发光器件的制作方法

发光器件的制作方法
【专利摘要】一种荧光体和具有所述荧光体的发光器件。所述发光器件包括：发光芯片；多个荧光体，吸收从发光芯片发射的光的一部分，并且发射具有彼此不同的峰值波长的光；以及模制构件，设置在发光芯片上并且包括多个荧光体。所述荧光体包括：第一荧光体，发射具有第一峰值波长的光；第二荧光体，吸收从所述发光芯片发射的光的一部分并且发射具有第二峰值波长的光；以及第三荧光体，吸收从所述发光芯片发射的光的一部分并且发射具有第三峰值波长的光。所述第一峰值波长至所述第三峰值波长具有彼此不同的颜色光谱，并且所述第一峰值波长至所述第三峰值波长彼此混合的发光光谱具有在其峰值波长处具有至少30nm的平坦部的光强度。本发明可改进色彩再现率。
【专利说明】发光器件

【技术领域】
[0001] 实施例涉及一种荧光体以及具有所述荧光体的发光器件。所述发光器件可以被包 括在照明系统中。

【背景技术】
[0002] LED(发光器件）为具有将电能转换为光能的特性的器件。例如，LED可以通过调 节化合物半导体的组成比例来呈现各种颜色。
[0003] 例如，氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体在 光学器件和高功率电子器件领域中已成为焦点。特别是，采用氮化物半导体的蓝色、绿色和 UV发光器件已被商业化并得到广泛使用。
[0004] 发白色光的LED米用二次光源以通过应用突光体从突光体发光。一般而言，通过 应用YAG的方法来实现LED :Ce荧光体呈现黄色到蓝色LED。
[0005] 然而，根据上述方法，由于二次光导致的量子不足和再辐射效率，所以效率下降并 且不容易色彩再现（color rendering)。
[0006] 因此，由于根据现有技术的白色LED背光源具有蓝色LED和黄色荧光体的组合，所 以白色LED背光缺少绿色和红色成分，使得颜色表现得不自然。出于这个原因，白色LED背 光被有限地应用于蜂窝电话或膝上型计算机的屏幕。然而，因为白色LED背光容易驱动并 且非常经济，所以根据现有技术的白色LED背光已被广泛商业化。
[0007] -般而言，本领域技术人员众所周知，荧光体材料可以包括用作主体材料的硅酸 盐、磷酸盐、铝酸盐或硫化物，并且过渡金属或稀土类金属被用在光发射的中心处。例如，虽 然硅酸盐荧光体已被用于背光单元或者照明设备，但是硅酸盐荧光体不耐受湿气，所以硅 酸盐荧光体的可靠性不如任何其他荧光体。
[0008] 同时，已针对白色LED主要开发了由诸如紫外光或蓝色光等具有高能量的泵浦光 源来泵浦的荧光体，以发射可见光。然而，根据现有技术的荧光体暴露于泵浦光源时荧光体 的亮度会下降。


【发明内容】

[0009] 实施例提供一种具有改进的色彩再现率的荧光体和具有所述荧光体的发光器件。
[0010] 实施例提供一种在从黄色、绿色和红色荧光体发射的混合光的发光光谱中具有经 改进的峰部的发光器件。
[0011] 实施例提供一种荧光体和具有所述荧光体的发光器件，其发光光谱的光强度的平 坦部或水平线性部在30nm至50nm的范围内。
[0012] 实施例提供一种荧光体和具有所述荧光体的发光器件，其能够发射具有这样的发 光光谱的光，该发光光谱具有带〇. 4%或更小的偏差的光强度的梯度。
[0013] 实施例提供一种具有荧光体的发光器件，其中所述荧光体的发光光谱的峰值波长 处的光强度具有35nm至40nm范围内的平坦部，并具有0. 4%或更少的梯度偏差。
[0014] 实施例提供一种具有荧光体的发光器件，其中彼此不同的发光光谱的峰值波长处 的光强度具有35nm至40nm范围内的平坦部，并具有0. 4%或更小的梯度偏差。
[0015] 根据实施例，提供了一种发光器件，包括：发光芯片；多个荧光体，吸收从所述发 光芯片发射的光的一部分，并发射具有彼此不同的峰值波长的光；以及模制构件，设置在所 述发光芯片上并且包括所述多个荧光体。所述多个荧光体包括用以发射第一至第三峰值波 长的光的第一至第三荧光体，第一至第三峰值波长具有彼此不同的颜色的光谱，并且第一 至第三峰值波长彼此混合的发光光谱具有在其峰值波长处具有至少30nm的平坦部的光强 度。
[0016] 根据实施例，提供了一种发光器件，包括：发光芯片；多个突光体，吸收从所述发 光芯片发射的光的一部分，并发射具有彼此不同的峰值波长的光；以及模制构件，设置在所 述发光芯片上并且包括所述多个荧光体。所述多个荧光体具有彼此不同的颜色光谱，从所 述多个荧光体发射的混合光的发光光谱包括黄色光，并且所述发光光谱的峰值波长处的光 强度具有35nm至40nm范围内的平坦部。
[0017] 根据实施例，提供了一种突光体，包括：第一突光体，发射具有第一峰值波长的光； 第二荧光体，发射具有第二峰值波长的光；以及第三荧光体，发射具有第三峰值波长的光， 所述第一至第三荧光体泵浦蓝色光或紫外光以发射具有彼此不同的颜色光谱的光，所述第 一至第三荧光体包括彼此不同的氮化物荧光体，第一至第三峰值波长彼此混合的发光光谱 发射黄色光，所述发光光谱的峰值波长处的光强度具有30nm至40nm范围内的平坦部，并且 在峰值波长处的光强度的水平直线的基础上，所述平坦部具有〇. 4%或更小的偏差的梯度。
[0018] 本发明可改进色彩再现率。

【专利附图】

【附图说明】
[0019] 图1是示出包括根据实施例的荧光体的根据第一实施例的发光器件的剖视图。
[0020] 图2是示出发光芯片和图1的荧光体的发光光谱的曲线图。
[0021] 图3是示出基于图2的发光芯片的发光光谱而被归一化（n^mjiz^d)的荧光体的 发光光谱的曲线图。
[0022] 图4是示出根据第一至第四实施例的取决于根据实施例的荧光体的组合比例的 发光光谱的曲线图。
[0023] 图5是示出基于图4的蓝色光谱而被归一化的发光光谱的曲线图。
[0024] 图6是示出根据第一至第三实施例，通过归一化荧光体的光谱而获得的光谱的曲 线图。
[0025] 图7是示出图5以及比较例中所示的根据第一至第四实施例的发光光谱的每个波 长的差分系数的曲线图。
[0026] 图8至图11是分别示出图5所示的根据第一至第四实施例的发光光谱每个波长 上的差分系数的曲线图。
[0027] 图12是示出根据第一比较例和第一至第八实施例的发光光谱的图。
[0028] 图13是示出基于图12的蓝色光谱而被归一化的发光光谱的曲线图。
[0029] 图14是示出图13所示的根据比较例和第一至第八实施例的发光光谱每个波长上 的差分系数的曲线图。
[0030] 图15是示出根据第一、第二和第三比较例和实施例的发光光谱的曲线图。
[0031] 图16是示出基于图15的蓝色光谱而被归一化的根据第一、第二和第三比较例和 实施例的发光光谱的曲线图。
[0032] 图17是示出具有根据实施例的荧光体的根据第二实施例的发光器件的剖视图。
[0033] 图18是示出具有根据实施例的荧光体的根据第三实施例的发光器件的剖视图。
[0034] 图19是示出具有根据实施例的荧光体的根据第四实施例的发光器件的剖视图。
[0035] 图20是示出具有根据实施例的发光器件或发光器件封装的显示装置的立体图。
[0036] 图21是示出具有根据实施例的发光器件或发光器件封装的显示装置的剖视图； 以及
[0037] 图22是示出具有根据实施例的发光器件或发光器件封装的照明设备的分解立体 图。

【具体实施方式】
[0038] 在对实施例的描述中，应理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一层 (或膜）、另一区域、另一垫或另一图案"上"或"下方"时，术语"上"和"下方"包括"直接 地"和"间接地"两种含义。此外，将基于附图而给出每一层"上"和"下方"的参照。
[0039] 图1是示出根据第一实施例的发光器件的剖视图。
[0040] 参照图1，发光器件10包括主体11、第一引线框21和第二引线框23、发光芯片25、 以及具有多个荧光体31、32和33的模制构件41。
[0041] 主体11可以包括反射率比相对于从发光芯片31发射的波长的透射率更高的材 料。例如，主体11可以包括呈现至少70%的反射率的材料。如果构成主体11的材料呈现 至少70%的反射率，则构成主体11的材料可以包括非透射性材料。主体11可以包括树脂 基绝缘材料。例如，主体11可以包括诸如聚邻苯二甲酰胺（PPA)等树脂材料。主体11可以 包括添加到诸如环氧树脂或硅等树脂材料的金属氧化物，并且金属氧化物可以包括Ti0 2、 5102和八1203中的至少一个，并且本体11中可以添加有至少3% (重量）的含量。因此，主 体11可以有效地反射入射光。在这种情况下，如果添加到主体11中的金属氧化物的含量 为3% (重量）或更少，则反射效率可能会降低。如果反射效率降低，则光取向角的分布可 能会改变。可替代地，主体11可以包括呈现透射率的树脂材料或具有根据实施例的荧光体 的树脂材料，以转换入射光的波长。
[0042] 主体11可以包括热固化树脂，包括硅、环氧树脂、诸如塑料材料等热固性树脂、高 耐热性材料或高耐光性材料。此外，主体11可以有选择地包括酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光 反射体、无机充填剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂或二氧化钛。可以通过使用选自由以下 构成的群组中的至少一个使主体11模制成型：环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树 月旨、丙烯酸树脂以及聚氨酯树脂。例如，可以通过使用B阶固体环氧树脂组合物来形成主体 11，可以通过混合环氧树脂（诸如三缩水甘油酯或氢化双酚A二缩水甘油醚等）和酸酐促 进剂（诸如六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐、4-甲基六氢邻苯二甲酸酐等）， 然后在将用作硬化促进剂的DBU(1. 8-二氮杂二环（5, 4, 0)十一碳烯-7)和用作促进剂的 乙二醇、二氧化钛颜料或玻璃纤维添加到环氧树脂之后，对混合物固化来获得该B阶固体 环氧树脂组合物，但实施例不限于此。
[0043] 此外，将光屏蔽材料或分散剂添加到本体11中，从而减少透射光。此外，为了具有 预定的功能，主体11包括通过适当地混合热硬化树脂与选自由以下构成的群组中的至少 一个来获得混合物：分散剂、颜料、荧光体、反射材料、遮光材料、光稳定剂和润滑剂。
[0044] 主体11可以包括透射材料。透射材料可以包括用以透射从发光芯片25发射的光 的至少70 %光的材料。
[0045] 主体11可以从顶面上以预定深度凹入，或包括上部具有开口的腔体15。腔体15 可以形成例如凹杯结构、开口结构或凹入结构的形状，但实施例不限于此。
[0046] 弓丨线框21和23可以与主体11耦接。例如，引线框21和23可以包括两个或三个 框。引线框21和23包括彼此间隔开的第一引线框21和第二引线框23。第一引线框21和 第二引线框23可以布置在腔体15的底部（floor)上，但实施例不限于此。第一引线框21 和第二引线框23的下部可以暴露于主体11的下部，或者第一引线框21和第二引线框23 的一部分可以弯曲。第一引线框21和第二引线框23可以包括金属材料，例如钛（Ti)、铜 (Cu)、镍（Ni)、金（Au)、铬（Cr)、钽（Ta)、钼（Pt)、锡（Sn)、银（Ag)和磷（P)中的至少一个， 并且可以形成为单层或多层。第一引线框21和第二引线框23可以具有至少为0. 15mm的 厚度，例如至少〇. 18mm。
[0047] 作为第一引线框21和第二引线框23的另一示例，第一引线框21和第二引线框23 中的至少一个可以形成为凹切形状的结构或弯曲的结构，或者可以包括用于与主体11耦 接的凹槽或孔，但实施例不限于此。
[0048] 发光芯片25可以布置在第一引线框21和第二引线框23中的至少一个上，并且可 以通过粘接构件（未示出）接合到第一引线框21和第二引线框23中的至少一个。例如， 发光芯片25可以接合到第一引线框21。发光芯片25可以通过至少一个连接构件27连接 到第一引线框21和第二引线框23中的至少一个，但实施例不限于此。连接构件27包括导 电材料，例如包括金属材料的导线。
[0049] 在可见光波长范围当中，发光芯片25发射400nm到600nm范围内的峰值波长。发 光芯片25可以发射蓝色的峰值波长。
[0050] 腔体15中设置有模制构件41，并且模制构件41包括根据实施例的荧光体31、32 和33。荧光体31、32和33发射彼此不同的峰值波长，并且包括具有彼此不同的材料的荧光 体。荧光体31、32和33可以包括用以发射至少三种类型的光的荧光体。根据实施例，为了 便于说明，下面将描述三种类型的荧光体作为示例。荧光体31、32和33包括彼此不同的氮 化物荧光体。从荧光体31、32和33发出的混合光的发光光谱可以呈现具有在30nm到50nm 范围内的平坦部的峰值强度，并且该混合光可以是黄色光。荧光体31、32和33吸收蓝色光 或紫外光，使得荧光体31、32和33可以泵浦呈现彼此不同颜色的光，例如绿色、黄色和红 色。
[0051] 在这种情况下，模制构件41中可以包含荧光体31、32和33的至少5% (重量）， 具体为荧光体31、32和33的至少9% (重量）。此外，模制构件41中可以包含荧光体31、 32和33的8% (重量）至25% (重量）。
[0052] 例如，突光体31、32和33可以包括发射第一峰值波长的第一突光体31、发射第二 峰值波长的第二荧光体32、以及发射第三峰值波长的第三荧光体33。
[0053] 第一至第三荧光体31、32和33分别包括绿色、黄色和红色荧光体。第一至第三荧 光体31、32和33包括发射彼此不同的峰值波长的荧光体，例如氮化物荧光体。第一到第三 峰值波长的混合光的发光光谱可以为至少30nm，其中峰值波长光强度具有平坦部。
[0054] 第一荧光体31是绿色荧光体，包括N，并包括选自由以下构成的群组中的至少两 个：La、Si、Ba、Al、Ca和Sr。如果将荧光体主体材料和用作活化剂的Eu 2+离子添加到绿色荧 光体，则绿色荧光体的组合物通过紫外光、近紫外光、紫色光和蓝色光来泵浦以发射绿色系 列的光。例如，第一突光体31可以包括La3Si6Nll :Ce3+。根据另一实例，第一突光体31可以 包括 BaSiN2: Eu2.、Sr!. 5Al3Si9N16: Eu2.、Cah 5Al3Si9N16: Eu2.、CaSiAl203N2: Eu2.、SrSiAl203N2: Eu2.、 CaSi202N2:Eu2+、SrSi 202N2:Eu2+、BaSi20 2N2:Eu2+、Sr2Si5N 8:Ce3+和 CauAljigN^Ce3.中的至少 一个。
[0055] 第二荧光体32是黄色荧光体，包括N，并包括选自由以下构成的群组中的至少两 个：Mg、Ca、Sr、Ba和Zn。如果将荧光体主体材料和用作活化剂的Eu 2+离子添加到黄色荧光体 的组合物中，则黄色荧光体的组合物通过紫外光、近紫外光、紫色光和蓝色光泵浦以发射呈 现温暖色调的黄色系列的光。例如，第二荧光体32可以包括（Sr，Ba) iSi202N2: Eu2+。根据另一 实施例，第二荧光体32可以包括表示为（SrxCai_ x)2Si具:Eu2+、Sr2Si具:Eu2+、Ca 2Si5N8:Eu2+、 SrxCaHSiA。: Eu2.、SrSi7N!。: Eu2.、CaSi#。: Eu2.、CauAJigN^Eu2.和 CaSiA1203N2:Eu2+ 的荧 光体中的至少一个。
[0056] 第三荧光体33是红色荧光体，包括N，并包括选自由以下构成的群组中的至少一 个：8 6、]\%、0&、51'、8&和211，和选自由以下构成的群组中的至少一个 ：(：、5丨、66、511、11、21'和 Hf。红色荧光体可以包括由选自稀土类元素中的至少一个激活的氮化物基荧光体。特别是， 红色荧光体可以表示为组成式或化学式SrAlSiN 3或CaAlSiN3。例如，红色荧光体可以包括 具有在组成式为（Sr、Ca)AlSiN 3、（Sr、Mg)AlSiN3、（Ca、Mg)AlSiN3 和（Sr、Ca、Ba)AlSiN3 的材 料当中的多个碱土金属元素的组合物。此外，组成式中的氧（〇)元素是在荧光体组合物的 制备中引入的杂质元素。例如，第三荧光体33可以包括组成式（Sr、Ca)AlSiN 3:Eu2+。根据 另一示例，第三荧光体 33 可以包括 Sr2Si5N8:EU2+、SrSiN 2:EU2+、SrAlSiN3:Eu2+、CaAlSiN 3:EU2+ 和Sr2Si4A10N7:Eu2+中的至少一个。
[0057] 根据需要，用于第一至第三荧光体31、32和33的活化剂可以是Eu2+或从各种稀 土离子或过渡金属离子中适当选择的金属离子。例如，活化剂可以是三价稀土类金属离子 (例如 Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、EU 3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er 3+、Tm3+ 或 Yb3+)、二价稀土类金属离 子（例如Sm2+、Eu2+和Yb 2+)、二价过渡金属离子（例如Mn2+)、三价过渡金属离子（例如Cr3+ 或Fe3+)、或者四价过渡金属离子（例如Mn4+)。
[0058] 关于包含在模制构件41中的荧光体的含量，第一荧光体31的含量可以与第二和 第三突光体32和33的含量不同。例如，第一突光体31的含量可以大于第二和第三突光体 32和33含量的总和。
[0059] 当相互比较荧光体的含量时，第一荧光体31的含量可以是第二荧光体32的含量 的至少三倍。第一荧光体31的含量可以是第三荧光体33的含量的至少7倍。例如，假设 第一至第三突光体31至33的含量的总和为100%，贝U第一突光体31的含量（a)可以超过 第一至第三突光体31至33的含量的总和的70%。例如，第一突光体31的含量（a)可以满 足70% <a彡79%的范围。具体为70% <a〈79%。第二荧光体32的含量（b)可以小于含 量的总和的29%。第二荧光体32的含量（b)可以满足11 %彡b>29%的范围，具体为11% >b>29%。第三荧光体33的含量（c)可以等于或小于10%。第三荧光体33的含量（c)可 以满足1% <c彡10%的范围，具体为1% <c〈10%。
[0060] 第一荧光体31的含量为第三荧光体33的含量的至少64%，具体为在64%至74% 的范围内。第一荧光体31的含量为第二荧光体32的含量的至少53%，具体为在第二荧光 体32的含量的53%至68%范围内。
[0061] 第一荧光体31吸收从发光芯片25发射的光以发射具有绿色光谱的光。第二荧光 体32吸收从发光芯片25发射的光以发射具有黄色光谱的光。第三荧光体33吸收从发光 芯片25发射的光以发射具有红色光谱的光。例如，发光芯片25可以发射具有从紫外光波 长带至可见光波长带的范围内选择的波长的光。在下文中，蓝色光的情况将描述如下。蓝 色光的光谱包括440nm至460nm的范围。
[0062] 发光器件10发射呈现期望颜色的光，该期望颜色为从发光芯片25发射的光与从 第一至第三荧光体31、32和33发射的光的混合。如图1和图2所示，第一发光光谱61表 示从发光芯片25发射的光的光谱，并且第二发光光谱62表示从第一至第三荧光体31至33 发射的混合光的光谱。第二发光光谱62呈现黄色光。发光器件10通过第一发光光谱61 和第二发光光谱62发射白色光。根据另一示例，如果发光芯片25发射紫外光，根据本实施 例的第一至第三荧光体可以应用于发光器件10,并且发光器件10可以包括蓝色荧光体或 者蓝色芯片，但实施例不限于此。
[0063] 第一至第三荧光体31、32和33可以分别包括呈现固有颜色的颗粒，或可以被设置 为一个颗粒的形式，其中彼此不同的荧光颗粒呈现相互混合的两种颜色或三种颜色。
[0064] 第二发光光谱62呈现黄色光，S卩，第一至第三荧光体31、32和33的光的黄绿色 光。第二发光光谱62包括520nm到600nm范围内的峰值波长。第二发光光谱62的峰值波 长可以根据第一至第三荧光体31、32和33的含量略微偏移，但实施例不限于此。
[0065] 在根据实施例的第二发光光谱62中，可以在峰值波长处针对光强度设置平坦部 D1。换句话说，在峰值波长处的光强度根据第一至第三荧光体31、32和33的含量而具有平 坦部D1。在平坦部D1处，可以检测到至少三种类型的荧光体的发光光谱。
[0066] 如图2和图3所示，第二发光光谱62的平坦部D1是峰值波长具有相同的光强度 并且具有30nm到50nm的范围（例如35nm至40nm的范围）的部分。换句话说，具有相同 光强度的平坦部D1可以是具有至少35nm的部分。如果峰值波长具有相同的强度，则峰值 波长处的光强度的梯度偏差可以是0. 4%或更少。例如，在平坦部D1中，峰值波长处的光强 度可以具有距离水平线±0. 4%或更少的偏差。平坦部D1可以被定义为水平部分或水平线 部分，并且峰值波长处的光强度可以被定义为峰值强度。来自根据实施例的荧光体31、32 和33的彼此不同的发光光谱的峰值波长处的光强度，呈现30nm至30nm范围内的平坦部， 具体为35nm至40nm的范围以及0· 4%或更少的梯度偏差。
[0067] 第二发光光谱62的峰值波长处的光强度的平坦部D1可以比第二光发射谱62的 半峰全宽（FWHM)小，例如是第二发光光谱52的FWHM D2的0. 5或更少。平坦部D1可以在 第二发光光谱62的FWHM D2的0. 25至0. 41的范围内。平坦部D1可以在第二发光光谱62 的FWHM D2的0. 29至0. 33的范围内。
[0068] 在540nm至580nm的范围内，第二发光光谱62在峰值波长处具有平坦部D1或水 平线性部。随着平坦部D1增加，色彩再现率增加，并且标准色彩空间（sRGB)的覆盖区域变 宽。此外，由于第二发光光谱D1具有接近照明度曲线（例如，555nm)的平坦部，从而可以增 加光的速度。此外，当发光器件10的光被应用于照明时，可以实现显色指数（CRI)，并且可 以改进相关的色温（ACCT)。
[0069] 在这种情况下，图3示出的比较例示出YAG黄色荧光体的发光光谱。根据实施例的 第二发光光谱62具有的特征在于：与比较例的发光光谱的峰值波长相比较，根据实施例的 第二发光光谱62的峰值波长具有更宽的平坦部D1。此外，根据实施例的第二发光光谱62的 FWHM D2可以比比较例的峰值波长更宽。第二发光光谱62的FWHM D2可以为约120nm(= 630nm - 510nm)，但实施例不限于此。根据实施例的第一至第三荧光体31、32和33中每个 的发光光谱可以覆盖约120nm，但实施例不限于此。FWHM D2可以取决于第一至第三荧光体 31、32和33的含量而改变。
[0070] 实施例与比较例在光学特性上的比较如表1所示。从根据实施例的第一至第三荧 光体31、32和33发出的混合光的第二发光光谱，和从根据比较例的YAG荧光体发出的光的 发光光谱将描述如下。
[0071] 表 1
[0072]

【权利要求】
1. 一种发光器件，包括： 发光芯片； 多个荧光体，吸收从所述发光芯片发射的光的一部分，并且发射具有彼此不同的峰值 波长的光；以及 模制构件，设置在所述发光芯片上并且包括所述多个荧光体， 其中所述荧光体包括：第一荧光体，发射具有第一峰值波长的光；第二荧光体，吸收从 所述发光芯片发射的光的一部分并且发射具有第二峰值波长的光；以及第三荧光体，吸收 从所述发光芯片发射的光的一部分并且发射具有第三峰值波长的光， 所述第一峰值波长至所述第三峰值波长具有彼此不同的颜色光谱，以及 所述第一峰值波长至所述第三峰值波长彼此混合的发光光谱在其峰值波长处具有包 含至少30nm的平坦部的光强度。
2. 根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一荧光体至所述第三荧光体包括彼此 不同的氮化物荧光体。
3. 根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一荧光体至所述第三荧光体分别包括 绿色、黄色和红色荧光体。
4. 根据权利要求3所述的发光器件，其中所述发光光谱具有520nm至600nm范围内的 峰值波长。
5. 根据权利要求4所述的发光器件，其中所述发光光谱在540nm至580nm的峰值波长 范围内在峰值波长处具有光强度的平坦部。
6. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述第一至所述第三峰值波长 中的每个峰值波长具有120nm的半峰全宽。
7. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述发光光谱包括黄绿色的光。
8. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述发光芯片发射蓝色光或紫 外光，并且所述发光光谱包括黄色光。
9. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述第一荧光体的含量是第二 荧光体的含量的三倍及以上。
10. 根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一荧光体的含量是所述第三荧光体 的含量的七倍及以上。
11. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述第一荧光体的含量为所述 第一荧光体至所述第三荧光体的含量总和的至少70%。
12. 根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中在峰值波长处的光强度的水 平直线的基础上，所述平坦部具有〇. 4%或更少的偏差的梯度，以及所述平坦部在35nm至 40nm的范围内。
13. 根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述平坦部在所述发光光谱的 半峰全宽的0. 29到0. 33的范围内。
14. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述第一荧光体包括选自由以 下构成的群组中的至少两个：队1^、51、8 &、41、0&和51*，所述第二荧光体包括选自由以下构 成的群组中的至少两个：N、Mg、Ca、Sr、Ba和Zn，以及所述第三荧光体包括选自由以下构成 的群组中的至少一个：N、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、和Zn，以及选自由以下构成的群组中的至少一 个：C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、和 Hf。
15. 根据权利要求3至5中任一项所述的发光器件，其中所述模制构件包括多个模制构 件，并且所述第一荧光体至所述第三荧光体中的至少两个布置在所述多个模制构件当中的 至少一个中。
16. 根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述发光光谱的峰值波长处的 光强度具有35nm至40nm范围内的大致平坦的部分。
【文档编号】H01L33/50GK104282828SQ201410328000
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年7月10日 优先权日:2013年7月12日
【发明者】洪基镐, 姜贤龟, 金知惠, 文智煜, 李嘉渊, 李在汶 申请人:Lg伊诺特有限公司