Osp表面处理封装基板成型铣切方法
【专利摘要】一种OSP表面处理封装基板成型铣切方法，包括：完成合拼半成品制作后进行电测试；对电测试通过的合拼板进行烘烤；对烘烤后的合拼板进行喷砂处理。喷砂处理优选地采用金刚砂和硅藻土；进行OSP表面处理以在铜导体表面获得OSP表面处理层；在经过OSP表面处理的合拼板两面贴胶带；对贴有胶带的合拼板进行铣切处理以获得胶带覆盖的封装基板单元板成品；剥离胶带覆盖的封装基板单元板成品上的胶带，获得封装基板单元板成品。
【专利说明】OSP表面处理封装基板成型铣切方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，更具体地说，本发明涉及一种OSP表面处理封装基板成型铣切方法。
【背景技术】
[0002]封装基板是实现封装元件电源分配和电气互连的特种印制线路板，并起到机械承载的作用；目前更多的是特指用于硅芯片封装的印制线路载体。封装基板的尺寸比常规印制板小，通常小于50mm*50mm。
[0003]为满足基板制造前期各工序(包括图形转移、压合、孔化电镀等)的多个制程对在制板最小尺寸的要求，封装基板需要进行多板合拼制造。拼板尺寸单边通常大于18"。到后工序再进行成型铣切，获得封装基板的单元板。
[0004]相应地，由于有机耐热预焊(OSP)表面处理方式可焊性好、成本低等优势，越来越多地被封装基板采用。目前行业内通常先进行成型铣切，再进行OSP表面处理。
[0005]对封装基板先进行成型铣切，再进行OSP表面处理，这样可以避免OSP表面处理后再成型铣切造成的OSP表面铣切粉尘污染问题。但该技术在OSP表面处理加工过程中，需要采用两个大尺寸的陪板，用胶带将小尺寸的单元板固定在陪板间，以避免从OSP加工线的传输滚轮上掉落。由于单元板数量多、尺寸小，该技术的OSP制程生产人力成本大、效率很低。
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种解决OSP表面处理封装基板传统的先成型铣切再制作OSP工艺的操作性差、效率低问题的OSP表面处理封装基板成型铣切方法。
[0007]根据本发明，提供了一种OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其包括:
[0008]第一步骤:完成合拼半成品制作后进行电测试；
[0009]第二步骤:对电测试通过的合拼板进行烘烤；
[0010]第三步骤:对烘烤后的合拼板进行喷砂处理。喷砂处理优选地采用金刚砂和硅藻土 ;
[0011]第四步骤:进行OSP表面处理以在铜导体表面获得OSP表面处理层；
[0012]第五步骤:在经过OSP表面处理的合拼板两面贴胶带；
[0013]第六步骤:对贴有胶带的合拼板进行铣切处理以获得胶带覆盖的封装基板单元板成品；
[0014]第七步骤:剥离胶带覆盖的封装基板单元板成品上的胶带，获得封装基板单元板成品。
[0015]优选地，在第二步骤中，对电测试通过的合拼板在120°C _150°C下烘烤12-24小时。[0016]优选地，在第三步骤中，通过喷砂处理以使得铜导体表面粗糙度在0.2?0.7μπι范围内。
[0017]优选地,在第三步骤中，喷砂处理时合拼板的传输速度I?2m/min,喷砂压力I?
2.5kg/cm2。
[0018]优选地，在第四步骤中，形成的OSP表面处理层的厚度在0.2?0.45 μ m的范围内。
[0019]优选地，所述胶带是电镀蓝胶带。
[0020]优选地，所述胶带不与OSP表面处理层发生化学反应。
[0021]优选地，在第五步骤中，在贴胶带之后，去除后续铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面的气泡。
[0022]在根据本发明的OSP表面处理封装基板成型铣切方法中，铣切处理时通过胶带保护了合拼板的OSP表面层表面，从而可以实现先OSP表面处理后铣切处理的技术方案，在防止粉尘的情况下有效地消除了传统技术人工成本高且生产效率低的问题；而且根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法操作简单，无需每块封装基板单元板安装陪板、贴附胶带、去除胶带并去除陪板的过程，而代之以合拼板上贴附胶带和去除胶带的简单步骤。而且，优选地，如果铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面有气泡残留，先排除气泡，从而可以更好地避免后续粉尘进入。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0024]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法的流程图。
[0025]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0026]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0027]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法的流程图。
[0028]如图1所示，根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法包括:
[0029]第一步骤S1:完成合拼半成品制作后进行电测试，例如，可以在飞针测试机上进行整板电测试，测试电路通断是否合格以及电阻是否在允许范围内。
[0030]第二步骤S2:对电测试通过的合拼板进行烘烤；例如，优选地，在120°C _150°C烘烤12-24小时，以充分去除封装基板的内部湿气，避免后续封装焊接和长期使用发生可靠性缺陷。具体的诸如烘烤时间和烘烤温度之类的烘烤参数可依据材料特性设置或调整。
[0031]第三步骤S3:对烘烤后的合拼板进行喷砂处理。喷砂处理优选地采用金刚砂和硅藻土 ；优选地，喷砂处理时合拼板的传输速度I?2m/min,喷砂压力I?2.5kg/cm2,优选地通过喷砂处理以使得铜导体表面粗糙度Ra在0.2?0.7 μ m范围内。
[0032]第四步骤S4:进行常规OSP表面处理以在铜导体表面获得附着良好的OSP表面处理层，其中OSP表面处理层的厚度优选地在0.2?0.45 μ m的范围内。
[0033]第五步骤S5:在经过OSP表面处理的合拼板两面贴胶带，例如可以贴电镀蓝胶带，也可选其它类型的胶带，只要保证能与板面粘贴在一起(最好能紧密粘帖)，同时不与OSP表面处理层发生化学反应；优选地，胶带是可手工剥离的薄膜材料(这样可人工剥离胶带，而无需进行机械或化学方法剥离胶带，避免损伤OSP表面处理层)。而且，优选地，在贴胶带之后，去除后续铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面的气泡。
[0034]第六步骤S6:对贴有胶带的合拼板进行铣切处理以获得胶带覆盖的封装基板单元板成品；例如，可以在铣切处理中，在合拼板底部加垫板并在合拼板上表面加盖板，将垫板、合拼板以及盖板的叠层定位在铣机的台面上，调用工程铣切数据，进行成型铣切，获得胶带覆盖的封装基板单元板成品。
[0035]第七步骤S7:剥离胶带覆盖的封装基板单元板成品上的胶带，获得封装基板单元板成品。
[0036]在根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法中，铣切处理时通过胶带保护了合拼板的OSP表面层表面，从而可以实现先OSP表面处理后铣切处理的技术方案，在防止粉尘的情况下有效地消除了需要大量人力成本和生产效率低的问题；而且根据本发明优选实施例的OSP表面处理封装基板成型铣切方法操作简单，无需每块封装基板单元板安装陪板、贴附胶带、去除胶带并去除陪板的过程，而代之以合拼板上贴附胶带和去除胶带的简单步骤。而且，优选地，如果铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面有气泡残留，先排除气泡，从而可以更好地避免后续粉尘进入。
[0037]本发明在保证OSP表面处理品质不受影响的前提下，提供了一种新的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，提升了封装基板的可制造性，同时提高生产效率。
[0038]此外，需要说明的是，除非特别指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0039]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于包括: 第一步骤:完成合拼半成品制作后进行电测试； 第二步骤:对电测试通过的合拼板进行烘烤； 第三步骤:对烘烤后的合拼板进行喷砂处理。喷砂处理优选地采用金刚砂和硅藻土； 第四步骤:进行OSP表面处理以在铜导体表面获得OSP表面处理层； 第五步骤:在经过OSP表面处理的合拼板两面贴胶带； 第六步骤:对贴有胶带的合拼板进行铣切处理以获得胶带覆盖的封装基板单元板成品; 第七步骤:剥离胶带覆盖的封装基板单元板成品上的胶带，获得封装基板单元板成品。
2.根据权利要求1所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第二步骤中，对电测试通过的合拼板在120°c -150°c下烘烤12-24小时。
3.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第三步骤中，通过喷砂处理以使得铜导体表面粗糙度在0.2?0.7 μ m范围内。
4.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第三步骤中，喷砂处理时合拼板的传输速度I?2m/min,喷砂压力I?2.5kg/cm2。
5.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第四步骤中，形成的OSP表面处理层的厚度在0.2?0.45μπι的范围内。
6.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，所述胶带优选电镀蓝胶带。
7.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，所述胶带不与OSP表面处理层发生化学反应。
8.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第五步骤中，在贴胶带之后，去除后续铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面的气泡。
【文档编号】H01L21/48GK103730375SQ201410015391
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2014年1月14日 优先权日:2014年1月14日
【发明者】吴梅珠, 方庆玲, 吴小龙, 刘秋华, 胡广群, 徐杰栋, 梁少文 申请人:无锡江南计算技术研究所