阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置，该阵列基板包括衬底基板、数据线以及依次形成于衬底基板上的栅极线和像素电极，数据线包括固定段和连接段，数据线的固定段与栅极线或像素电极同层相隔设置，数据线的连接段与数据线的固定段电性连接。本发明将数据线的固定段与栅极线或像素电极形成于同一层，数据线的连接段与固定段电性连接，由此，只需要与栅极线所在的层进行一次精确对位，减少了对位次数，使得偏移量在可控范围内得到了改善，由此避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，进而防止电容效应影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，且不增加电阻，可降低能耗。
【专利说明】阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，特别是涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显
示装置。
【背景技术】
[0002]现有的TFT-1XD液晶显示面板中，数据线与像素电极一般采用在不同的两层结构上采用金属材料制作，以高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)的显示面板为例，其核心技术特性是:通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。下面以ADS模式显示面板为例说明，参照图1所示，在阵列基板制作过程中，栅极线I首先形成在衬底基板上，以栅极线层作为基准，自下而上依次形成像素电极2和数据线3，像素电极2内具有空白区域，该空白区域设有公共电极4，在阵列基板上，数据线的两侧均设有像素电极。
[0003]在制作过程中，像素电极层和数据线层需要分别与栅极线层进行对位，多次对位容易使得像素电极层和数据线层的相对位置发生偏移，如图2所示，且该两层金属层的偏移方向可能会不同，当偏移量足够大时，由于数据线3位于两个像素电极2之间，图2中，数据线3距离其左右两侧的像素电极2的距离分别为LI和L2，在对位过程中，由于设备工艺波动或其他原因造成的偏差，数据线3会与偏移侧的像素电极4离得过近(如图2中L2)，图2中以偏移右侧为例，此时，由于电容效应会影响像素电极的充电电压，由此会影响到显示画面的不良。
【发明内容】
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是如何避免数据线发生偏移，而引发的显示不良等现象。
[0006](二)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本发明提供的一种阵列基板，其包括衬底基板、数据线以及依次形成于所述衬底基板上的栅极线和像素电极，所述数据线包括固定段和连接段，所述数据线的固定段与所述栅极线或像素电极同层相隔设置，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段电性连接。
[0008]进一步地，所述数据线的固定段的两端与所述像素电极的两端对齐。
[0009]进一步地，所述栅极线上方设置有栅绝缘层和源漏极层，所述数据线的连接段与所述源漏极层同层。
[0010]进一步地，当所述数据线的固定段与所述栅极线同层时，所述数据线的连接段通过贯穿所述栅绝缘层的过孔与所述数据线的固定段相连。[0011]进一步地，所述数据线的固定段与所述栅极线采用相同材料制作而成。
[0012]进一步地，当所述数据线的固定段与所述像素电极同层时，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段直接搭接。
[0013]进一步地，所述数据线的固定段与所述像素电极采用相同材料制作而成。
[0014]本发明还提供一种阵列基板的制备方法，其包括在衬底基板上形成栅极线、数据线和像素电极的图形，其中，所述数据线的图形包括固定段和连接段，所述数据线的固定段与所述栅极线或像素电极形成于同一层并相隔设置，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段电性连接。
[0015]进一步地，所述在衬底基板上形成栅极线的图形包括:在衬底基板上通过同一次构图工艺同时形成栅极线和数据线的固定段的图形。
[0016]进一步地，所述在衬底基板上形成栅极线的图形之后，还包括:
[0017]在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层；
[0018]所述栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和所述数据线的连接段的图形。
[0019]进一步地，所述在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层之后，还包括:
[0020]形成贯穿所述栅极绝缘层的过孔，以将所述数据线的固定段与待形成的数据线的连接段相连。
[0021]进一步地，所述在衬底基板上形成栅极线的图形之后，还包括:
[0022]在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层；
[0023]所述栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和所述数据线的连接段的图形；
[0024]所述在衬底基板上形成像素电极的图形，包括:
[0025]在所述源漏极和所述数据线的连接段的图形上方通过同一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的固定段的图形，其中，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段直接搭接。
[0026]本发明还提供一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
[0027](三)有益效果
[0028]上述技术方案所提供的一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置，将数据线分为固定段和连接段两部分，将数据线的固定段与栅极线或像素电极形成于同一层，数据线的连接段与固定段电性连接，由此，只需要与栅极线所在的层进行一次精确对位，减少了对位次数，使得偏移量在可控范围内得到了改善，由此避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，进而防止电容效应影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，且不增加电阻，可降低能耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是现有阵列基板部分的部分平面示意图；
[0030]图2是现有阵列基板上在数据线发生偏移后的结构示意图；
[0031]图3是本发明实施例一阵列基板的结构示意图；
[0032]图4是本发明实施例一阵列基板在数据线连接段发生偏移时的示图；[0033]图5是本发明实施例二阵列基板的结构示意图。
[0034]其中，1、栅极线；2、像素电极；3、数据线；31、数据线的固定段；32、数据线的连接段；4、公共电极；5、过孔。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0036]实施例一
[0037]本发明实施例的一种阵列基板，其包括衬底基板、数据线以及依次形成于衬底基板上的栅极线I和像素电极2，数据线包括固定段31和连接段32，如图3所示，本实施例的数据线的固定段31与栅极线I同层相隔设置，数据线的连接段32与数据线的固定段31电性连接。
[0038]优选地，数据线的固定段31的两端与像素电极2的两端对齐，需要指出的是，数据线的连接段32只用作数据线的固定段31与驱动电路的连接端，其不落在多个像素电极2之间，即使在制备过程中发生偏移也不会产生电容效应。
[0039]参照图3和图4所述，数据线的固定段31距离其左右两侧的像素电极2的距离分别为LI和L2，在对位过程中，图中可以看出，即使在数据线的连接段32在对位过程中发生偏移，LI和L2距离不变，也不会使得数据线的固定段31发生偏移现象，因此，可避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，进而防止产生电容效应，因此而影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，改善显示画面的不良。
[0040]当数据线的固定段31与栅极线I形成于同一层时，栅极线I上方的栅绝缘层与数据线的固定段31的搭接段相对的位置设置有过孔5，数据线的连接段32通过该过孔5与数据线的固定段31相连。
[0041]为了减少工艺和降低工艺难度，数据线的固定段31与栅极线I采用相同材料形成。
[0042]数据线的固定段31和连接段32可采用相同或不同材料分别形成，可根据实际的情况进行选择。
[0043]本实施例的阵列基板的制备方法，其具体过程为:首先，将数据线的固定段与栅极线采用相同的材料形成在衬底基板上，具体地:在衬底基板上通过同一次构图工艺同时形成栅极线和数据线的固定段的图形，并且保证数据线的固定段31与栅极线I相隔设置，相互不交叠；然后，依次完成栅绝缘层、源漏极层、像素电极2及数据线的连接段32的布置，具体地:在衬底基板上形成栅极线的图形之后，在栅极线的图形上方形成栅极绝缘层，该栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和数据线的连接段32的图形，使得数据线的连接段32形成在源漏极层的同一层；最后，在栅极线的图形上方形成栅极绝缘层之后，形成贯穿栅极绝缘层的过孔，以将数据线的固定段31与待形成的数据线的连接段32相连。
[0044]由于衬底基板上的其它层都是以栅极线所在的层为基准来进行对位的，本发明实施例将与像素电极对齐的数据线的固定段与栅极线形成在同一层，只需要将像素电极与具有数据线的固定段的栅极线所在的层进行精确对位，而数据线的连接段的对位不需要太高的要求，偏移量在可控范围内得到了改善，由此避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，以防止电容效应影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，且不增加电阻，可降低能耗。
[0045]实施例二
[0046]本实施例的一种阵列基板，其包括衬底基板、数据线以及依次形成于衬底基板上的栅极线和像素电极，数据线包括固定段和连接段，如图5所示，数据线的固定段31与像素电极2同层相隔设置，数据线的连接段32与数据线的固定段31电性连接。
[0047]当数据线的固定段与像素电极同层时，由于像素电极与数据线的连接段32之间没有其它层，因此，数据线的连接段32与数据线的固定段31可直接搭接，当然，也可以通过其它电性元件间接连接。
[0048]优选地，数据线的固定段31的两端与像素电极2的两端对齐，需要指出的是，数据线的连接段32只用作数据线的固定段31与驱动电路的连接端，其不落在多个像素电极2之间，即使在制备过程中发生偏移也不会产生电容效应。其中，图5中，数据线的固定段31距离其左右两侧的像素电极2的距离分别为LI和L2，在对位过程中，图中可以看出，即使在数据线的连接段32在对位过程中发生偏移，也不会使得数据线的固定段31发生偏移现象。
[0049]为了减少工艺和降低工艺难度，当数据线的固定段31与像素电极2形成于同一层时，数据线的固定段31与像素电极2可采用相同材料形成。
[0050]数据线的固定段31和连接段32可采用相同或不同材料分别形成，可根据实际的情况进行选择。
[0051]本发明实施例的阵列基板，其具体制备过程为:首先，在衬底基板上形成栅极线的图形，衬底基板上形成栅极线的图形之后，在栅极线的图形上方形成栅极绝缘层，并在栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和数据线的连接段32的图形；然后，在具有栅极线I的衬底基板上形成像素电极的图形，其包括:在源漏极和数据线的连接段32的图形上方通过同一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的固定段31的图形，将像素电极和数据线的固定段形成于同一层，并且保证数据线的固定段31与像素电极相隔设置，相互不交叠，其中，数据线的连接段32与所述数据线的固定段31直接搭接。
[0052]由于衬底基板上的其它层都是以栅极线所在的层为基准来进行对位的，本发明实施例将与像素电极对齐的数据线的固定段与像素电极形成在同一层，只需对设置有数据线的固定段的像素电极所在的层与栅极线所在的层进行精确对位即可，数据线的连接段的对位不需要太高的要求，因此，偏移量在可控范围内得到了改善，由此避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，进而可防止电容效应影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，且不增加电阻，可降低能耗。
[0053]需要指出的是:在整个阵列基板上，数据线的固定段的设置方式还可以为上述实施例一和实施例二的结合，即多根数据线的布置方式可不同，可选择采用上述实施例一和实施例二任意一种，但这种结合的实施方式可能在工艺上会比上述两种实施方式复杂。
[0054]另外，需要说明的是，上述实施例中像素电极可以设置在数据线的连接段(类似于现有技术中的全部数据线)的上方或下方，像素电极与数据线的连接段的位置本发明不做限定。
[0055]当像素电极设置在数据线的连接段的下方时，可先形成像素电极和数据线的固定段的图形，之后再形成包括源漏极和数据线的连接段的图形；当像素电极设置在数据线的连接段的上方时，可先形成包括源漏极和数据线的连接段的图形，之后再形成像素电极和数据线的固定段的图形。
[0056]本发明的一种显示装置，其包括上述技术方案所提供的一种阵列基板。
[0057]本发明的阵列基板、该阵列基板的制备方法以及具有该阵列基板的显示装置，将数据线分为固定段和连接段两部分，其中，数据线的固定段的两端与像素电极的两端对齐，数据线的连接段只用作数据线的固定段与驱动电路的连接段，其不落在多个像素电极之间，将数据线的固定段与栅极线或像素电极形成于同一层，由此，只需要与栅极线所在的层进行一次精确对位，减少了对位次数，使得偏移量在可控范围内得到了改善，由此避免数据线与偏移侧的像素电极离得过近，进而防止电容效应影响像素电极的充电电压，进而确保了显示画面，且不增加电阻，可降低能耗。
[0058]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、数据线以及依次形成于所述衬底基板上的栅极线和像素电极，所述数据线包括固定段和连接段，所述数据线的固定段与所述栅极线或像素电极同层相隔设置，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段电性连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的固定段的两端与所述像素电极的两端对齐。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线上方设置有栅绝缘层和源漏极层，所述数据线的连接段与所述源漏极层同层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，当所述数据线的固定段与所述栅极线同层时，所述数据线的连接段通过贯穿所述栅绝缘层的过孔与所述数据线的固定段相连。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的固定段与所述栅极线采用相同材料制作而成。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，当所述数据线的固定段与所述像素电极同层时，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段直接搭接。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的固定段与所述像素电极采用相同材料制作而成。
8.—种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线和像素电极的图形，其中，所述数据线的图形包括固定段和连接段，所述数据线的固定段与所述栅极线或像素电极形成于同一层并相隔设置，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段电性连接。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于， 所述在衬底基板上形成栅极线的图形包括:在衬底基板上通过同一次构图工艺同时形成栅极线和数据线的固定段的图形。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于， 所述在衬底基板上形成栅极线的图形之后，还包括: 在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层； 所述栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和所述数据线的连接段的图形。
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层之后，还包括: 形成贯穿所述栅极绝缘层的过孔，以将所述数据线的固定段与待形成的数据线的连接段相连。
12.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于， 所述在衬底基板上形成栅极线的图形之后，还包括: 在所述栅极线的图形上方形成栅极绝缘层； 所述栅极绝缘层上方通过同一次构图工艺同时形成包括源漏极和所述数据线的连接段的图形； 所述在衬底基板上形成像素电极的图形，包括: 在所述源漏极和所述数据线的连接段的图形上方通过同一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的固定段的图形，其中，所述数据线的连接段与所述数据线的固定段直接搭接。
13.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L23/50GK103792748SQ201410052962
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2014年2月17日 优先权日:2014年2月17日
【发明者】李鑫, 任健, 裴扬, 王振伟, 李彬, 张莹 申请人:北京京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司