一种铁硅电抗器的制造方法

文档序号:7052985阅读:212来源:国知局
一种铁硅电抗器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种铁硅电抗器,包括上铁轭、与上铁轭平行的下铁轭、铁芯和线圈绕组;所述铁芯设置在上铁轭和下铁轭之间;所述铁芯为铁硅磁粉芯;所述线圈绕组套装在铁芯上;所述线圈绕组包括骨架和线圈;所述线圈绕设在骨架上;所述线圈的截面呈长方形;所述长方形的长度方向的两边与骨架的轴向中心线相垂直;所述线圈等间距绕设在骨架上;本发明的铁硅电抗器,线圈的散热面比以往的铁硅电抗器的线圈的散热面更大,散热效果更好,可以保证铁硅电抗器在长时间使用中的稳定性,避免铁硅电抗器的损坏。
【专利说明】一种铁硅电抗器

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电抗器,特别涉及一种铁芯为铁硅磁粉芯的电抗器。

【背景技术】
[0002] 电抗器也叫电感器,电抗分为感抗和容抗,比较科学的归类是感抗器(电感器)和 容抗器(电容器)统称为电抗器。电抗器具有滤波、整流、保护电路等作用,它作为一个无功 补偿手段被应用于电力系统中。目前,通常使用电抗器为硅钢片铁芯电抗器,该电抗器在使 用时,会引起电抗器的端电压升高,铁芯和线圈损耗增加,温度升高、噪音增大。为了克服 上述缺点,市场上出现了一种铁娃电抗器,即其铁芯为铁娃磁粉芯,其损耗远低于娃钢片铁 芯,具有低磁致伸缩(低噪音)性能,是低成本的储能材料,铁硅电抗器在高温下性能非常 稳定。一般的铁硅电抗器的结构如附图1所示,包括上铁轭1、与上铁轭1平行的下铁轭2、 铁芯3和线圈绕组,铁芯3设置在上铁轭1和下铁轭2之间,线圈绕组套装在铁芯3上,线 圈绕组包括骨架4和线圈5,线圈5绕设在骨架4上,线圈5的截面呈长方形,长方形的长度 方向的两边与骨架4的轴向中心线相平行,若线圈匝数较多,线圈需要叠加绕线,这样的结 构导致线圈的散热面仅为长方形长度方向的处于外部一边,线圈散热效果差,长时间使用, 线圈的温升高,会导致铁硅铝电抗器的损坏。


【发明内容】

[0003] 针对上述存在的技术问题,本发明的目的是:提出了一种线圈散热好的铁硅电抗 器。
[0004] 本发明的技术解决方案是这样实现的:一种铁娃电抗器,包括上铁轭、与上铁轭 平行的下铁轭、铁芯和线圈绕组;所述铁芯设置在上铁轭和下铁轭之间;所述铁芯为铁硅 磁粉芯;所述线圈绕组套装在铁芯上;所述线圈绕组包括骨架和线圈;所述线圈绕设在骨 架上;所述线圈的截面呈长方形;所述长方形的长度方向的两边与骨架的轴向中心线相垂 直;所述线圈等间距绕设在骨架上。
[0005] 优选的,所述线圈绕设匝数为12。
[0006] 由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点: 本发明的铁硅电抗器,线圈的散热面比以往的铁硅电抗器的线圈的散热面更大,散热 效果更好,可以保证铁硅电抗器在长时间使用中的稳定性,避免铁硅电抗器的损坏。

【专利附图】

【附图说明】
[0007] 下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明: 附图1为现有技术的铁娃电抗器的结构不意图; 附图2为本发明的铁硅电抗器的结构示意图; 其中:1、上铁轭;2、下铁轭;3、铁芯、4、骨架;5、线圈。

【具体实施方式】
[0008] 下面结合附图来说明本发明。
[0009] 如附图2所示的本发明所述的一种铁硅电抗器,包括上铁轭1、与上铁轭平行的下 铁轭2、铁芯3和线圈绕组;所述铁芯3设置在上铁轭1和下铁轭2之间;所述铁芯3为铁 硅磁粉芯;所述线圈绕组套装在铁芯3上;所述线圈绕组包括骨架4和线圈5 ;所述线圈5 绕设在骨架4上;所述线圈5的截面呈长方形;所述长方形的长度方向的两边与骨架4的轴 向中心线相垂直;所述线圈5等间距绕设在骨架上。
[0010] 本发明的铁硅电抗器,对于截面呈长方形的线圈5,由于线圈5的截面长方形的长 度方向的两边与骨架4的轴向中心线相垂直,且线圈5是等间距绕设在骨架上,使得线圈的 散热面为长方形长度方向的两边和长方形宽度方向的一边,线圈的散热面比以往的铁硅电 抗器的线圈的散热面更大,散热效果更好,尤其是在风冷的条件下,而在自然冷却状态下, 线圈的温升也能平均下降15?20K,可以保证铁硅电抗器在长时间使用中的稳定性,避免 铁娃电抗器的损坏。
[0011] 本发明的铁硅电抗器,所述线圈绕设匝数为12时,使用效果最佳。当线圈绕设匝 数为12,以往的线圈需要叠加绕线为2层,散热面积小,线圈温升高,而现在的线圈不需要 叠加绕线,散热面更大,散热效果更好,铁硅电抗器使用效果也最佳。
[0012] 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人 士能够了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明 精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1. 一种铁硅电抗器,其特征在于:包括上铁轭、与上铁轭平行的下铁轭、铁芯和线圈绕 组;所述铁芯设置在上铁轭和下铁轭之间;所述铁芯为铁硅磁粉芯;所述线圈绕组套装在 铁芯上;所述线圈绕组包括骨架和线圈;所述线圈绕设在骨架上;所述线圈的截面呈长方 形;所述长方形的长度方向的两边与骨架的轴向中心线相垂直;所述线圈等间距绕设在骨 架上。
2. 根据权利要求1所述的铁硅电抗器,其特征在于:所述线圈绕设匝数为12。
【文档编号】H01F1/20GK104143412SQ201410317808
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年7月4日
【发明者】易志欣, 茆鑫, 沐俊, 董云武 申请人:苏州腾冉电气设备有限公司
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