显示面板及其制作方法
【专利摘要】一种显示面板的制作方法。于一第一基板形成至少一有源元件。形成一第一绝缘层于第一基板上且覆盖有源元件。形成至少一彩色滤光图案于第一绝缘层上。形成一保护层于彩色滤光图案上。形成一第二绝缘层于保护层上，其中保护层的蚀刻速率低于第二绝缘层的蚀刻速率。对第二绝缘层进行一图案化程序，至暴露出有源元件的一源极、一漏极以及部分保护层，而形成一图案化绝缘层。形成一像素电极于图案化绝缘层上。将一第二基板跟第一基板组装，并于像素电极与一共用电极之间设置一显示介质层。
【专利说明】显示面板及其制作方法
【【技术领域】】
[0001]本发明是有关于一种显示面板及其制作方法，且特别是有关于一种具有较佳结构可靠度的显示面板及其制作方法。
【【背景技术】】
[0002]已知的有源元件阵列基板的制作方法是于基板上形成有源元件，接着，于有源元件上覆盖整层完整的保护层，其中保护层完全覆盖有源元件与基板。之后，再蚀刻保护层至有源元件，并且再形成图案化像素电极于保护层上，其中图案化像素电极会暴露出其底下的部分保护层。然而，蚀刻保护层至有源元件时，仍会造成有源元件表面损伤与接触面不佳的问题产生。如此一来，将造成有源元件阵列基板的制程良率下降，同时也会降低有源元件阵列基板的结构可靠度。
【
【发明内容】
】
[0003]本发明提供一种显示面板及其制作方法，可以解决已知蚀刻过程中侵蚀到有源元件或彩色滤光图案的问题，具有较佳的结构可靠度。
[0004]本发明的显示面板的制作方法，其包括以下步骤。于一第一基板形成至少一有源元件，其中第一基板区分有至少一像素区，且有源元件位于像素区并具有一源极与一漏极。形成一第一绝缘层于第一基板上且覆盖有源元件。形成至少一彩色滤光图案于第一绝缘层上，且彩色滤光图案暴露出位于漏极上方的部分第一绝缘层。形成一保护层于彩色滤光图案上，且保护层覆盖 彩色滤光图案与彩色滤光图案所暴露出位于漏极上方的部分第一绝缘层。形成一第二绝缘层于保护层上，且第二绝缘层覆盖保护层，其中保护层的蚀刻速率低于第二绝缘层的蚀刻速率。对第二绝缘层进行一图案化程序，至暴露出有源元件的部分漏极以及部分保护层，而形成一图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有多个对应像素区设置的条状结构，且每二相邻条状结构之间具有至少一凹槽，且凹槽暴露出部分保护层。形成一像素电极于图案化绝缘层上，其中像素电极为一块状电极且覆盖图案化绝缘层的条状结构与凹槽，并依据条状结构而凸起以形成多个条状电极，且像素电极连接图案化绝缘层所暴露出的有源元件的部分漏极。将一第二基板跟第一基板组装，其中第二基板上已形成有一对应像素电极的共用电极，并于像素电极与共用电极之间设置一显示介质层。
[0005]在本发明的一实施例中，上述的对第二绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于第二绝缘层上，第一图案化光阻层暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分第二绝缘层以及位于漏极上方的部分第二绝缘层:以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层以及位于漏极上方的部分保护层；移除第一图案化光阻层，以暴露出第二绝缘层，且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层；形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后所暴露出的第二绝缘层上，第二图案化光阻层暴露出位于漏极上方的部分保护层；以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分漏极；以及移除第二图案化光阻层。
[0006]在本发明的一实施例中，上述的对第二绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于第二绝缘层上，第一图案化光阻层暴露出位于源极上方的部分第二绝缘层；以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分漏极；移除第一图案化光阻层，以暴露出第二绝缘层；形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后所暴露出的第二绝缘层上，第二图案化光阻层暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分第二绝缘层；以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层；以及移除第二图案化光阻层，以暴露出第二绝缘层，且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的对第二绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一光阻层于第二绝缘层上，光阻层覆盖第二绝缘层；提供一半调式光罩于光阻层上，并进行一显影程序，以暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的光阻层的一部分以及位于漏极上方的部分第二绝缘层；以光阻层为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层以及部分漏极；以及移除光阻层，以暴露出第二绝缘层，且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的保护层的厚度约介于0.01微米至0.3微米之间，而第二绝缘层的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮
化娃招。
[0010]在本发明的一实施例中，上述的第二绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的第一基板更区分有一电性连接像素区的周边区以及一与周边区连接的接垫区，且接垫区具有至少一接垫。周边区具有至少一转线结构，其中形成转线结构的步骤包括:于形成有源元件的一栅极、一栅绝缘层、源极与漏极时，同时形成一第一金属层、一绝缘层与一第二金属层于周边区，其中第一金属层与栅极属同一膜层，绝缘层与栅绝缘层属同一膜层且位于第一金属层与第二金属层之间，而第二金属层与源极及漏极属同一膜层；形成第一绝缘层时，第一绝缘层同时覆盖有源元件与第一金属层与第二金属层；对第二绝缘层进行图案化程序时，图案化绝缘层更暴露出第一金属层与第二金属层；以及形成一电极层于图案化绝缘层上时，电极层会连接图案化导电层所暴露出的第一金属层与第二金属层，而形成转线结构。
[0012]本发明的显示面板的制作方法，其包括以下步骤。于一第一基板上形成至少一有源元件，其中第一基板区分有至少一像素区，且有源元件位于像素区并具有一源极与一漏极。形成一保护层于第一基板上，且保护层覆盖有源元件。形成一绝缘层于保护层上，且绝缘层覆盖保护层，其中保护层的蚀刻速率低于绝缘层的蚀刻速率。对绝缘层进行一图案化程序，至暴露出有源元件的部分漏极以及部分保护层，而形成一图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有多个对应像素区设置的条状结构，且每二相邻条状结构之间具有至少一凹槽，凹槽暴露出部分保护层。形成一像素电极于图案化绝缘层上，像素电极为一块状电极且覆盖图案化绝缘层的条状结构与凹槽，并依据条状结构而凸起以形成多个条状电极，且像素电极连接图案化绝缘层所暴露出的有源元件的部分漏极。将一第二基板跟第一基板组装，其中第二基板上已形成有一对应像素电极的共用电极，并于像素电极与共用电极之间设置一显不介质层。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的对绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于绝缘层上，第一图案化光阻层暴露出绝缘层的多个第一部分以及多个第二部分，其中绝缘层的第一部分于第一基板上的正投影不重叠于有源元件于第一基板上的正投影，而绝缘层的第二部分于第一基板上的正投影重叠于漏极于第一基板上的正投影；以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层；移除第一图案化光阻层，以暴露出绝缘层，且绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层；形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后所暴露出保护层上，第二图案化光阻层暴露出保护层的多个第三部分，其中保护层的第三部分于第一基板上的正投影部分重叠于漏极于第一基板上的正投影；以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出有源元件的部分漏极；以及移除第二图案化光阻层。
[0014]在本发明的一实施例中，上述的对绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于绝缘层上，第一图案化光阻层暴露出绝缘层的多个第一部分，其中绝缘层的第一部分于第一基板上的正投影部分重叠于漏极于第一基板上的正投影；以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出有源元件的部分漏极；移除第一图案化光阻层，以暴露出绝缘层；形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后的绝缘层上，第二图案化光阻层暴露出绝缘层的多个第二部分，其中绝缘层的第二部分于第一基板上的正投影不重叠于有源元件于第一基板上的正投影；以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层；以及移除第二图案化光阻层，而形成图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层。
[0015]在本发明的一实施例中，上述的对绝缘层进行图案化程序，而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一光阻层于绝缘层上，光阻层覆盖绝缘层；提供一半调式光罩于光阻层上，并进行一显示程序，以暴露出绝缘层的多个第一部分与多个第二部分，其中绝缘层的第一部分于第一基板上的正投影不重叠于有源元件于第一基板上的正投影，而绝缘层的第二部分于第一基板上的正投影部分重叠于有源元件于第一基板上的正投影；以光阻层为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层及部分漏极；以及移除光阻层，而形成图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽，以暴露出部分保护层。
[0016]在本发明的一实施例中，上述的保护层与绝缘层的蚀刻速率比约为1:3。
[0017]在本发明的一实施例中，上述的保护层的厚度约介于0.01微米至0.3微米之间，而绝缘层的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间。
[0018]在本发明的一实施例中，上述的保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮
化娃招。
[0019]在本发明的一实施例中，上述的绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化娃招。
[0020]在本发明的一实施例中，上述的第一基板更区分有一电性连接像素区的周边区以及一与周边区连接的接垫区，且接垫区具有至少一接垫，周边区具有至少一转线结构，其中形成转线结构的步骤包括:于形成有源元件的一栅极、一栅绝缘层、源极与漏极时，同时形成一第一金属层、一绝缘层与一第二金属层于周边区，其中第一金属层与栅极属同一膜层，绝缘层与栅绝缘层属同一膜层且位于第一金属层与第二金属层之间，而第二金属层与源极及漏极属同一膜层；形成保护层时，保护层同时覆盖有源元件与第一金属层与第二金属层；对绝缘层进行图案化程序时，图案化绝缘层更暴露出第一金属层与第二金属层；以及形成一电极层于图案化绝缘层上时，电极层会连接图案化导电层所暴露出的第一金属层与第二金属层，而形成转线结构。
[0021]本发明的显示面板，其包括一第一基板、至少一有源元件、一第一绝缘层、至少一彩色滤光图案、一保护层、一图案化绝缘层、一像素电极、一第二基板、一共用电极以及一显示介质层。第一基板区分有至少一像素区。有源元件位于像素区，且具有一源极与一漏极。第一绝缘层配置于第一基板上，且覆盖有源元件，其中第一绝缘层具有至少一个第一开口，且第一开口暴露出有源元件的部分漏极。彩色滤光图案配置于第一绝缘层上，其中彩色滤光图案暴露出位于漏极上的部分第一绝缘层。保护层配置于彩色滤光图案上，且覆盖彩色滤光图案与彩色滤光图案所暴露出位于漏极上的的部分第一绝缘层。保护层具有至少一个第二开口，且第二开口连通第一开口且暴露出有源元件的部分漏极。图案化绝缘层配置于保护层上，具有多个对应像素区设置的条状结构，且每二相邻条状结构之间具有至少一凹槽，凹槽暴露出部分保护层，其中条状结构位于彩色滤光图案上，且条状结构于第一基板上的正投影不重叠于有源元件于第一基板上的正投影。图案化绝缘层具有至少一个第三开口，第三开口连通第二开口与第一开口且暴露出有源元件的部分漏极。像素电极配置于图案化绝缘层上，其中像素电极为一块状电极且覆盖图案化绝缘层的条状结构与凹槽，并依据条状结构而凸起以形成多个条状电极，且像素电极通过第三开口、第二开口以及第一开口连接有源元件的漏极。第二基板配置于第一基板的对向。共用电极配置于第二基板上。显示介质层配置于第一基板与第二基板之间，其中共用电极与像素电极位于显示介质层的相对两侧。
[0022]在本发明的一实施例中，上述的第一基板更区分有一电性连接像素区的周边区以及一与周边区连接的接垫区，且接垫区具有至少一接垫，周边区具有至少一转线结构。转线结构包括一第一金属层、一第二金属层、延伸至第一金属层与第二金属层之间的第一绝缘层与延伸配置于周边区且覆盖第一绝缘层的保护层、图案化绝缘层以及一电极层。第一绝缘层、保护层以及图案化绝缘层分别具有多个第一子开口、多个第二子开口以及多个第三子开口。第三子开口连通第二子开口与第一子开口，且电极层通过第三子开口、第二子开口以及第一子开口连通第一金属层与第二金属层。
[0023]在本发明的一实施例中，上述的保护层的厚度约介于0.01微米至0.3微米之间，而第二绝缘层的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间。
[0024]在本发明的一实施例中，上述的保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮
化娃招。
[0025]在本发明的一实施例中，上述的第二绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
[0026]本发明的显示面板，其包括一第一基板、至少一有源元件、一保护层、一图案化绝缘层、一像素电极、一第二基板、一共用电极以及一显不介质层。第一基板区分有至少一像素区。有源元件位于像素区，且具有一源极与一漏极。保护层配置于第一基板上，且覆盖有源元件，其中，保护层具有至少一个第一开口，第一开口暴露出有源元件的部分漏极。图案化绝缘层配置于保护层上，具有多个对应像素区设置的条状结构。每二相邻条状结构之间具有至少一凹槽，凹槽暴露出部分保护层，其中，条状结构于第一基板上的正投影不重叠于有源元件于第一基板上的正投影，且图案化绝缘层具有至少一个第二开口，第二开口连通第一开口且暴露出有源元件的部分漏极。像素电极配置于图案化绝缘层上，其中，像素电极为一块状电极且覆盖图案化绝缘层的条状结构与凹槽，并依据条状结构而凸起以形成多个条状电极。像素电极通过第二开口以及第一开口连接有源元件的部分漏极。第二基板配置于第一基板的对向。共用电极配置于第二基板上。显不介质层配置于第一基板与第二基板之间，其中，共用电极与像素电极位于显示介质层的相对两侧。
[0027]在本发明的一实施例中，上述的第一基板更区分有一电性连接像素区的周边区以及一与周边区连接的接垫区，且接垫区具有至少一接垫，周边区具有至少一转线结构。转线结构包括一第一金属层、一第二金属层、一延伸至第一金属层与第二金属层之间的栅绝缘层与延伸配置于周边区且覆盖第二金属层的保护层、图案化绝缘层以及一电极层。保护层以及图案化绝缘层分别具有多个第一子开口以及多个第二子开口，第二子开口连通第一子开口，且电极层通过第二子开口与第一子开口连通第一金属层与第二金属层。
[0028]在本发明的一实施例中，上述的保护层的厚度约介于0.01微米至0.3微米之间，而绝缘层的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间。
[0029]在本发明的一实 施例中，上述的保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮
化娃招。
[0030]在本发明的一实施例中，上述的绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧
化娃招。
[0031]基于上述，由于本发明的显示面板的制作方法中，于彩色滤光图案上形成有保护层，且此保护层的蚀刻速率低于第二绝缘层的蚀刻速率。因此，于图案化第二绝缘层的过程中，彩色滤光图案可以有效地被保护层所保护，可提高整体显示面板的制作良率与结构可靠度。
[0032]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0033]图1A与图1B分别绘示为本发明的一实施例的一种显示面板的第一基板上的像素区与周边区俯视示意图。
图2A至图2M绘示为沿图1A的线Ι-1及沿图1B的线ΙΙ-Ι1的显示面板的制作方法的剖面示意图。
图2Ν绘示为图2Μ的第一基板上的像素区的局部图层的立体示意图。
图20绘示为本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。图3A至图3D绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
图4A至图4B绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
图5A与图5B绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的第一基板上的像素区与周边区俯视示意图。
图6A至图6J绘示为沿图5A的线II1-1II’及沿图5B的线IV-1V’的显示面板的制作方法的剖面示意图。
图6K绘不为本发明的另一实施例的一种显不面板的剖面不意图。
图7A至图7D绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
图8A至图SB绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
【符号说明】
[0034]10a、10b:显示面板 110:第一基板 112:内表面 120:第一绝缘层 130:彩色滤光图案 140、140’:保护层 150、150’、150”:第二绝缘层 150a:图案化绝缘层 152:条状结构 154:凹槽 160:像素电极 162:条状电极 170、170’:绝缘层 172:条状结构 174:凹槽 180:像素电极 182:条状电极 210:第二基板 220:共用电极 300:显示介质层 A:部分:
C:通道层 D:漏极
EL、EL，:电极层
G:栅极G1:栅绝缘层 1:绝缘层
M1、M11、M4、M44:第一光罩图案 M2、M22、M5:第二光罩图案 M3、M6:半调式光罩 MLl:第一金属层 ML2:第二金属层
01、01’、Τ1、Τ:第一开口
02、02’、Τ2、Τ2’:第二开口
03、03，:第三开口 PUPll:像素区 Ρ1’、Ρ1、Ρ11:第一部分 Ρ2、Ρ22:周边 区 Ρ2，、Ρ22，、Ρ222，:第二部分 Ρ3’:第三部分
PR1、PR3:第一光阻层
PR1’、PR11、PR 3’、PR33:第一图案化光阻层 PR2、PR4:第二光阻层
PR2’、PR22、PR4’、PR44:第二图案化光阻层 S:源极 T:有源元件 TS、TS’:转线结构
【【具体实施方式】】
[0035]图1A与图1B分别绘示为本发明的一实施例的一种显示面板的第一基板上的像素区与周边区俯视示意图。图2A至图2M绘示为沿图1A的线Ι-及沿图1B的线ΙΙ-Ι的显示面板的制作方法的剖面示意图。图2N绘示为图2M的第一基板上的像素区的局部图层的立体示意图。图20绘示为本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。为了方便说明起见，图2N及图20中省略部分构件。请先同时参考图1A、1B与图2A，依照本实施例的显示面板的制作方法，首先，于一第一基板110上形成至少一有源元件T，其中，第一基板110区分有至少一像素区P1。此处，第一基板110例如是一玻璃基板或塑胶基板。如图2A所示，本实施例的有源元件T包括一栅极G、一栅绝缘层G1、一通道层C、一源极S以及一漏极D，其中，栅极G配置于第一基板110，栅绝缘层GI覆盖栅极G与第一基板110的一内表面112，且通道层C配置于栅绝缘层GI的一侧上，而源极S与漏极D彼此分离且配置于通道层C上并位于栅极G的相对两侧。此处，有源元件T例如是一底栅极型薄膜晶体管。当然，于其他未绘示的实施例中，有源元件T亦可为顶栅极型薄膜晶体管、多栅极型薄膜晶体管或其他适合的薄膜晶体管。再者，通道层C的材质可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半导体、有机半导体或其它合适的半导体材料，于此并不加以限制。
[0036]请再参考图1A、图1B与图2A，本实施例的第一基板110更可区分有一电性连接像素区Pl的周边区P2以及一与周边区P2连接的接垫区(未绘示)，其中，接垫区具有至少一接垫(未绘示)，而周边区P2具有至少一转线结构TS (请参考图2M)，即周边区P2会位于像素区Pl与接垫区(未绘示)之间，则接垫区(未绘示)会最接近第一基板110的边缘。因此，接垫(未绘示)的一端会连接转线结构TS的一端,而接垫(未绘示)的另一端会连接除了像素区Pl之外的外部电路(未绘示)，包含驱动电路(未绘示)、电路芯片(未绘示)、电路板(未绘示)或其它合适的电路。详细来说，于形成有源元件T的栅极G、栅绝缘层G1、源极S与漏极D时，同时形成一第一金属层ML1、一绝缘层I与一第二金属层ML2于周边区P2，其中，第一金属层MLl与栅极G属同一膜层，绝缘层I与栅绝缘层GI属同一膜层且位于第一金属层MLl与第二金属层ML2之间，而第二金属层ML2与源极S及漏极D属同一膜层。此外，栅极G会连接一扫描线(或称为栅极线，未绘示)，源极S会连接一数据线(或称为信号线，未绘示)，因此，转线结构TS的另一端不是连接栅极线(未绘示)就是连接数据线(未绘示)。于本实施例中，源极S是直接连接数据线为范例，源极S亦可通过导电层连接数据线。其中，第一金属层MLl与栅极G分隔开来，且上述也不互相接触；第二金属层ML2与源/漏极S/D分隔开来，且上述也不互相接触；第一金属层MLl与第二金属层ML2分隔开来，且上述也不互相接触。
[0037]接着，请参考图2B，形成一第一绝缘层120于第一基板110上且覆盖有源元件T，其中，于形成第一绝缘层120时，第一绝缘层120会同时覆盖有源元件T与位于周边区P2的第一金属层MLl与第二金属层ML2。接着,形成至少一彩色滤光图案130于第一绝缘层120上，其中，彩色滤光图案130暴露出位于有源元件T的漏极D上方的部分第一绝缘层120。在周边区P2中，彩色滤光图案130会暴露出第二金属层ML2上方的部分第一绝缘层120以及第一金属层MLl上方的部分第一绝缘层120。当然，于其他未绘示的实施例中，彩色滤光图案暴露出位于有源元件的源极上方的部分第一绝缘层，于此并不加以限制。如图2B所示，本实施例的彩色滤光图案130绘示为多个，其中，彩色滤光图案130例如是由红色滤光图案、蓝色滤光图案及绿色滤光图案所组成；或者是，红色滤光图案、蓝色滤光图案、绿色滤光图案及第四色滤光图案所组成，于此并不加以限制。第四色滤光图案包含透明滤光图案(或称为白色滤光图案)、黄色滤光图案、或其它色座标上的颜色。
[0038]接着，请参考图2C，形成一保护层140于彩色滤光图案130上，其中，保护层140覆盖彩色滤光图案130与彩色滤光图案130所暴露出位于漏极D上方的第一绝缘层120。于周边区P2中，保护层140形成于彩色滤光图案130上，其中，保护层140覆盖彩色滤光图案130与彩色滤光图案130所暴露出位于第二金属层ML2上方的部分第一绝缘层120以及第一金属层MLl上方的部分第一绝缘层120。需说明的是，本实施例的保护层140的厚度，较佳地，约介于0.01微米至0.3微米之间，而保护层140的材质例如是氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氮化铝(AlNx)或氮化硅铝(SiAlNx)。
[0039]接着，请参考图2D，形成一第二绝缘层150于保护层140上，其中，第二绝缘层150覆盖保护层140。于周边区P2中，第二绝缘层150形成于保护层140上，其中，第二绝缘层150覆盖保护层140。其中，保护层140的蚀刻速率实质上低于第二绝缘层150的蚀刻速率。较佳地，保护层140与第二绝缘层150的蚀刻速率比约为1:3。此处，第二绝缘层150的厚度，较佳地，约介于0.1微米至0.5微米之间，且第二绝缘层150的材质例如是氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)或氧化硅铝(SiAlOx)。更具体来说，为了满足保护层140与第二绝缘层150的蚀刻速率比约为1:3的条件，则保护层140与第二绝缘层150的材料实质上是不同的，例如:当保护层140的材质选择为氧化硅时，较佳地，第二绝缘层150的材质应选择氮化硅或氮氧化硅；当保护层140的材质选择为氮氧化硅时，较佳地，第二绝缘层150的材质应选择氮化硅；当保护层140的材质选择为氮化铝时，较佳地，第二绝缘层150的材质应选择氧化铝；当保护层140的材质选择为氮化硅铝时，较佳地，第二绝缘层150的材质应选择氧化硅铝。
[0040]接着，请参考图2E，对第二绝缘层150进行一图案化程序，首先，形成一第一光阻层PRl于第二绝缘层150上，其中，第一光阻层PRl覆盖第二绝缘层150。于周边区P2中，第一光阻层PRl形成于第二绝缘层150上,其中，第一光阻层PRl覆盖第二绝缘层150。
[0041]接着，请参考图2F，提供一第一光罩图案Ml于第一光阻层PRl上，并进行曝光及显影程序，而形成一第一图案化光阻层PR1’。此处，第一图案化光阻层PR1’形成于第二绝缘层150上，且第一图案化光阻层PR1’暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的部分第二绝缘层150以及位于漏极D上方的部分第二绝缘层150。于周边区P2中，第一图案化光阻层PRl’暴露出位于第二金属层ML2上方的部分第二绝缘层150以及第一金属层MLl上方的部分第二绝缘层150。
[0042]接着，请参考图2G，以第一图案化光阻层PR1’为一第一蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的部分保护层140以及位于漏极D上方的部分保护层140。于周边区P2中，以第一图案化光阻层PR1’为第一蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出位于第二金属层ML2上方的部分保护层140以及位于第一金属层MLl上方的部分保护层140。
[0043]接着，请参考图2H，移除第一图案化光阻层PR1’，以暴露出第二绝缘层150’。此时，如图2H所示，第二绝缘层150’具有对应像素区Pl设置的条状结构152以及每二相邻条状结构152之间具有凹槽154，以暴露出部分保护层140。于周边区P2中，移除第一图案化光阻层PR1’，以暴露出第二绝缘层150’。
[0044]接着，请参考图21，形成一第二光阻层PR2于移除第一图案化光阻层PR1’之后所暴露出的第二绝缘层150’上，其中，第二光阻层PR2覆盖第二绝缘层150’的条状结构152与凹槽154以及被暴露出且位于漏极D上方的部分保护层140。于周边区P2中，形成一第二光阻层PR2于移除第一图案化光阻层PR1’之后所暴露出的第二绝缘层150’上，其中，第二光阻层PR2覆盖第二绝缘层150’上以及被第二绝缘层150’暴露出位于第一金属层MLl与第二金属层ML2上方的部分保护层140。
[0045]接着，请参考图2J，提供一第二光罩图案M2于第二光阻层PR2上，并进行曝光及显影程序，而形成一第二图案化光阻层PR2’。此时，第二图案化光阻层PR2形成于移除第一图案化光阻层PRl之后所暴露出的第二绝缘层150’上，且第二图案化光阻层PR2’暴露出位于漏极D上方的部分保护层140。也就是说，在像素区Pl中，第二图案化光阻层PR2仅暴露出位于漏极D上方的部分保护层140。于周边区P2中，第二图案化光阻层PR2形成于移除第一图案化光阻层PRl之后所暴露出的第二绝缘层150’上，且第二图案化光阻层PR2’暴露出位于第一金属层MLl与第二金属层ML2上方的部分保护层140。
[0046]接着，请参考图2K，以第二图案化光阻层PR2’为一第二蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出有源元件T的部分漏极D。于周边区P2中，以第二图案化光阻层PR2’为一第二蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。[0047]接着，请参考图2L，移除第二图案化光阻层PR2’，而形成图案化绝缘层150a。此时，如图1A与图2L所示，图案化绝缘层150a暴露出位于像素区Pl的部分保护层140与有源元件T的部分漏极D以及位于周边区P2的部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。此处，图案化绝缘层150a具有对应像素区Pl设置的条状结构152，而每二相邻条状结构152之间具有凹槽154，且凹槽154暴露出部分保护层140。
[0048]之后，请参考图1A、图1B、图2M与图2N，形成一像素电极160于图案化绝缘层150a上，其中，像素电极160为一块状电极(亦可称为平板状电极,也就是说,像素电极160内或上没有开口、凹槽、狭缝或图案)且覆盖图案化绝缘层150a的条状结构152与凹槽154，并依据条状结构152而凸起以形成多个条状电极162，且像素电极160连接图案化绝缘层150a所暴露出的有源元件T的部分漏极D。此时，于周边区P2中，形成一电极层EL于图案化绝缘层150a上时，其中，电极层EL会连接图案化导电层150a所暴露出的第一金属层MLl与第二金属层ML2,而形成转线结构TS。此处,像素电极160与电极层EL属于同一膜层,但两者彼此分离且不互相接触。至此，已完成于第一基板110上的元件的制作。
[0049]最后，请参考图20，将一第二基板210跟第一基板110组装，其中，第二基板210上已形成有一对应像素电极160的共用电极220，并于像素电极160与共用电极220之间设置一显示介质层300,例如:液晶材料。至此，已完成显示面板IOa的制作。
[0050]需说明的是，本实施例并不限定形成图案化绝缘层150a的制作方法。图3A至图3D绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的图案化绝缘层150a的制作方法与前述实施例相似，差异的处仅在于:于图2E的步骤之后，即形成第一光阻层PRl于第二绝缘层150上，其中，第一光阻层PRl覆盖第二绝缘层150之后，请参考图3A，提供一第一光罩图案Mll于第一光阻层PRl上，并进行曝光及显影程序，而形成一第一图案化光阻层PR11。此时，第一图案化光阻层PRll形成于第二绝缘层150上，且第一图案化光阻层PRll暴露出位于漏极D上方的部分第二绝缘层150。于周边区P2中，第一图案化光阻层PRlI暴露出位于第二金属层ML2上方的部分第二绝缘层150以及第一金属层MLl上方的部分第二绝缘层150。
[0051]接着，请参考图3B，以第一图案化光阻层PRll为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分漏极D。也就是说，第一图案化光阻层PRll仅暴露出位于像素区Pl中的漏极D。于周边区P2中，以第一图案化光阻层PRll为第一蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出部分第二金属层ML2以及部分第一金属层ML1。接着，请参考图3C，移除第一图案化光阻层PR11，以暴露出第二绝缘层150”。接着，请参考图3D，形成一第二图案化光阻层PR22于移除第一图案化光阻层PRll之后所暴露出的第二绝缘层150”上，其中，第二图案化光阻层PR22暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的部分第二绝缘层150”，即第二图案化光阻层PR22会覆盖所暴露出的部分漏极D。于周边区P2中，第二图案化光阻层PR22会覆盖所暴露出的部分第二金属层ML2以及部分第一金属层ML1。此处，形成第二图案化光阻层PR22是通过于其上方配置一第二光罩图案M22，并进行曝光及显影光阻的程序所形成。接着，以第二图案化光阻层PR22为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的部分保护层140，并移除第二图案化光阻层PR22，而形成同图2L的图案化绝缘层150a。
[0052]或者是，图4A至图4B绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例可于图2E的步骤之后，即形成光阻层PRl于第二绝缘层150上，其中，光阻层PRl覆盖第二绝缘层150之后，请参考图4A，提供一半调式光罩M3于光阻层PRl上，并进行一显影程序，以暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的光阻层PRl的一部分A以及位于漏极D上方的部分第二绝缘层150。部分A具有一厚区及一薄区，厚区对应于图案化绝缘层150a保留处，而薄区对应于图案化绝缘层150a移除处，用以形成图案化绝缘层150a所述的条状结构152与凹槽154。其中薄区的厚度小于厚区的厚度，而位于漏极D上方的部分第二绝缘层150上不存在光阻。于周边区P2中，光阻层PRl会暴露出位于第二金属层ML2上方的部分第二绝缘层150以及第一金属层MLl上方的部分第二绝缘层150。光阻层PRl接着，请参考图4B，以光阻层PRl为一蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出位于像素区Pl的彩色滤光图案130上的部分保护层140以及部分漏极D。于周边区P2中，以光阻层PRl为一蚀刻罩幕，干蚀刻至暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。之后，移除光阻层PR1，即可形成同图2L的图案化绝缘层150a。
[0053]请再同时参考图1A、图1B、图2M及图20，在结构上，显示面板IOa包括第一基板110、有源元件T、第一绝缘层120、彩色滤光图案130、保护层140、图案化绝缘层150a、像素电极160、第二基板210、共用电极220以及显示介质层300。第一基板110区分有像素区P1，而有源元件T位于像素区P1，且具有源极S与漏极D。第一绝缘层120配置于第一基板110上，且覆盖有源元件T，其中，第一绝缘层120具有至少一个第一开口 01，且第一开口 01分别暴露出有源元件T的部分漏极D。彩色滤光图案130配置于第一绝缘层120上，其中，彩色滤光图案130暴露出位于漏极D上方的部分第一绝缘层120。保护层140配置于彩色滤光图案130上，且覆盖彩色滤光图案130与彩色滤光图案130所暴露出位于漏极D上方的的第一绝缘层120。保护层140具有至少一个第二开口 02，且第二开口 02连通第一开口01且暴露出有源元件T的部分漏极D。
[0054]再者，图案化绝缘层150a配置于保护层140上，具有多个对应像素区Pl设置的条状结构152，而每二相邻条状结构152之间具有凹槽154，且凹槽154暴露出部分保护层140，其中，条状结构152位于彩色滤光图案130上，且条状结构152于第一基板110上的正投影不重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影。图案化绝缘层150a具有至少一个第三开口 03，第三开口 03连通第二开口 01与第一开口 02且暴露出有源元件T的部分漏极D。像素电极160配置于图案化绝缘层150a上，其中，像素电极160为块状电极(亦可称为平板状电极，也就是说，像素电极160内或上没有开口、凹槽、狭缝或图案)且覆盖图案化绝缘层150a的条状结构152与凹槽154，并依据条状结构152而凸起以形成多个条状电极162，且像素电极160通过第三开口 03、第二开口 01以及第一开口 02连接有源元件T的漏极D。第二基板210配置于第一基板110的对向。共用电极220配置于第二基板210上。显示介质层300配置于第一基板110与第二基板210之间，其中，共用电极220与像素电极160位于显示介质层300，例如:液晶材料的相对两侧。
[0055]此外，本实施例第一基板110更区分有电性连接像素区Pl的周边区P2以及与周边区P2连接的接垫区(未绘示)，其中，接垫区具有至少一接垫(未绘示)，而周边区P2具有转线结构TS。周边区P2会位于像素区Pl与接垫区(未绘示)之间，则接垫区(未绘示)会最接近第一基板110的边缘。因此，接垫(未绘示)的一端会连接转线结构TS的一端，转线结构TS的一端，不是连接扫描线就是连接数据线，而接垫(未绘示)的另一端会连接除了像素区Pl之外的外部电路(未绘示)，包含驱动电路(未绘示)、电路芯片(未绘示)、电路板(未绘示)或其它合适的电路。转线结构TS包括第一金属层ML1、第二金属层ML2、延伸至第一金属层MLl与第二金属层ML2之间的第一绝缘层120与延伸配置于周边区P2且覆盖第一绝缘层120的保护层140、图案化绝缘层150a以及电极层EL。第一绝缘层120、保护层140以及图案化绝缘层150a分别具有多个第一子开口 01’、多个第二子开口 02’以及多个第三子开口 03’。第三子开口 03’连通第二子开口 02’与第一子开口 01’，且电极层EL通过第三子开口 03’、第二子开口 02’以及第一子开口 01’连通第一金属层MLl与第二金属层ML2。
[0056]请再参考图2M，由于本实施例的彩色滤光图案130于制作图案化绝缘层150a之前已被保护层140所包覆，且保护层140的蚀刻速率低于第二绝缘层150的蚀刻速率。因此，于形成图案化绝缘层150a的蚀刻过程中，彩色滤光图案130可被保护层140所保护以避免蚀刻侵蚀。如此一来，本实施例的显示面板IOa可具有较佳的制程良率与结构可靠度。此外，由于本实施例的第一基板110上具有有源元件T与彩色滤光图案130，因此第一基板110及其上的元件可视为一整合有彩色滤光层图案的有源阵列(Color Filter onArray, COA)基板。
[0057]在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中，采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
[0058]图5A与图5B绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的第一基板上的像素区与周边区俯视示意图。图6A至图6J绘示为沿图5A的线II1-1II’及沿图5B的线IV-1V’的显示面板的制作方法的剖面示意图。图6K绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的剖面示意图。本实施例的显示面板IOb的制作方法与前述实施例的显示面板IOa的制作方法相似，惟二者主要差异的处在于:于第一基板110上不存在彩色滤光图案。因此，于图2A形成有源元件T于基板110上之后，请同时参考图5A、图5B与6A，直接形成一保护层140’于第一基板110上，其中，保护层140’覆盖位于像素区Pll的有源元件T的栅绝缘层G1、通道层C、源极S与漏极D。较佳地，保护层140’的厚度例如是约介于0.01微米至0.3微米之间，且保护层140’的材质例如是氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮化硅铝。此处，保护层140’亦覆盖位于周边区P22的第一金属层MLl与第二金属层ML2。
[0059]接着，请参考图6B，形成一绝缘层170于保护层140’上，其中，绝缘层170覆盖保护层140’，且保护层140’的蚀刻速率实质上低于绝缘层170的蚀刻速率。较佳地，保护层140’与绝缘层170的蚀刻速率比约为1:3。此处，绝缘层170的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间，且绝缘层170的材质例如是氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。更具体来说，为了满足保护层140’与绝缘层170的蚀刻速率比约为1:3的条件，则保护层140与第二绝缘层150的材料实质上是不同的，例如:当保护层140’的材质选择为氧化硅时，较佳地，绝缘层170的材质应选择氮化硅或氮氧化硅；当保护层140’的材质选择为氮氧化硅时，较佳地,绝缘层170的材质应选择氮化娃；当保护层140’的材质选择为氮化招时,较佳地,绝缘层170的材质应选择氧化铝；当保护层140’的材质选择为氮化硅铝时，较佳地，绝缘层170的材质应选择氧化硅铝。
[0060]接着，请参考图6C，对绝缘层170进行一图案化程序，首先，形成一第一光阻层PR3于绝缘层170上，其中，第一光阻层PR3覆盖绝缘层170。[0061 ] 接着，请参考图6D，提供一第一光罩图案M4于第一光阻层PR3上，并进行曝光与显影程序，而形成一第一图案化光阻层PR3’。第一图案化光阻层PR3’形成于绝缘层170上，且第一图案化光阻层PR3暴露出绝缘层170的多个第一部分Ρ1'以及多个第二部分P2’，其中，绝缘层170的第一部分Ρ1'于第一基板110上的正投影不重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影，而绝缘层170的第二部分P2’于第一基板110上的正投影重叠于漏极D于第一基板110上的正投影。于周边区P22中，第一图案化光阻层PR3’暴露出位于第二金属层ML2上方的部分绝缘层170，即第二部分P2’以及第一金属层MLl上方的部分绝缘层170，即第二部分P2’。
[0062]接着，请参考图6E，以第一图案化光阻层PR3’为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层140’。
[0063]接着，请参考图6F，移除第一图案化光阻层PR3’，而暴露出绝缘层170’，其中，绝缘层170’具有对应像素区Pll设置的条状结构172以及每二相邻条状结构172之间具有凹槽174，以暴露出部分保护层140’。
[0064]接着，请参考图6G，形成一第二光阻层PR4于移除第一图案化光阻层PR3’之后所暴露出的绝缘层170’上，其中，第二光阻层PR4覆盖绝缘层170’的条状结构172与凹槽174以及被绝缘层170’所暴露出的保护层140’。
[0065]接着，请参考图6H，提供一第二光罩图案M5于第二光阻层PR4上，并进行曝光与显影程序，而形成一第二图案化光阻层PR4’。第二图案化光阻层PR4’形成于移除第一图案化光阻层PR3’之后所暴露出保护层140’上，其中，第二图案化光阻层PR4’暴露出保护层140’的多个第三部分P3’，且保护层140’的第三部分P3’于第一基板110上的正投影部分重叠于漏极D于第一基板110上的正投影。于周边区P22中，第二图案化光阻层PR4’暴露出位于第二金属层ML2上 方的部分保护层140’，即第三部分P3’以及第一金属层MLl上方的部分保护层140’，即第三部分P3’。
[0066]接着，请同时参考图6H与图61，以第二图案化光阻层PR4’为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出有源元件T的部分漏极D。之后，并移除第二图案化光阻层PR4’，而形成一图案化绝缘层170a。此处，图案化绝缘层170a具有多个对应像素区Pll设置的条状结构172，而每二相邻条状结构172之间具有凹槽174，且凹槽174暴露出部分保护层140’。于周边区P22中，以第二图案化光阻层PR4’为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。之后，并移除第二图案化光阻层PR4’。如图61所示，本实施例的图案化绝缘层170a暴露出位于像素区Pll的部分保护层140’以及有源元件T的漏极D以及位于周边区P22的第一金属层MLl与第二金属层ML2。
[0067]之后，请参考图6J，形成一像素电极180于图案化绝缘层170a上，其中，像素电极180为一块状电极(亦可称为平板状电极，也就是说，像素电极160内或上没有开口、凹槽、狭缝或图案)且覆盖图案化绝缘层170a的条状结构172与凹槽174，并依据条状结构172而凸起以形成多个条状电极182，且像素电极180连接图案化绝缘层170a所暴露出的有源元件T的漏极D。如图6J所示，像素电极180并未覆盖图案化绝缘层170a于基板110上的正投影与有源元件T的栅极G于基板110上的正投影完全重叠的处。此外，于周边区P22中，形成一电极层EL’于图案化绝缘层170a上，其中，电极层ELl ’会连接图案化导电层170a所暴露出的第一金属层MLl与第二金属层ML2,而形成转线结构TS’。此处,像素电极180与电极层EL’属于同一膜层，但两者彼此分离且不互相接触。因此，本实施例的第一基板110更可区分有一电性连接像素区Pll的周边区P22以及一与周边区P22连接的接垫区(未绘示)，其中，接垫区具有至少一接垫(未绘示)，而周边区P22具有至少一转线结构TS’(请参考图6J)，即周边区P22会位于像素区Pll与接垫区(未绘示)之间，则接垫区(未绘示)会最接近第一基板110的边缘。因此，接垫(未绘示)的一端会连接转线结构TS’的一端，而接垫(未绘示)的另一端会连接除了像素区Pll之外的外部电路(未绘示)，包含驱动电路(未绘示)、电路芯片(未绘示)、电路板(未绘示)或其它合适的电路。而且栅极G会连接一扫描线(或称为栅极线，未绘示)，源极S会连接一数据线(或称为信号线，未绘示)，因此，转线结构TS’的另一端不是连接栅极线(未绘示)就是连接数据线(未绘示)。于本实施例中，源极S是直接连接数据线为范例，源极S亦可通过导电层连接数据线。其中，第一金属层MLl与栅极G分隔开来，且上述也不互相接触；第二金属层ML2与源/漏极S/D分隔开来，且上述也不互相接触；第一金属层MLl与第二金属层ML2分隔开来，且上述也不互相接触。至此，已完成于第一基板110上的元件的制作。至此，已完成于第一基板110上的元件的制作。
[0068]最后，请参考图6K，即将一第二基板210跟第一基板110组装，其中，第二基板210上已形成有一对应像素电极180的共用电极220，并于像素电极180与共用电极220之间设置一显示介质层300,例如:液晶。至此，已完成显示面板IOb的制作。
[0069]需说明的是，本实施例并不限定形成图案化绝缘层170a的制作方法。图7A至图7D绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的图案化绝缘层170a的制作方法与前述实施例相似，差异的处仅在于:于图6C的步骤之后，形成第一光阻层PR3于绝缘层170上，其中，第一光阻层PR3覆盖绝缘层170之后，提供一第一光罩图案M44于第一光阻层PR3上，并进行曝光及显影程序，而形成一第一图案化光阻层PR33。此时 ，第一图案化光阻层PR33形成于绝缘层170上，且第一图案化光阻层PR33暴露出绝缘层170的多个第一部分P11’，其中，绝缘层170的第一部分Ρ11'于第一基板110上的正投影部分重叠于漏极D于第一基板110上的正投影。于周边区P22中，第一图案化光阻层PR33暴露出位于第二金属层ML2上方的部分绝缘层170，即第二部分Ρ11'以及第一金属层MLl上方的部分绝缘层170，即第二部分Ρ1'。
[0070]接着，请参考图7B，以第一图案化光阻层PR33为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出有源元件T的部分漏极D。于周边区P22中，以第一图案化光阻层PR33为蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。之后，并移除第一图案化光阻层PR33。接着，请参考图7C，移除第一图案化光阻层PR33，以暴露出绝缘层170’。于周边区P22中，除了暴露出绝缘层170’之外，也暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。接着，请参考图7D，形成一第二图案化光阻层PR44于移除第一图案化光阻层PR33之后的绝缘层170 ’上，且第二图案化光阻层PR44暴露出绝缘层170 ’的多个第二部分P22 ’，其中，绝缘层170’的第二部分P22’于第一基板110上的正投影不重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影。于于周边区P22中，第二图案化光阻层PR44会覆盖绝缘层170’、暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。接着，以第二图案化光阻层PR44为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层170’，并移除第二图案化光阻层PR44，即可形成同图61的图案化绝缘层170a。[0071]或者是，图8A至图SB绘示为本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例可于图6C的步骤之后，形成第一光阻层PR3于绝缘层170上，其中，第一光阻层PR3覆盖绝缘层170之后，请参考图8A，提供一半调式光罩M6于光阻层PR3上，并进行一显影程序，以暴露出绝缘层170的多个第一部分Ρ11 与多个第二部分P222’，其中，绝缘层170的第一部分Ρ11 于第一基板110上的正投影不重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影，而绝缘层170的第二部分P222’于第一基板110上的正投影部分重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影。详细而言，光阻层PR3的薄区会对应于第一部分Ρ11 ，而光阻层PR3的薄区亦会对应于位在漏极D上方对的第二部分P222’以及位在第二金属层ML2上方对的第二部分P222’，第一金属层MLl上方不存在光阻层PR3而被暴露出来。接着，请参考图8B，以光阻层PR3为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分保护层140’及部分漏极D。于周边区P22中，以光阻层PR3为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分第一金属层MLl与部分第二金属层ML2。之后，再移除光阻层PR3，即可形成同图61的图案化绝缘层170a。
[0072]请同时参考图5A、图5B、图6J及图6K，在结构上，显示面板IOb包括第一基板110、有源元件T、保护层140’、图案化绝缘层170a、像素电极180、第二基板210、共用电极220以及显示介质层300。第一基板110区分有像素区P11，而有源元件T位于像素区P11，且具有源极S与漏极D。保护层140’配置于第一基板110上，且覆盖有源元件T，其中，保护层140’具有至少一个第一开口 Tl，第一开口 Tl暴露出有源元件T的部分漏极D。
[0073]图案化绝缘层170a配置于保护层140’上，具有多个对应像素区Pll设置的条状结构172。每二相邻条状结构172之间具有凹槽174，凹槽174暴露出部分保护层140’，其中，条状结构172于第一基板110上的正投影不重叠于有源元件T于第一基板110上的正投影，且图案化绝缘层170a具有至少一个第二开口 T2，第二开口 T2连通第一开口 Tl且暴露出有源元件T的部 分漏 极D。像素电极180配置于图案化绝缘层170a上，其中，像素电极180为块状电极(亦可称为平板状电极，也就是说，像素电极160内或上没有开口、凹槽、狭缝或图案)且覆盖图案化绝缘层170a的条状结构172与凹槽174，并依据条状结构172而凸起以形成多个条状电极182。像素电极180通过第二开口 T2以及第一开口 Tl连接有源元件T的漏极D。第二基板210配置于第一基板110的对向。共用电极220配置于第二基板210上。显不介质层300配置于第一基板110与第二基板210之间,其中，共用电极220与像素电极180位于显示介质层300，例如:液晶材料的相对两侧。
[0074]此外，本实施例的第一基板110更区分有电性连接像素区Pll的周边区P22以及与周边区P22连接的接垫区(未绘是)，而接垫区具有至少一接垫(未绘示)，且周边区P22具有转线结构TS’。周边区P22会位于像素区Pll与接垫区(未绘示)之间，则接垫区(未绘示)会最接近第一基板110的边缘。因此，接垫(未绘示)的一端会连接转线结构TS’的一端，转线结构TS’的一端，不是连接扫描线就是连接数据线，而接垫(未绘示)的另一端会连接除了像素区Pll之外的外部电路(未绘示)，包含驱动电路(未绘示)、电路芯片(未绘示)、电路板(未绘示)或其它合适的电路。转线结构TS’包括第一金属层ML1、第二金属层ML2、延伸至第一金属层MLl与第二金属层ML2之间的栅绝缘层GI与延伸配置于周边区P22且覆盖第二金属层ML2的保护层140’、图案化绝缘层170a以及电极层EL’。保护层140’以及图案化绝缘层170a分别具有多个第一子开口 Tl’以及多个第二子开口 T2’，其中，第二子开口 T2’连通第一子开口 Tl’，且电极层EL’通过第二子开口 T2’与第一子开口Tl’连通第一金属层MLl与第二金属层ML2。
[0075]请再参考图6J，由于本实施例的有源元件T于制作图案化绝缘层170a之前已被保护层140’所包覆，且保护层140’的蚀刻速率低于绝缘层170的蚀刻速率。因此，于形成图案化绝缘层170a的蚀刻过程中，有源元件T可被保护层140’所保护以避免蚀刻侵蚀。如此一来，本实施例的显示面板IOb可具有较佳的制程良率与结构可靠度。此外，由于本实施例的第一基板110具有有源元件T,因此本实施例的第一基板110及其上的元件可视为一有源元件阵列基板。
[0076]综上所述，由于本发明的基板结构的制作方法中，于彩色滤光图案(即COA基板)上或有源元件(即Non-COA基板)上皆形成有保护层，且此保护层的蚀刻速率低于第二绝缘层(或绝缘层)的蚀刻速率。因此，于图案化绝缘层的过程中，彩色滤光图案或有源元件可以有效地被保护层所保护，可提高整体基板结构的制作良率与结构可靠度。
[0077]虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
【权利要求】
1.一种显示面板的制作方法，包括: 于一第一基板形成至少一有源元件，其中该第一基板区分有至少一像素区，该有源元件位于该像素区且具有一源极与一漏极； 形成一第一绝缘层于该第一基板上且覆盖该有源兀件； 形成至少一彩色滤光图案于该第一绝缘层上，该彩色滤光图案暴露出位于该漏极上方的部分该第一绝缘层； 形成一保护层于该彩色滤光图案上，该保护层覆盖该彩色滤光图案与该彩色滤光图案所暴露出位于该漏极上方的部分该第一绝缘层； 形成一第二绝缘层于该保护层上，且该第二绝缘层覆盖该保护层，其中该保护层的蚀刻速率低于该第二绝缘层的蚀刻速率； 对该第二绝缘层进行一图案化程序，至暴露出该有源元件的部分该漏极以及部分该保护层，而形成一图案化绝缘 层，其中该图案化绝缘层具有多个对应该像素区设置的条状结构，且各二相邻该多个条状结构之间具有至少一凹槽，该凹槽暴露出部分该保护层； 形成一像素电极于该图案化绝缘层上，其中该像素电极为一 ±夹状电极且覆盖该图案化绝缘层的该多个条状结构与该凹槽，并依据该多个条状结构而凸起以形成多个条状电极，且该像素电极连接该图案化绝缘层所暴露出的该有源元件的部分该漏极；以及 将一第二基板跟该第一基板组装，其中该第二基板上已形成有一对应该像素电极的共用电极，并于该像素电极与该共用电极之间设置一显示介质层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该第二绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括: 形成一第一图案化光阻层于该第二绝缘层上，该第一图案化光阻层暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该第二绝缘层以及位于该漏极上方的部分该第二绝缘层:以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层以及位于该漏极上方的部分该保护层； 移除该第一图案化光阻层，以暴露出该第二绝缘层，且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层； 形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后所暴露出的该第二绝缘层上，该第二图案化光阻层暴露出位于该漏极上方的部分该保护层； 以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分该漏极；以及 移除该第二图案化光阻层。
3.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该第二绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括: 形成一第一图案化光阻层于该第二绝缘层上，该第一图案化光阻层暴露出位于该漏极上方的部分该第二绝缘层； 以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分该漏极； 移除该第一图案化光阻层，以暴露出该第二绝缘层； 形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后所暴露出的该第二绝缘层上，该第二图案化光阻层暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该第二绝缘层；以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层；以及 移除该第二图案化光阻层，以暴露出该第二绝缘层，且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层。
4.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该第二绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括: 形成一光阻层于该第二绝缘层上，该光阻层覆盖该第二绝缘层； 提供一半调式光罩于该光阻层上，并进行一显影程序，以暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的该光阻层的一部分以及位于该漏极上方的部分该第二绝缘层； 以该光阻层为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层以及部分该漏极；以及 移除该光阻层，以暴露出该第二绝缘层，且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层。
5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该保护层的厚度介于0.01微米至0.3微米之间，而该第二绝缘层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。
6.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝 或氮化硅铝。
7.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该第二绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
8.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该第一基板更区分有一电性连接该像素区的周边区以及一与该周边区连接的接垫区，且该接垫区具有至少一接垫，该周边区具有至少一转线结构，其中形成该转线结构的步骤包括: 于形成该有源元件的一栅极、一栅绝缘层、该源极与该漏极时，同时形成一第一金属层、一绝缘层与一第二金属层于该周边区，其中该第一金属层与该栅极属同一膜层，该绝缘层与该栅绝缘层属同一膜层且位于该第一金属层与该第二金属层之间，而该第二金属层与该源极及该漏极属同一膜层； 形成该第一绝缘层时，该第一绝缘层同时覆盖该有源元件与该第一金属层与该第二金属层； 对该第二绝缘层进行该图案化程序时，该图案化绝缘层更暴露出该第一金属层与该第二金属层；以及 形成一电极层于该图案化绝缘层上时，该电极层会连接该图案化导电层所暴露出的该第一金属层与该第二金属层，而形成该转线结构。
9.一种显示面板的制作方法，包括: 于一第一基板上形成至少一有源元件，其中该第一基板区分有至少一像素区，该有源元件位于该像素区且具有一源极与一漏极； 形成一保护层于该第一基板上，该保护层覆盖该有源元件； 形成一绝缘层于该保护层上，且该绝缘层覆盖该保护层，其中该保护层的蚀刻速率低于该绝缘层的蚀刻速率；对该绝缘层进行一图案化程序，至暴露出该有源元件的该漏极以及部分该保护层，而形成一图案化绝缘层，其中该图案化绝缘层具有多个对应该像素区设置的条状结构，且各二相邻该多个条状结构之间具有至少一凹槽，该凹槽暴露出部分该保护层； 形成一像素电极于该图案化绝缘层上，该像素电极为一块状电极且覆盖该图案化绝缘层的该多个条状结构与该凹槽，并依据该多个条状结构而凸起以形成多个条状电极，且该像素电极连接该图案化绝缘层所暴露出的该有源元件的该漏极；以及 将一第二基板跟该第一基板组装，其中该第二基板上已形成有一对应该像素电极的共用电极，并于该像素电极与该共用电极之间设置一显示介质层。
10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括: 形成一第一图案化光阻层于该绝缘层上，该第一图案化光阻层暴露出该绝缘层的多个第一部分以及多个第二部 分，其中该绝缘层的该多个第一部分于该第一基板上的正投影不重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影，而该绝缘层的该多个第二部分于该第一基板上的正投影重叠于该漏极于该第一基板上的正投影； 以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分该保护层；移除该第一图案化光阻层，以暴露出该绝缘层，且该绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层；形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后所暴露出该保护层上，该第二图案化光阻层暴露出该保护层的多个第三部分，其中该保护层的该多个第三部分于该第一基板上的正投影部分重叠于该源极于该第一基板上的正投影； 以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出该有源元件的部分该漏极；以及 移除该第二图案化光阻层。
11.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括: 形成一第一图案化光阻层于该绝缘层上，该第一图案化光阻层暴露出该绝缘层的多个第一部分，其中该绝缘层的该多个第一部分于该第一基板上的正投影部分重叠于该漏极于该第一基板上的正投影； 以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出该有源元件的部分该漏极； 移除该第一图案化光阻层，以暴露出该绝缘层； 形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后的该绝缘层上，该第二图案化光阻层暴露出该绝缘层的多个第二部分，其中该绝缘层的该多个第二部分于该第一基板上的正投影不重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影； 以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分该保护层；以及移除该第二图案化光阻层，而形成该图案化绝缘层，其中该图案化绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层。
12.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对该绝缘层进行该图案化程序，而形成该图案化绝缘层的步骤包括:形成一光阻层于该绝缘层上，该光阻层覆盖该绝缘层； 提供一半调式光罩于该光阻层上，并进行一显示程序，以暴露出该绝缘层的多个第一部分与多个第二部分，其中该绝缘层的该多个第一部分于该第一基板上的正投影不重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影，而该绝缘层的该多个第二部分于该第一基板上的正投影部分重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影； 以该光阻层为一蚀刻罩幕，蚀刻至暴露出部分该保护层及部分该漏极；以及移除该光阻层，而形成该图案化绝缘层，其中该图案化绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽，以暴露出部分该保护层。
13.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该保护层与该绝缘层的蚀刻速率比约为1:3。
14.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该保护层的厚度介于0.01微米至0.3微米之间，而该绝缘层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。
15.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮化硅铝。
16.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
17.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该第一基板更区分有一电性连接该像素区的周边区以及一与该周边区连接的接垫区，且该接垫区具有至少一接垫，该周边区具有至少一转线结构，其中形成该转线结构的步骤包括: 于形成该有源元件的一栅极、一栅绝缘层、该源极与该漏极时，同时形成一第一金属层、一绝缘层与一第二金属层于该周边区，其中该第一金属层与该栅极属同一膜层，该绝缘层与该栅绝缘层属同一膜层且位于该第一金属层与该第二金属层之间，而该第二金属层与该源极及该漏极属同一膜层； 形成该保护层时，该保护层同时覆盖该有源元件与该第一金属层与该第二金属层；对该绝缘层进行该图案化程序时，该图案化绝缘层更暴露出该第一金属层与该第二金属层；以及 形成一电极层于该图案化绝缘层上时，该电极层会连接该图案化导电层所暴露出的该第一金属层与该第二金属层，而形成该转线结构。
18.—种显不面板,包括: 一第一基板，区分有至少一像素区； 至少一有源元件，位于该像素区，且具有一源极与一漏极； 一第一绝缘层，配置于该第一基板上，且覆盖该有源元件，其中该第一绝缘层具有至少一个第一开口，且该第一开口暴露出该有源元件的部分该漏极； 至少一彩色滤光图案，配 于该第一绝缘层上，其中该彩色滤光图案暴露出位于该漏极上的部分该第一绝缘层； 一保护层，配置于该彩色滤光图案上，且覆盖该彩色滤光图案与该彩色滤光图案所暴露出位于该漏极上的部分该第一绝缘层，其中该保护层具有至少一个第二开口，该第二开口连通该第一开口且暴露出该有源元件的部分该漏极；一图案化绝缘层，配置于该保护层上，具有多个对应该像素区设置的条状结构，且各二相邻该多个条状结构之间具有至少一凹槽，该凹槽暴露出部分该保护层，其中该多个条状结构位于该彩色滤光图案上，且该多个条状结构于该第一基板上的正投影不重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影，该图案化绝缘层具有至少一个第三开口，该多个第三开口连通该第二开口与该第一开口且暴露出该有源元件的部分该漏极； 一像素电极，配置于该图案化绝缘层上，其中该像素电极为一块状电极且覆盖该图案化绝缘层的该多个条状结构与该凹槽，并依据该多个条状结构而凸起以形成多个条状电极，且该像素电极通过该第三开口、该第二开口以及该第一开口连接该有源元件的该漏极； 一第二基板，配置于该第一基板的对向； 一共用电极，配置于该第二基板上；以及 一显示介质层，配置于该第一基板与该第二基板之间，其中该共用电极与该像素电极位于该显示介质层的相对两侧。
19.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该第一基板更区分有一电性连接该像素区的周边区以及一与该周边区连接的接垫区，且该接垫区具有至少一接垫，该周边区具有至少一转线结构，且该转线结构包括一第一金属层、一第二金属层、延伸至该第一金属层与该第二金属层之间的该第一绝缘层与延伸配置于该周边区且覆盖该第一绝缘层的该保护层、该图案化绝缘层以及一电极层，该第一绝缘层、该保护层以及该图案化绝缘层分别具有多个第一子开口、多个第二子开口以及多个第三子开口，该多个第三子开口连通该多个第二子开口与该多个第一子开口，且该电极层通过该多个第三子开口、该多个第二子开口以及该多个第一子 开口连通该第一金属层与该第二金属层。
20.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该保护层的厚度介于0.01微米至0.3微米之间，而该第二绝缘层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。
21.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮化硅铝。
22.如权利要求18所述的显示面板，其特征在于，该第二绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
23.—种显不面板,包括: 一第一基板，区分有至少一像素区； 至少一有源元件，位于该像素区，且具有一源极与一漏极； 一保护层，配置于该第一基板上，且覆盖该有源元件，其中该保护层具有至少一个第一开口，该第一开口暴露出该有源元件的部分该漏极； 一图案化绝缘层，配置于该保护层上，具有多个对应该像素区设置的条状结构，且各二相邻该多个条状结构之间具有至少一凹槽，该凹槽暴露出部分该保护层，其中该多个条状结构于该第一基板上的正投影不重叠于该有源元件于该第一基板上的正投影，且该图案化绝缘层具有至少一个第二开口，该第二开口连通该第一开口且暴露出该有源元件的部分该漏极； 一像素电极，配置于该图案化绝缘层上，其中该像素电极为一块状电极且覆盖该图案化绝缘层的该多个条状结构与该凹槽，并依据该多个条状结构而凸起以形成多个条状电极，且该像素电极通过该第二开口以及该第一开口连接该有源元件的该漏极； 一第二基板，配置于该第一基板的对向； 一共用电极，配置于该第二基板上；以及 一显示介质层，配置于该第一基板与该第二基板之间，其中该共用电极与该像素电极位于该显示介质层的相对两侧。
24.如权利要求23所述的显示面板，其特征在于，该第一基板更区分有一电性连接该像素区的周边区以及一与该周边区连接的接垫区，且该接垫区具有至少一接垫，该周边区具有至少一转线结构，且该转线结构包括一第一金属层、一第二金属层、一延伸至该第一金属层与该第二金属层之间的栅绝缘层与延伸配置于该周边区且覆盖该第二金属层的该保护层、该图案化绝缘层以及一电极层，该保护层以及该图案化绝缘层分别具有多个第一子开口以及多个第二子开口，该多个第二子开口连通该多个第一子开口，且该电极层通过该多个第二子开口与该多个第一子开口连通该第一金属层与该第二金属层。
25.如权利要求23所述的显示面板，其特征在于，该保护层的厚度介于0.01微米至0.3微米之间，而该绝缘层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。
26.如权利要求23所述的显示面板，其特征在于，该保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮化硅铝。
27.如权利要求23所述的显示面板，其特征在于，该绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
【文档编号】H01L27/12GK103972244SQ201410202922
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年5月14日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】叶昭纬, 丁天伦, 杜振源, 张家铭, 林俊男, 徐文浩, 苏振嘉 申请人:友达光电股份有限公司