一种适合于大功率led照明驱动电路应用的多芯片qfn封装的制作方法
【专利摘要】本发明公开了用于大功率道路照明的一种多芯片QFN封装结构，包括了占用系统面积较大的芯片子模块：PWM控制器，功率MOS管，基岛，围绕所述基岛布置的多个焊盘，所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质。其中，所述不同芯片设置在基岛上，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
【专利说明】-种适合于大功率LED照明驱动电路应用的多芯片QFN封 装
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体器件的封装【技术领域】，尤其涉及一种多芯片QFN封装结构。
【背景技术】
[0002] 随着LED照明普及到百姓家庭中，对于LED的便携性要求越来越重视，本发明的 QFN封装结构能够极大的减小LED照明系统的体积。
[0003] 随着产品的越做越小越精致，芯片产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考 虑的问题。现在的技术中，虽然可以通过提升制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但 是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得芯片过热而影响到产品的 可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损害。
[0004] 此外，实现各个功能的芯片需要封装，现有技术中，QFN封装结构是一种方形扁平 无引脚的半导体芯片封装结构。由于QFN封装不像传统的S0IC与TS0P封装那样具有鸥翼 状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它 能提供卓越的电性能。
[0005] 在封装形式固定的情况下，为使得产品散热满足要求，产品设计时只能靠牺牲性 能来实现，以现在需求很大的快速充电为例，300mA的充电电流，功耗接近1. 5W，如果电流 再大，芯片发热量增加。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的是针对LED照明提出的特定封装解决方案，用以实现一颗比较复杂 的芯片采用一个QFN封装。
[0007] 本发明提供了一种多芯片QFN封装结构，用以提高集成度，并且解决芯片发热量 较大的问题；
[0008] QFN封装管壳；
[0009] 电连接芯片，用于与所述QFN封装管壳以及所述三个芯片进行点连接。
[0010] 本发明所述多芯片QFN封装结构还包括金属连接线，用于所述电连接芯片的压焊 盘相连接，再通过金属连接线与另一所述的几个芯片的压焊盘相连接。
[0011] 进一步优选地，所述PWM控制器的芯片的压焊盘通过金属连接线与所述功率M0S， 肖特基二极管和电连接芯片的一个压焊盘相连接，再通过金属连接线与所述QFN封装管壳 的电极触点相连接。
[0012] 进一步优选地，所述带有PWM控制器的芯片的压焊盘通过金属连接线与所述电连 接芯片的一个压焊盘相连接，再通过金属连接线与另一所述功率M0S和肖特基二极管的芯 片的压焊盘相连接，并且所述带有PWM控制器的芯片的另一压焊盘通过金属连接线与所述 电连接芯片的另一压焊盘相连接，再通过金属连接线与QFN封装管壳的电极触点相连接。
[0013] 本发明通过在QFN封装结构中增加一颗电连接芯片，实现了将一颗或多颗芯片封 装在QFN管壳内，从而解决了由于受到QFN封装设计规则的限制，如封装内部短引线，引线 不能交叉等而导致很多复杂芯片在需要进行多芯片封装时无法采用QFN封装的问题
【专利附图】
【附图说明】
[0014] 图1是本发明实施例提供的QFN封装结构的俯视图；
[0015] 图2是本发明实施例提供的QFN封装结构的俯视图；
[0016] 图3为图2中沿A-A直线的剖视图；
[0017] 图4为图2中沿B-B直线的剖视图。
【具体实施方式】
[0018] 为使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明具体实施 例作进一步的详细描述。
[0019] 下述实施例描述的为一种多芯片QFN封装结构。
[0020] 图1为本发明实施例一中QFN封装结构的俯视示意图；图2为QFN管壳示意图；图 3为dielO示意图；图4为die20示意图。
[0021] 如图1所示，QFN封装结构具体包括多芯片die，QFN管壳，以及各个芯片的压焊盘 之间以及QFN管壳的电极触点与各个芯片压焊盘之间的连接线。
[0022] 在现有技术中，因为受限于QFN封装工艺的设计规则，金属连接线的长度不能超 过一定的值，因而如果不同芯片的die间进行引线键合可能会出现交叉等问题。若想实现 连接起来的电路功能，必须通过对这些芯片进行单独封装，再进行外部点连接才能实现。
【权利要求】
1. 一种多芯片QFN封装结构，其特征在于包括， 至少一颗PWM控制器的芯片，用于实现封装器件的控制LED照明功能； QFN封装管壳； 基岛，所述芯片设置在所述基岛上； 围绕所述基岛布置的多个焊盘； 所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质； 其特征在于，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。
2. 如权利要求1所述的多芯片QFN封装结构，其特征在于，与基岛所在的一面相对的所 述封装结构的另一面设置有导热金属结构。
3. 如权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述导热金属结构材质为不锈钢。
4. 如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导热金属结构的厚度范围为： 150um-350um〇
5. 如权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述导热金属结构与所述绝缘材质 之间通过银浆粘结。
6. 如权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的背面与所述基岛通过银 浆粘结。
【文档编号】H01L23/31GK104064560SQ201410327779
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年7月8日 优先权日:2014年7月8日
【发明者】程玉华 申请人:苏州卓能微电子技术有限公司