2中，全波整流波形的电压值超过了部分LED列110以及辅助发光LED列150的阈值，但没有达到部分LED列110的阈值和部分LED列130的阈值的和。此时，电路电流J的一部通过旁路电路120返回至桥式整流电路105。在期间t2中，进行反馈以使得晶体管123的基极-发射极间电压维持0.6V，旁路电路120进行恒流动作。同时，电路电流J的剩余部分经过辅助发光LED列150、FET162而返回至桥式整流电路105。由于FET122进行恒流动作，所以FET162也进行恒流动作。在辅助发光LED列150中流动的电流通过调整FET162的晶粒尺寸和电阻164来决定。
[0045]这样，期间t2中的电路电流J是流经部分LED列110的电流和流经辅助发光LED列150的电流的合计，如图2的(b)所示那样变为大的值。例如，设部分LED列110以及辅助发光LED列150中的LED的段数相同，FET122以及FET162的晶粒尺寸以及电阻124以及电阻164的值相同的话，则大致相同的电流流经部分LED列110和辅助发光LED列150。即，在期间t2中，在部分LED列110中流动的电流的大致2倍的电流流过。
[0046]在期间t3中，全波整流波形的电压值大于部分LED列110的阈值和部分LED列130的阈值的和，电流通过部分LED列130而输入至电流输入端子128。此时，晶体管123饱和，FET122的栅极电压成为基准电压(端子B的电压)，FET122截止。同时，FET162也截止。其结果，电路电流J变为仅是流经部分LED列110以及部分LED列130的电流。另夕卜，电路电流J被电流限制电路140恒流化。
[0047]在全波整流波形的电压值下降期间，沿着全波整流波形的电压值上升的期间的逆过程。又，在LED驱动电路100中，在全波整流波形的低电压相位(期间t2)流动的电路电流J被设定为大于在全波整流波形的高电压相位(期间t3)流动的电路电流J。
[0048]在LED驱动电路100中，如上所述，主发光LED列和辅助发光LED列150与整流电路105并联连接，在期间t2中，仅仅与整流电路105并联连接的部分LED列110和辅助发光LED列150发光。在期间t3中，旁路电路120将经由旁路电路120返回至整流电路105的电流断开，且对辅助发光电路160进行控制以将流经辅助发光LED列150的电流断开。其结果，在期间t3，仅仅与整流电路105串联连接的部分LED列110以及部分LED列130发光。这样，LED驱动电路100在全波整流波形电压的低电压相位使与整流电路105并联连接的两个LED列发光，在全波整流波形电压的高电压相位使与整流电路105串联连接的两个LED列发光。另外，上述的结构在后述的LED驱动电路300中也是同样的。
[0049]图3是其他的LED驱动电路300的电路结构图。
[0050]图1所示的旁路电路120以及电流限制电路140使用的是增强型的FET122、142，但使用耗尽型的FET的话，能够实现同等的功能且能够使旁路电路以及电流限制电路简单化。因此，在图3中，示出了使用耗尽型的FET的LED驱动电路300。
[0051]LED驱动电路300由桥式整流电路105、部分LED列110以及130、旁路电路320、电流限制电路340、以及辅助发光电路360构成。桥式整流电路105、部分LED列110以及130与图1所示的LED驱动电路100相同，商用交流电源106与桥式整流电路105的输入端子连接。
[0052]LED驱动电路300所包含的LED列是主发光LED列以及辅助发光LED列这两个LED列。主发光LED列由部分LED列110 (第I部分LED列)和部分LED列130 (第2部分LED列)构成。辅助发光LED列是指后述的辅助发光电路360所包含的辅助发光LED列350。部分LED列110的阳极与桥式整流电路105的A端子连接，部分LED列110以及部分LED列130的连接部与旁路电路320的电流输入端子327(第I电流输入端子)连接，部分LED列130的阴极与电流限制电路340的电流输入端子347连接。
[0053]旁路电路320具有电流输入端子327 (第I电流输入端子)、电流输入端子328 (第2电流输入端子)、和电流输出端子329。电流输入端子328与电流限制电路340的电流输出端子349连接。电流输出端子329与桥式整流电路105的B端子连接。旁路电路320构成为，通过从电流输入端子328流入的电流来限制从电流输入端子327流入的电流。
[0054]旁路电路320由场效应型晶体管322(第I场效应型晶体管)以及电流检测电阻324构成。FET322的漏极与电流输入端子327连接。FET322的源极和电流检测电阻324的一端与电流输入端子328连接。FET322的栅极和电流检测电阻324的另一端与电流输出端子329连接。
[0055]电流限制电路340具有与旁路电路320大致相同的电路结构，其不同点仅在于没有第2电流输入端子(相当于旁路电路320的电流输入端子328的构件)。FET342、电流检测电阻344的连接也与旁路电路320等同。另外，电流检测电阻344的电阻值小于电流检测电阻324的电阻值。
[0056]FET322以及342是耗尽型的η型M0S-FET。耗尽型的FET的漏极电流Id具有负的阈值，如果不将栅极电压Vg降低得比源极电压Vs足够低，则FET不截止。但是，由于漏极电流Id具有负的阈值，所以具有从图1所示的旁路电路120去除了电阻121以及晶体管123的结构的旁路电路320可以进行与旁路电路120同样的恒流动作。例如，在旁路电路320中，FET322的漏极电流Id变大的话，则电阻324的电压下降变大，其结果，流经FET322的源极-漏极间的电流变少。相反，在旁路电路320中，FET322的漏极电流Id变少的话，则电阻324的电压下降变小，其结果，流经FET322的源极-漏极间的电流变多。即，漏极电流Id和流经源极-漏极间的电流形成负反馈回路。相对于此，采用增强型FET的话，由于漏极电流Id具有正的阈值，所以为了形成上述那样的负反馈回路，不得不利用晶体管。
[0057]辅助发光电路360由辅助发光LED列350、FET362、PNP型的晶体管363、以及运算放大器364构成。另外，FET362是耗尽型的η型MOS-FET。辅助发光LED列350是含有LED35U352的多个LED串联连接而成的构件。辅助发光LED列350的阳极与部分LED列110的阳极连接，辅助发光LED列350的阴极与FET362的漏极连接。另外，为了使得阈值一致，设定为辅助发光LED列350的LED串联段数和部分LED列110的LED串联段数相等。FET362的栅极与旁路电路320所包含的FET322的栅极连接，FET362的源极与晶体管363的发射极以及运算放大器364的负输入端子连接。运算放大器364的输出端子与晶体管363的基极连接，晶体管363的集电极与桥式整流电路105的B端子连接。
[0058]接下来，采用图2对LED驱动电路300的动作进行说明。另外，LED电路300中的波形图也与图2的(a)以及图2的(b)相同。又，LED驱动电路300中的电路电流J也同样地是指从桥式整流电路105的A端子流出到部分LED列110侧的电流。
[0059]在期间tl，由于全波整流波形的电压值没有达到部分LED列110以及辅助发光LED列350的阈值，所以电路电流J不流动。
[0060]在期间t2，全波整流波形的电压值虽然超过了部分LED列110以及辅助发光LED列350的阈值，但没有达到部分LED列110的阈值与部分LED列130的阈值的和。此时，电路电流J的一部通过旁路电路320返回至桥式整流电路105。在期间t2，从电流检测电阻324向FET322的源极进行反馈，旁路电路320进行恒流动作。同时，电路电流J的剩余部分经由辅助发光LED列350、FET362返回至桥式整流电路105。由于FET322进行恒流动作，所以FET362也进行恒流动作。
[0061]插入运算放大器364和晶体管363，以使得FET322的源极电压与FET362的源极电压相等。另外，运算放大器364的电流供给能力大的话，可以省略晶体管363。在辅助发光LED列350中流动的电流通过调整FET362的晶粒尺寸来决定。这样，在期间t2的电路电流J是流经部分LED列110的电流和流经辅助发光LED列350的电流的合计，如图所示那样变为大的值。
[0062]在期间t3，全波整流波形的电压值大于部分LED列110的阈值与部分LED列130的阈值的和，电流通过部分LED列130输入电流输入端子328。此时，FET322的源极电压上升，源极-栅极间的电压扩大，所以FET322截止。同时，FET362也截止。其结果，电路电流J仅变为流经部分LED列110以及部分LED列130的电流。另外，电路电流J被电流限制电路340恒流化。
[0063]在全波整流波形的电压值下降的期间，是沿着全波整流波形的电压值上升的期间的逆过程。又，在LED驱动电路300中，在全波整流波形的低电压相位(期间t2)流动的电路电流被设定得比在全波整流波形的高电压相位(期间t3)流动的电路电流大。
[0064]在LED驱动电路100以及LED驱动电路300中，采用了电流限制电路140或者电流限制电路340，但也可以采用电流限制电阻或恒流二极管来替代电流限制电路。另外，与电流限制电阻相比，使用恒流电路的话，具有即使在商用交流电源的振幅不稳定的情况下也能够确保比较稳定的动作这样的更进一步的优点。
[0065]在LED驱动电路100以及LED驱动电路300中，包含于主发光LED列的部分LED列为2个(部分LED列110、130)，但旁路电路120,320和电流限制电路140,340除了电流输入端子128、328(第2电流输入端子)之外是相同的结构。因此，在为LED驱动电路100的情况下，能够将由部分LED列110和旁路电路120构成的单元块级联状地连接并使其多级化。在该情况下，将旁路电路120连接于各部分LED列的连接部，相邻的旁路电路120彼此连接电流输入端子128(第2电流输入端子)和电流输出端子129。级联连接并多级化的话，容易达到亮度的提高和失真率的改善。在该情况下，包含于各个单元块的电流限制电阻需要设为从桥式整流电路105侧渐渐变小的电阻值。另外，在LED驱动电路300中，也能够同样地将单元块多级化。
[0066]符号说明
[0067]100,300 LED 驱动电路
[0068]101、102、103、104 二极管
[0069]105桥式整流电路
[0070]106商用交流电源
[0071 ]110部分LED列(第I部分LED列)
[0072]111、112、131、132、151、152、351、352 LED
[0073]120、320 旁路电路
[0074]121、141 上拉电阻
[0075]122FET (增强型第I场效应型晶体管)
[0076]123、143晶体管(双极晶体管)
[0077]124、144、324、344 电流检测电阻
[0078]127、327电流输入端子(第I电流输入端子)
[0079]128、328电流输入端子(第2电流输入端子)
[0080]129、329电流输出端子
[0081 ]130部分LED列(第2部分LED列)
[0082]142 FET (增强型场效应型晶体管)
[0083]150,350 辅助发光 LED 列
[0084]160,360辅助发光电路
[0085]162 FET (增强型第2场效应型晶体管)
[0086]164 电阻
[0087]322 FET (耗尽型第I场效应型晶体管)
[0088]342 FET (耗尽型场效应型晶体管)
[0089]362 FET (耗尽型第2场效应型晶体管)
[0090]363晶体管(PNP型双极晶体管)
[0091]364运算放大器。
【权利要求】
1.一种LED驱动电路，其特征在于，具有: 整流电路，所述整流电路输出全波整流波形电压； 主发光LED列，所述主发光LED列包含有串联连接了多个LED的第I部分LED列以及串联连接了多个LED的第2部分LED列； 串联连接了多个LED的辅助发光LED列； 旁路电路，所述旁路电路连接于所述第I部分LED列和所述第2LED列的连接部分，用于使来自所述第I部分LED的电流返回至所述整流电路；以及 电流限制电路，所述电流限制电路对流过所述辅助发光LED列的电流进行限制， 所述主发光LED列和所述辅助发光LED列相对于所述整流电路被并联连接， 所述旁路电路根据流过所述主发光LED列的电流，将通过所述旁路电路的电流断开，且将流过所述辅助发光LED列的电流断开。
2.如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述旁路电路进行控制，以使得所述辅助发光LED列在全波整流波形电压的低电压相位导通，在全波整流波形电压的高电压相位断开。
3.如权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述旁路电路包含第I电流输入端子、第2电流输入端子和第I场效应型晶体管，所述第I电流输入端子连接于所述第I部分LED列和所述第2部分LED列的连接部，所述第I场效应型晶体管利用从所述第2电流输入端子流入的电流对从所述第I电流输入端子流入的电流进行限制， 所述电流限制电路包含第2场效应型晶体管， 所述第I场效应型晶体管的栅极电压与所述第2场效应型晶体管的栅极电压被设定为相同电位。
4.如权利要求3所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述辅助发光LED列的阳极与所述第I部分LED列的阳极连接，所述辅助发光LED列的阴极与所述第2场效应型晶体管的漏极连接。
5.如权利要求3或4所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述第I场效应型晶体管以及第2场效应型晶体管为增强型。
6.如权利要求5所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述旁路电路还包含电流输出端子、双极晶体管、上拉电阻、以及电流检测电阻，所述上拉电阻的一端和所述第I场效应型晶体管的漏极连接于所述第I电流输入端子，所述第I场效应型晶体管的栅极和所述双极晶体管的集电极连接于所述上拉电阻的另一端，所述第I场效应型晶体管的源极、所述双极晶体管的基极和所述电流检测电阻的一端连接于所述第2电流输入端子，所述双极晶体管的发射极和所述电流检测电阻的另一端连接于所述电流输出端子。
7.如权利要求3或4所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述第I场效应型晶体管以及第2场效应型晶体管为耗尽型。
8.如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述旁路电路还包括电流输出端子以及电流检测电阻，第I场效应型晶体管的漏极连接于所述第I电流输入端子，所述第I场效应型晶体管的源极和所述电流检测电阻的一端连接于所述第2电流输入端子，第I场效应型晶体管的栅极和所述电流检测电阻的另一端连接于所述电流输出端子。
【文档编号】H01L33/00GK104170099SQ201380014459
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年3月14日 优先权日:2012年3月16日
【发明者】秋山贵 申请人:西铁城控股株式会社, 西铁城电子株式会社