预防硅片破片的方法
【专利摘要】本发明提供了一种预防硅片破片的方法，包括：第一步骤，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺；第二步骤，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查；第三步骤，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理。通过应用本发明，可以有效预防在线破片的发生，避免由破片带来的机台停机与污染等损失。通过及时报废此类硅片有效避免了硅片破片带来的严重影响。
【专利说明】预防硅片破片的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种预防硅片破片的方法。【背景技术】
[0002]随着集成电路工艺的发展，硅片生产要进行的工艺步骤越来越复杂，同时带来了一些不可避免的问题，比如，在线生产中硅片的破片问题。硅片破片将对半导体生产带来的损失包括硅片本身的破碎，造成破片机台的停机以及交叉污染等等。
[0003]目前，针对在线硅片的破片问题没有有效的预防与监控方法，为在线生产带来了巨大困扰。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够提前预防在线硅片破片的方法，从而有效地避免硅片破片对生产线带来的损失。
[0005]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了预防硅片破片的方法，其包括:
[0006]第一步骤，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺；
[0007]第二步骤，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查；
[0008]第三步骤，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理。
[0009]优选地，根据将被处理的硅片的具体物理参数来决定所述预定应力值。
[0010]优选地，根据将被处理的硅片的厚度来决定所述预定应力值。
[0011]优选地，通过晶边扫描检测来执行晶边检查。
[0012]通过应用本发明，可以有效预防在线破片的发生，避免由破片带来的机台停机与污染等损失。通过及时报废此类硅片有效避免了硅片破片带来的严重影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0014]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的预防硅片破片的方法的流程图。
[0015]图2示意性地示出了存在缺角的硅片的示意图。
[0016]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例中晶边扫描检测到的缺角缺陷的示意图。
[0017]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0019]本发明的发明人有利地发现，硅片破片的主要原因之一为，存在缺角的硅片在经过能够产生较大应力的工艺步骤(比如薄膜沉积工艺)时硅片将非常容易以硅片缺角为起点延着晶格方向产生裂纹进而破片。本发明的技术原理是，通过在能够产生大应力的工艺步骤前进行晶边扫描，检测硅片的缺角，并将存在缺角的硅片及时报废，避免由硅片破片造成的更大的损失。
[0020]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的预防硅片破片的方法的流程图。
[0021]如图1所示，根据本发明优选实施例的预防硅片破片的方法包括:
[0022]第一步骤SI，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺；
[0023]优选地，可以根据将被处理的硅片的具体物理参数来决定所述预定应力值；例如，根据将被处理的硅片的厚度来决定所述预定应力值。
[0024]第二步骤S2，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查，图2示意性地示出了存在缺角I的硅片的示意图，如图3所示为晶边检查检测到的硅片缺角缺陷；
[0025]例如，可以通过晶边扫描检测来执行晶边检查；
[0026]第三步骤S3，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理(即不再进行后续工艺处理)，避免更大的影响。
[0027]例如，可以选择55纳米逻辑产品应用此方法，预防了在线破片的发生，避免了由破片带来的机台停机与污染等损失。
[0028]通过应用本发明，可以有效预防在线破片的发生，避免由破片带来的机台停机与污染等损失。通过及时报废此类硅片有效避免了硅片破片带来的严重影响。
[0029]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0030]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种预防硅片破片的方法，其特征在于包括: 第一步骤，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺； 第二步骤，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查； 第三步骤，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理。
2.根据权利要求1所述的预防硅片破片的方法，其特征在于，根据将被处理的硅片的具体物理参数来决定所述预定应力值。
3.根据权利要求1或2所述的预防硅片破片的方法，其特征在于，根据将被处理的硅片的厚度来决定所述预定应力值。
4.根据权利要求1或2所述的预防硅片破片的方法，其特征在于，通过晶边扫描检测来执行晶边检查。
【文档编号】H01L21/66GK103972126SQ201410216682
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年5月21日 优先权日:2014年5月21日
【发明者】范荣伟, 王洲男, 陈宏璘, 龙吟, 倪棋梁 申请人:上海华力微电子有限公司