一种阵列基板及其制备方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于显示【技术领域】，其可解决现有的阵列基板背板电源线电阻较大造成像素间亮度非均匀性的问题。本发明的阵列基板及其制备方法，由于将背板电源线的电源导线层在阵列基板单独成层设置，电源导线层其在衬底上的投影面积可以更大，也就是电源导线层的导电截面积也可以更大，从而降低电源导线层的电阻。从而降低不同像素单元的电流差异，进而减弱在显示时产生云纹现象。
【专利说明】一种阵列基板及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于显示【技术领域】，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光显示二极管（0LED)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高 性能显示中。传统的无源矩阵有机发光显示（Passive Matrix 0LED)随着显示尺寸的增大， 需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会 造成掺锡氧化铟ΙΤ0线上压降过大，并使0LED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩 阵有机发光显示（Active Matrix 0LED)通过开关管逐行扫描输入0LED电流，可以很好地 解决这些问题。
[0003] 基于P型TFT构成的传统2T1C像素驱动电路如图1所示：图中，Ml为开关晶体管， 用于控制数据线电压Vdata输入；M2为驱动晶体管，用于控制0LED的发光电流；Cs为存储 电容器，用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。
[0004] 上述的2T1C像素驱动电路在单帧时间内包括两个工作时段：第一时段为数据线 电压Vdata写入时段tl，在该时段内，行扫描线电压Vscan为低电平，此时开关晶体管Ml导 通，数据线电压Vdata经过开关晶体管Ml漏源极之间的通道写入到存储电容器Cs上，并同 时作用于驱动晶体管M2的栅极，M2导通，电源电压VDD驱动发光像素单元0LED发光；
[0005] 第二时段为显示维持时段t2,在该时段内，行扫描线电压Vscan为高电平，开关 晶体管Ml处于截止状态，其漏源极之间的通道被关断，数据线电压Vdata与存储电容器 Cs (驱动晶体管M2的栅极）之间的通道被关断。此时，在要求不严格的情况下可以认为存 储电容器Cs因开关晶体管Ml关断而没有电荷的泄放通路，只能保持开关晶体管Ml截止前 的状态，Cs两端电压维持不变，M2导通并维持发光像素单元0LED发光，直到下一帧周期的 行扫描线电压Vscan到来，开关晶体管Ml再次被选通。
[0006] 具体地，如下式（1)所示，驱动电流可表示为：
[0007]
【权利要求】
1. 一种阵列基板，包括呈阵列分布的若干像素单元，每个像素单元包括：包括设置在 衬底上的有源层；与所述有源层接触的源、漏极层，其中，源、漏极层同层间隔设置；与所述 有源层绝缘设置的栅极层；其特征在于，所述的每个像素单元还包括电源导线层，所述电源 导线层与所述源极层通过过孔连接。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的电源导线层在衬底的投影至少 部分与栅极层或源、漏极层在衬底的投影重合。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的电源导线层在整个像素区域呈 网格状布置。
4. 如权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述的电源导线层设置在衬底 上，在所述的电源导线层上设有第一绝缘层，在所述的第一绝缘层上设有栅极层，在所述的 栅极层上设有第二绝缘层，在所述的第二绝缘层上设有有源层，在所述的有源层上同层间 隔设置源、漏极层；所述的源极层通过位于第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔连接。
5. 如权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述的栅极层与衬底接触，在所 述的栅极层上设有第一绝缘层，在所述的第一绝缘层上设有有源层，在所述的有源层上同 层间隔设置源、漏极层；在所述的源、漏极层上设有第二绝缘层，在所述的第二绝缘层上设 有电源导线层，所述的电源导线层通过位于第二绝缘层的过孔与所述的源极层相连。
6. -种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过构图工艺在衬底上形成电源导线层的步骤。
7. 如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述通过构图工艺在衬 底上形成电源导线层的步骤之后或之前还包括： 通过构图工艺在衬底上形成有源层的步骤； 在所述电源导线层与所述有源层之间形成过孔的步骤。
8. 如权利要求6或7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述的电源导线层在衬 底的投影至少部分与栅极层或源、漏极层在衬底的投影重合。
9. 如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述的电源导线层采用铜 或铜合金制作。
【文档编号】H01L21/768GK104091817SQ201410266064
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年6月13日 优先权日:2014年6月13日
【发明者】盖翠丽, 吴仲远 申请人:京东方科技集团股份有限公司