一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法
【专利摘要】本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。
【专利说明】一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于半导体器件加工领域。
【背景技术】
[0002]氮化物化合物半导体材料的能带结构属于直接间隙半导体，适宜用来制造光电器件。氮化物半导体材料的禁带宽度涵盖的面很宽，有宽达6.2eV到0.65eV，发光器件的波长可覆盖从200纳米到近2000纳米的范围。
[0003]氮化镓半导体材料是氮化物半导体材料中重要的材料，以氮化镓基化合物半导体材料制成的发光器件的波长范围由深紫外到红外光谱的范围。氮化镓基化合物半导体材料具有很好的电绝缘能力，其耐绝缘电场强度高达2X106V/cm。氮化镓基化合物半导体材料具有很好的耐高温性能，适合制造高温器件。氮化镓基化合物半导体材料中的载流子具有很高的饱和速度，高达2.7xl07cm/s,是制造高频器件的好材料。氮化镓基化合物半导体材料已用来制造以下产品:LED的发光器件，用于照明或指示灯；LED激光器，用于高密度的储存、高分辨率的投影仪、表面检测等；紫外探测器，作为火焰的探测，燃烧控制，飞机诱导等；光电转换器件，作为太阳能电池、光合成等；超高频器件，用于卫星通信、高速公路交通监测指挥系统；功率型器件，用于发动机控制、大功率逆变器等器件。
[0004]氮化镓基化合物半导体材料在制造时需在衬底上进行材料的生长。
[0005]在衬底上生长氮化镓基化合物半导体材料至少要考虑到材料的晶体结构、晶格常数的匹配、热膨胀系数的匹配等因素。
[0006]在衬底上生长氮化镓基半导体材料时，通常使用有机金属气相外延的方法。该法中利用三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)作为Ga的原材料，以氨气(NH3)高温分解作为N的原材料，通常以低温GaN或AlN等材料作为缓冲层，在1050°C -1150°C的高温下，在缓冲层上生长氮化镓基半导体材料薄膜。
[0007]再根据制作器件的要求，生长适合器件性能的各种半导体层结构。如GaN基发光二极管，将在其上生长n-GaN、InGaN/GaN量子阱结构、电子阻挡层和p_GaN层，构成LED结构的外延层。
[0008]近来，氮化镓基化合物半导体在生长时，以SiC或蓝宝石材料为衬底，但是这些衬底的价格比较高昂。为了降低成本，人们开始采用大口径的单晶硅作为衬底来生长氮化镓基化合物半导体材料，满足不断扩大的市场需求。
[0009]以硅为衬底的GaN基半导体器件，如LED中，为了消除硅衬底对光的吸收，或者倒装工艺的需要，必须将半导体器件有源部分与硅衬底剥离。
[0010]将半导体器件与硅衬底进行剥离的常规方法包括机械研磨法和腐蚀法以及二者的组合。机械研磨法是用研磨工具将硅衬底磨去，由于硅衬底的厚度有数百微米，而半导体器件的有源部分往往只有数微米的厚度，当研磨接近到半导体器件层时，为了避免误伤半导体器件，对研磨精度的要求就急剧提高，甚至成为不可能完成的任务。腐蚀法是用对硅衬底具有腐蚀性的硅腐蚀液将硅衬底腐蚀掉，由于硅衬底与半导体器件之间热膨胀系数的差异，在硅衬底材料和半导体器件层内部均存在一定的内部应力，当腐蚀时，由于应力释放不均匀，常常导致半导体器件的薄膜层产生开裂现象，导致工艺成本的增加和成品率下降。因此，如何安全高效地将半导体器件层与硅衬底剥离，成为困扰半导体行业的一个难题。
[0011]为了解决上述技术难题，本发明人发明了一种特殊结构的硅衬底，以及将生长在该硅衬底上的半导体器件例如GaN基半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法。本发明的实施，使得半导体器件成能够方便、高效且安全地与硅衬底剥离，降低了半导体器件制造的成本，提闻了广品的合格率。
[0012]发明概述
[0013]本发明的第一方面涉及一种硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。
[0014]本发明的第二方面涉及一种将生长在硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，包括以下步骤:
[0015]I)使用娃衬底作为衬底材料,在该娃衬底第一面上外延生长半导体器件；其中在该硅衬底的硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比该硅本体材料小；其中以距离所述腐蚀阻挡层近的硅衬底表面为该娃衬底的第一面；
[0016]2)用光刻胶涂覆该硅衬底的与该第一面相对的第二面，并通过掩膜光刻法在该第二面上制造局部腐蚀的窗口图形；
[0017]3)将该硅衬底浸入第一硅腐蚀液中，从上述窗口图形处开始腐蚀硅本体材料，直至腐蚀到所述腐蚀阻挡层；其中所述第一硅腐蚀液能腐蚀硅本体材料但基本不腐蚀所述腐蚀阻挡层；
[0018]4)去除所述第二面上的光刻胶，并在该第一硅腐蚀液中进一步腐蚀硅本体材料，一直腐蚀到所述腐蚀阻挡层；
[0019]5)使用第二硅腐蚀液，腐蚀掉所述腐蚀阻挡层,并将剩余的硅本体材料也腐蚀掉，完成硅衬底的剥离；其中所述第二硅腐蚀液能够腐蚀所述腐蚀阻挡层。
[0020]附图简述
[0021]图1是本发明的易被剥离除去的硅衬底的结构示意图。
[0022]图2是在图1的硅衬底上生长了 GaN半导体器件层之后的结构示意图。
[0023]图3是将图2的硅衬底上的GaN半导体器件贴合于环形支撑材料上之后的结构示意图。
[0024]图4是本发明的局部腐蚀的窗口图形的几种可能的窗口图案设计。
[0025]图5是本发明在窗口处发生局部腐蚀过程的示意图。
[0026]附图标记列表:
[0027]1.第一硅本体材料层；2.腐蚀阻挡层；3.第二硅本体材料层；4.半导体器件层；
5.环形支撑材料；6.局部腐蚀窗口 ；7.光刻胶。
[0028]发明详述
[0029]为了便于理解本发明，现对本发明详细介绍如下。
[0030]“衬底”，又名“基板”，是指一块板状、片状或膜状材料，半导体器件是通过气相沉积法等在该衬底上进行外延生长而制成的。
[0031]“本体材料”是指构成衬底的体相的材料。衬底可以由各种单晶材料制成，例如SiC、蓝宝石或单晶硅，相应地，本体材料为SiC、蓝宝石或单晶硅。单晶硅可以作为衬底的本体材料，即所述硅本体材料可以为硅本身。或者，也可以使用掺杂某些原子，例如掺杂P原子的硅作为向所述本体材料。
[0032]本发明的特殊结构的硅衬底的结构如图1所示，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，该腐蚀阻挡层对于硅腐蚀液的腐蚀速度比硅本体材料小。因此，本发明的特殊结构的硅衬底其实至少由三层组成，如图1所示，从下到上依次为，第一硅本体材料层1，腐蚀阻挡层2和第二硅本体材料层3。在一个实施方案中，其中所述腐蚀阻挡层的腐蚀速度远远小于硅本体材料，例如小一个数量级，甚至小两个数量级。
[0033]所述腐蚀阻挡层是本发明的关键点之一。在一个实施方案中，该腐蚀阻挡层可以是P+型硅单晶层，其通过在硅本体材料中掺杂硼原子而得到。包含该P+型硅单晶层的特殊结构的硅衬底可以通过以下方法得到:
[0034]a.提供第一硅本体材料层I ;
[0035]b.在该第一硅本体材料层I的某一晶面上通过外延生长法生长P+型硅单晶层作为腐蚀阻挡层2。一种常见的外延生长法是气相沉积法，其通过使含有待沉积的元素的气态化合物在高温下分解而将待沉积的元素沉积在衬底表面上。例如，通过对硅源化合物和硼源化合物的混合物进行高温分解，则可以通过气相沉积法来同时沉积硼和硅，则可获得掺杂硼原子的硅材料，即为所述P+型硅单晶层。硅中掺杂的硼原子越多，则形成的P+型硅单晶层在硅腐蚀液中的腐蚀速度就越小。因此，通过调节掺杂的硼原子的数量，可以调节得到的P +型硅单晶层的腐蚀速度。
[0036]c.在该P+型硅单晶层上外延生长第二硅本体材料层3。该第二硅本体材料层3与第一硅本体材料层I的本体材料可以相同或不同，但优选相同。
[0037]在本发明的另一实施方案中，含有腐蚀阻挡层的特殊结构的硅衬底也可以通过离子注入的方法得到。其具体过程如下:用具有一定能量的离子束入射到硅衬底材料中去，离子束与硅衬底材料中的硅原子发生一系列的相互作用的同时注入到硅衬底内，入射离子在运动过程中逐渐损失能量，最后停留在材料表面以下一定深度范围内，并在该一定深度范围内引起硅本体料的成分、结构和性能发生变化，例如在该一定深度范围内形成了在硅本体材料中掺入该入射离子所属元素的掺杂层，该层不同于该深度范围以上和以下的硅本体材料的层，此掺杂层即可作为本发明中的所述腐蚀阻挡层2，该腐蚀阻挡层以下的硅本体材料作为所述第一硅本体材料层1，该腐蚀阻挡层以上至硅衬底表面之间则构成了所述第二硅本体材料层3。可通过调节离子注入时离子加速电场强度控制离子注入自由行程的深度来获得腐蚀阻挡层的目标深度，控制注入离子的密度和离子注入时间控制掺杂浓度，可控制该腐蚀阻挡层的腐蚀速度。关于离子注入的具体方式和工艺控制是已知的，可参见相关的教科书或技术文献，在此不再赘述。本发明中，要求离子注入后所形成的掺杂层比硅本体材料更能耐受硅腐蚀液的腐蚀。例如，可通过注入硼离子获得P+型硅单晶层，即本发明中的所述腐蚀阻挡层2，其被硅本体材料的腐蚀液的腐蚀速度比硅本体材料小很多。调节硼离子束的密度和离子注入时间控制掺杂浓度，该离子注入层的腐蚀速度也发生变化。
[0038]本发明中，腐蚀阻挡层在硅衬底材料中的设置深度一般为数微米，例如I 一 9微米，优选I 一 3微米。但也可以根据需要选择其它合适的深度。
[0039]本发明中，优选硅衬底的腐蚀阻挡层2和第二硅本体材料层3的总厚度与半导体器件的厚度相当。亦可由技术人员根据实际情况自行确定。
[0040]下面，将详细地分步骤地介绍本发明的将生长在硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法。
[0041]I)使用本发明的娃衬底作为衬底材料,在该娃衬底第一面上外延生长半导体器件；其中在该硅衬底的硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比该硅本体材料小；其中以距离所述腐蚀阻挡层近的娃衬底表面为该娃衬底的第一面。其中，本发明的娃衬底的结构及其制备方法如前所述，在此不再赘述。所外延生长的半导体材料的具体结构和类型不限，例如可以是GaN基半导体器件，当然也可以是其它结构和类型的半导体器件。图2显示了外延生长了 GaN基半导体器件层4之后的硅衬底材料。该半导体器件层4内部也可以有复杂的亚层结构，但这不是本发明所关注的，故将所有的硅衬底以外的半导体器件亚层统一用半导体器件层4来简化地表示。
[0042]2)将光刻胶涂覆该硅衬底的与该第一面相对的第二面上，并通过掩膜光刻法在该第二面上制造局部腐蚀的窗口图形。掩膜光刻法是在光源与该光刻胶涂层之间放置一片具有刻蚀图案的掩膜，局部地阻挡光对光刻胶的照射。由此，未被掩膜遮盖的局部区域的光刻胶，如正光刻胶，由于光照射而感光发生化学反应，经显影后将被刻蚀掉，暴露出硅衬底，形成局部硅衬底的腐蚀窗口。该局部腐蚀窗口的图案可以根据实际情况进行设计，例如圆形窗口、扇形窗口、方形窗口，如图4中所示。当待被腐蚀除去的硅衬底的面积较小时，也可以不进行该局部腐蚀窗口的加工，而是直接将整个不涂覆光刻胶的硅衬底，进行整体腐蚀。
[0043]3)首先将外延在该硅衬底第一面上的半导体器件面涂覆耐腐蚀胶进行保护。然后，将该硅衬底浸入第一硅腐蚀液中，从上述图形窗口处开始腐蚀硅本体材料，直至腐蚀到所述腐蚀阻挡层；其中所述第一硅腐蚀液能腐蚀硅本体材料但基本不腐蚀所述腐蚀阻挡层。所述硅腐蚀液，例如为氢氟酸、硝酸、醋酸与水的混合物，其为各向同性腐蚀液。该硅腐蚀液利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅，再利用氢氟酸将形成的二氧化硅溶解去除，由此使硅被腐蚀掉。该硅腐蚀液中的醋酸作为缓冲剂，可抑制硝酸的解离。改变硝酸与氢氟酸的比例,并配合醋酸添加与水的稀释,可以调整腐蚀速率,使其对硅本体材料的腐蚀性很强，腐蚀速度很快，而对所述腐蚀阻挡层则基本不腐蚀，或腐蚀速度极为缓慢。或者，所述硅腐蚀液也可以是NaOH溶液或KOH溶液，通过调整溶液的浓度和温度，也能调整其腐蚀能力。图5示意性地显示了在局部腐蚀窗口处发生腐蚀的过程。其中附图标记6表示局部腐蚀窗口，附图标记7表示光刻胶，附图标记I表示硅本体材料，其正在被腐蚀，附图标记2表示腐蚀阻挡层。由于从腐蚀窗口开始逐步腐蚀，而非一下子就对所有的硅材料进行全面腐蚀，使得使在成膜过程中由于热膨胀系数的不同所产生的残留应力有机会随着腐蚀的逐步进行而在整个硅片平面范围内局部地均匀地释放，这将有利于保持硅衬底和半导体器件的结构完整性。
[0044]4)去除所述第二面上的光刻胶，并在该第一硅腐蚀液中进一步腐蚀硅本体材料，直到腐蚀到所述腐蚀阻挡层。去掉光刻胶后，则第二面上所有的硅本体材料都暴露于硅腐蚀液中，被腐蚀掉。最终全部第一硅本体材料层完全被硅腐蚀液所腐蚀掉。[0045]5)使用第二硅腐蚀液，腐蚀掉所述腐蚀阻挡层,并将剩余的硅本体材料也腐蚀掉，完成硅衬底的剥离；其中所述第二硅腐蚀液能够腐蚀所述腐蚀阻挡层。该第二硅腐蚀液可以是另外的能够将所述腐蚀阻挡层腐蚀掉的另一种硅腐蚀液，也可以通过对第一硅腐蚀液进行成份调整后大大提高腐蚀能力而得到。该第二硅腐蚀液将腐蚀阻挡层腐蚀掉后，继续将所述第二硅本体材料层也腐蚀掉。由于GaN半导体器件层被耐腐蚀胶保护而不会被硅腐蚀液腐蚀掉，所以得以保留。由此，完成了 GaN半导体器件层与硅衬底的剥离。
[0046]在一个优选实施方案中，在步骤I)和步骤2 )之间，还包括从硅衬底的第二面开始进行研磨减薄的步骤。例如，将原本厚度为400 - 650微米的硅衬底研磨减薄到100 - 150微米，甚至更薄。研磨减薄的目的在于尽可能去掉一部分硅本体材料，以减少硅腐蚀液的消耗。
[0047]在一个优选实施方案中，在步骤3)开始之前，将所述GaN基半导体器件的表面贴合在膨胀系数与GaN相近的材料制成的环形支撑材料5上，如图3所示。由于半导体器件膜的厚度往往不足10微米，在失去了硅衬底的支撑后，在后续加工步骤中将存在着各种操作困难，为克服这些困难，故在将半导体器件膜与硅衬底剥离之前，将该半导体器件膜贴合在膨胀系数与GaN相近的材料制成的圆环支撑物上，以继续获得支撑，利于后续操作。
[0048]在本发明的步骤2)至步骤5)的过程中，因为通过局部腐蚀窗口的设计和分步腐蚀，可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放。这有利于减少因应力释放不均匀造成的衬底开裂或半导体器件的开裂，保证了半导体器件的完整性。
实施例
[0049]以下实施例仅仅是对本发明的举例说明，不以任何方式限制本发明。
[0050]以硅衬底上的GaN基篮光发光器件为例加以说明。
[0051]首先，在硅衬底的表面下数微米处设置一层腐蚀速度比硅体材料小的中间腐蚀阻挡层的埋层。
[0052]该腐蚀阻挡层可用硅外延的方法的方法制造。在硅(111)面上通过硅外延的方法生长一层高掺杂硼(硼掺杂量I X IO1Vcm3)的外延层作为腐蚀阻挡层，在外延腐蚀阻挡层时可根据腐蚀速度的要求调节该层的硼掺杂的浓度。然后在腐蚀阻挡层上再外延非掺杂的硅单晶层或η形硅单晶层，形成本发明的特殊结构的硅衬底。
[0053]腐蚀阻挡层也可采用离子注入法来形成。调节离子注入时离子加速电场强度获得离子注入自由行程的深度来控制腐蚀阻挡层埋层的深度，选择注入离子的密度和离子注入时间控制掺杂浓度，获得期待的腐蚀速度的腐蚀阻挡层。
[0054]将设置有腐蚀阻挡层的硅衬底进行清洗，并将经过清洗过的硅衬底放入MOCVD炉中，在Η2或者ΝΗ3气氛中高温对衬底表面进一步清洁处理，然后利用有机金属气相外延方法(M0CVD)，以三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)作为Ga的原材料，以ΝΗ3高温分解作为N的原材料，生长GaN半导体薄膜。
[0055]然后，在温度1180°C的情况下继续堆积3纳米厚的AlN薄膜作为缓冲层。
[0056]缓冲层的上面，外延n-AlGaN薄膜，例如Al的成分27%，n-AlGaN的厚度为20纳米，生长温度1180°C。[0057]继续生长20对交替设置的GaN/AIN超晶格层，然后生长厚度为1.5微米的n_GaN层。
[0058]在η-GaN层上继续生长InGaN/GaN量子阱层，阱的厚度为4纳米，垒的厚度为8纳米,共计10对。
[0059]继续生长p-AlGaN电子阻挡层，例如Al的成分15%，厚度20纳米。最后生长200纳米厚的P-GaN层，完成具有LED结构的外延片。
[0060]然后，采用LED芯片工艺完成各个芯片单元的P侧电极和η侧电极的制造，完成整个芯片工艺后，再进行硅衬底与半导体器件的剥离。
[0061]为了提高硅衬底剥离效率，首先利用研磨工序将硅片从400-650微米减薄到100-150微米，该减薄后的厚度应根据硅片的口径的大小决定。
[0062]将具有LED结构的减薄到100-150微米的外延片贴合到与GaN热膨胀系数相近的材料(如AIN、SiC)制成的圆环支撑物上，贴合部分的宽度不大于1.8毫米。
[0063]在外延片LED器件一侧的表面涂耐腐蚀材料，例如光刻胶，以保护LED器件不受硅腐蚀液的损伤；在外延片硅衬底侧的表面涂覆光刻胶，曝光显影使光刻胶形成一定形状的窗口图形，露出娃衬底表面。
[0064]将外延片投入硅腐蚀液中使硅腐蚀，使窗口处露出的硅材料被腐蚀掉。控制腐蚀的时间，使硅腐蚀到腐蚀阻挡埋层为止。
[0065]去掉硅片上的光刻胶，再次投入硅腐蚀液中，使整个硅片都腐蚀到腐蚀阻挡埋层为止。至此阶段，剩余的衬底厚度已与半导体器件层的厚度相当，保证器件有源层的完整性。
[0066]此后，将腐蚀液换成对腐蚀阻挡层也具有一定腐蚀能力的腐蚀液，以较慢的速度将腐蚀阻挡层以及剩余的数微米的硅全都腐蚀掉，由于腐蚀速度缓慢，使在成膜过程中由于热膨胀系数的不同所产生的残留应力在整个硅片平面范围内局部地均匀地释放。腐蚀完成后即完成硅衬底的剥离，得到结构完整、无任何开裂的GaN半导体器件薄膜。
[0067]以上仅举例说明了本发明的硅衬底和将生长在该硅衬底上的半导体器件与该硅衬底分离的方法。显然，本领域技术人员可对上述硅衬底或上述方法进行一些显而易见的改进和变化，故本发明并不限于以上提到的具体产品和具体方法。本发明的保护范围将由后附权利要求的最广义的解释来限定。
【权利要求】
1.一种硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。
2.根据权利要求1的硅衬底,其中所述腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小一个数量级。
3.根据权利要求1的硅衬底，其中所述腐蚀阻挡层是P+型硅单晶层，其通过向硅本体材料中掺杂硼原子而得到。
4.根据权利要求1的硅衬底，其中所述腐蚀阻挡层通过对所述硅衬底进行离子注入而得到；所述离子注入是指将高能量的硼离子注入硅单晶材料表面下层，在硅单晶材料表面下一定深度处形成高掺杂的P型硅层，形成腐蚀阻挡层。
5.根据权利要求1的硅衬底，其中所述数微米深度1-9微米深。
6.根据权利要求1的硅衬底，其中所述腐蚀阻挡层的厚度为I一 3微米。
7.根据权利要求6的娃衬底,其中所述娃本体材料为娃或掺杂P原子的娃。
8.一种将生长在硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，包括以下步骤: O使用硅衬底作为衬底材料，在该硅衬底的第一面上外延生长半导体器件；其中在该硅衬底的硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比该硅本体材料小；其中以距离所述腐蚀阻挡层近的硅衬底表面为该娃衬底的第一面； 2)用光刻胶涂覆该硅衬底的与该第一面相对的第二面上，并通过掩膜光刻法在该第二面上制造局部腐蚀的图形窗口； 3)将该硅衬底浸入第一硅腐蚀液中，从上述图形窗口处开始腐蚀硅本体材料，直至腐蚀到所述腐蚀阻挡层；其中所述第一硅腐蚀液能腐蚀硅本体材料但基本不腐蚀所述腐蚀阻挡层； 4)去除所述第二面上的光刻胶，并在该第一硅腐蚀液中进一步腐蚀硅本体材料，直到腐蚀到所述腐蚀阻挡层为止； 5)使用第二硅腐蚀液,腐蚀掉所述腐蚀阻挡层,并将剩余的硅本体材料也腐蚀掉,完成硅衬底的剥离；其中所述第二硅腐蚀液能够腐蚀所述腐蚀阻挡层。
9.权利要求8的方法，其中在步骤I)和步骤2)之间，还包括从硅衬底的第二面开始进行研磨减薄的步骤。
10.权利要求8的方法，其中在步骤3)开始之前，将所述半导体器件的表面贴合在膨胀系数与该半导体器件相近的材料制成的环形支撑材料上，并在半导体器件表面涂覆耐腐蚀胶以保护半导体器件。
11.权利要求8的方法，其中所述硅腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸与水的混合物，或KOH溶液或NaOH溶液。
12.权利要求8的方法，其中所述半导体器件包括GaN基半导体光电器件。
【文档编号】H01L21/302GK103824766SQ201410093908
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2014年3月13日
【发明者】邵春林, 林岳明, 汪英杰 申请人:华延芯光（北京）科技有限公司