半导体器件和用于制造其的方法
【专利摘要】在SOP1中具有半导体芯片和另一半导体芯片，在这两个芯片之间的导线耦合中，通过设定在第一导线组中最接近第二导线组的导线与在第二导线组中最接近第一导线组的导线之间的线间距离大于第一导线组和第二导线组中的任何导线之间的线间距离而保障耐受电压，这使得能够取得SOP1的可靠性的改进。
【专利说明】半导体器件和用于制造其的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2013年6月25日提交的序列号为2013-133174的日本专利申请的公开全文，包括申请文件、附图和摘要被整体引用并入本申请。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种半导体器件和它的制造技术，例如，一种当被应用于半导体器件时高效的技术，其将多个半导体芯片集成到单个封装中。
【背景技术】
[0004]例如在
【发明者】山下尚德, 清原俊范 申请人:瑞萨电子株式会社