一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法
【专利摘要】本发明提供一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法，该有机发光显示装置包括：下基板，以及设置于所述下基板之上的薄膜晶体管功能层、有机发光二极管、薄膜封装层和上基板，其中，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板。本发明的薄膜封装层具有阻水效果好，结构简单，且适用于柔性有机发光显示装置的优点。
【专利说明】一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光二极管(OLED)领域，尤其涉及一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法。
【背景技术】
[0002]由于OLED器件易与水氧反应，造成器件特性的衰减，并且在发光区域产生黑点或暗区，影响器件性能。因此，需要在OLED器件制备完成后，采用封装结构将OLED器件封装起来。
[0003]请参考图1，图1为现有技术中的一种有机发光显示装置的结构示意图，其中，该有机发光显示装置包括:设置有薄膜晶体管(TFT)功能层的下基板101、有机发光二极管103、盖板104、用于封合下基板101和盖板104的阻水框胶105、以及设置于盖板104 —侧的吸湿材料106。该种封装结构难以用在顶发射OLED器件上，且结构复杂。
[0004]请参考图2，图2为现有技术中的另一种有机发光显示装置的结构示意图，其中，该有机发光显示装置包括:设置有薄膜晶体管功能层的下基板101、有机发光二极管103、盖板104以及用于封合下基板101和盖板104的玻璃胶材(Frit) 107，该种封装结构可以实现顶发射OLED器件的量产可行性。然而，由于玻璃胶材硬度较大，无法使用在柔性OLED器件上。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明提供一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法，封装结构简单，且可使用在柔性有机发光显示装置上。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光显示装置，包括:
[0007]下基板，以及设置于所述下基板之上的薄膜晶体管功能层、有机发光二极管、薄膜封装层和上基板，其中，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板。
[0008]优选地，所述至少一层完全覆盖层的厚度总和小于预设阈值。
[0009]优选地，所述预设阈值为100纳米。
[0010]优选地，所述完全覆盖层采用阻水材料制成。
[0011]优选地，所述阻水材料为金属氧化物或金属氮化物。
[0012]优选地，所述薄膜封装层还包括:
[0013]至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管区域上方。
[0014]优选地，所述上基板覆盖所述下基板的除所述薄膜晶体管功能层的电路搭接区之外的其他区域。
[0015]本发明还提供一种有机发光二极管的封装方法，包括:
[0016]在下基板上形成薄膜晶体管功能层；
[0017]在形成有所述薄膜晶体管功能层的下基板上形成有机发光二极管；
[0018]在形成有所述有机发光二极管的下基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板；
[0019]在形成有所述薄膜封装层的下基板上覆盖上基板。
[0020]优选地，所述完全覆盖层采用镀膜方法形成。
[0021]优选地，所述镀膜方法为热蒸镀、原子层沉积镀膜方法、化学气相沉积镀膜方法或物理气相沉积镀膜方法。
[0022]优选地，所述薄膜封装层还包括至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管区域上方，所述封装加强层采用以下方法形成:
[0023]将一掩膜板放置于已形成其他层结构的下基板上方，所述掩膜板上具有镂空图形，所述镂空图形对应所述有机发光二极管区域；
[0024]在所述掩膜板上涂覆用于制作所述封装加强层的封装材料；
[0025]撤离所述掩膜板，所述镂空图形对应的封装材料保留在所述下基板上，形成所述封装加强层的图形。
[0026]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0027]完全覆盖层为整层薄膜结构，其可完全覆盖设置有薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板的所有范围，因而密封效果较好，且整层薄膜结构的完全覆盖层可采用镀膜工艺形成，不需要采用曝光工艺形成图形，因而，可避免曝光工艺对有机发光二极管的损伤。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1为现有技术中的一种有机发光显示装置的结构示意图；
[0029]图2为现有技术中的另一种有机发光显示装置的结构示意图；
[0030]图3为本发明实施例一的有机发光显示装置的结构示意图；
[0031]图4为本发明实施例二的有机发光显示装置的结构示意图；
[0032]图5为本发明实施例三的有机发光显示装置的结构示意图；
[0033]图6为本发明实施例四的有机发光显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0035]请参考图3，图3为本发明实施例一的有机发光显示装置的结构示意图，该有机发光显示装置包括:下基板101，以及依次设置于所述下基板101上的薄膜晶体管功能层102、有机发光二极管103、薄膜封装层和上基板104，其中，薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层201 (本实施例中的附图中，仅示出一层完全覆盖层201)，所述完全覆盖层201完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层102和有机发光二极管103的下基板101。
[0036]其中，所述上基板104和下基板101可以采用玻璃、塑料或金属等材料制成。
[0037]所述薄膜晶体管功能层102可以包括:栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极及钝化层等。
[0038]所述有机发光二极管103包括:上电极、有机发光层和下电极，其中，下电极与薄膜晶体管功能层102的漏电极连接。
[0039]所述完全覆盖层201由阻水材料制成。优选地，阻水材料可以为金属氧化物或金属氮化物，金属氧化物包括但不限于:A1203 (氧化铝)、Zr02 ( 二氧化锆)和Ti02 ( 二氧化钛)等。金属氮化物包括但不限于:A1N(氮化铝)、Mg3N2(氮化镁)和TiN(氮化钛)等。
[0040]所述完全覆盖层201为整层薄膜结构，其可完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层102和有机发光二极管103的下基板101的所有范围，因而，密封效果较好，且整层薄膜结构的完全覆盖层201可采用镀膜方法形成，不需要采用曝光工艺形成图形，因而，可避免曝光工艺对有机发光二极管103的损伤。
[0041]所述镀膜方法可以热蒸镀、原子层沉积镀膜方法(ALD)、化学气相沉积镀膜方法(CVD)或物理气相沉积镀膜方法(PVD)。
[0042]上述薄膜晶体管功能层102需要与外部电路板(如柔性电路板(FPC)或覆晶薄膜(COF))连接，以接收电信号，因而其上通常设置有电路搭接区，外部电路板通过导电胶(ACF)固定于该电路搭接区上，与薄膜晶体管功能层102电连接。本发明实施例中，由于完全覆盖层201完全覆盖下基板101的所有范围，也就是说，完全覆盖层201除了覆盖有机发光二极管103之外，还覆盖薄膜晶体管功能层102的电路搭接区，为了确保薄膜晶体管功能层102与外部电路板的正常搭接，本发明实施例中，所述至少一层完全覆盖层201的厚度总和需要小于预设阈值，以使得经由ACF内的导电粒子可将所述至少一层完全覆盖层201压穿，确保薄膜晶体管功能层在其电路搭接区与外部电路的正常搭接，优选地，所述预设阈值可以为100纳米。
[0043]此外，所述上基板104覆盖下基板101的除所述薄膜晶体管功能层102的电路搭接区之外的其他区域，不覆盖所述薄膜晶体管功能层102的电路搭接区，以确保所述电路搭接区露出。
[0044]所述上基板104通过密封胶108与下基板101结合。
[0045]为了进一步提高封装性能，本发明实施例的薄膜封装层还可以包括:至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管103区域上方，即，封装加强层也不覆盖所述薄膜晶体管功能层102的电路搭接区，以确保所述电路搭接区露出，确保薄膜晶体管功能层102与外部电路板的正常搭接。
[0046]上述内容中已提到，在完成有机发光二极管103的制作后，后续工艺中不能采用曝光工艺，因而，在制作所述封装加强层的图形时，也不能使用曝光工艺，本发明实施例中，可采用以下方法形成所述封装加强层:
[0047]首先，将一掩膜板放置于形成有其他层结构的下基板101上方，该掩膜板上具有镂空图形，该镂空图形对应有机发光二极管103区域；所述其他层结构包括:薄膜晶体管功能层102和有机发光二极管103，在有些实施例中，还可以包括完全覆盖层201。
[0048]然后，在所述掩膜板上涂覆用于制作所述封装加强层的封装材料；
[0049]最后，撤离所述掩膜板，所述镂空图形对应的封装材料保留在所述下基板101上，形成所述封装加强层的图形。
[0050]所述用于制作封装加强层的封装材料可以为有机材料、无机材料或有机/无机混合(Hybrid)材料，所述有机材料包括但不限于:聚甲基丙烯酸甲酯、二甲基硅氧烷、甲基苯基娃氧烧、_■苯基娃氧烧和娃树脂等，所述无机材料包括但不限于:_■氧化娃和氣化娃等。
[0051]上述薄膜封装层的完全覆盖层和封装加强层均没有采用硬性材质，因而本发明实施例的薄膜封装层具有轻、薄、可挠的特征，适用于柔性有机发光显示装置上。
[0052]上述薄膜封装层中的完全覆盖层和封装加强层可以为多种设置结构，下面举例进行说明。
[0053]请参考图4，图4为本发明实施例二的有机发光显示装置的结构示意图，该有机发光显示装置包括:下基板101，以及依次设置于所述下基板101上的薄膜晶体管功能层102、有机发光二极管103、薄膜封装层200及上基板104，其中，薄膜封装层200包括一层完全覆盖层201及两层封装加强层202，所述完全覆盖层201完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层102和有机发光二极管103的下基板101，所述两层封装加强层202只覆盖有机发光二极管103区域，并不覆盖薄膜晶体管功能层102的电路搭接区。上基板104设置于所述薄膜封装层200之上，且不覆盖所述薄膜晶体管功能层102的电路搭接区。所述上基板104通过密封胶108与下基板101结合。
[0054]本实施例中，完全覆盖层201为薄膜封装层200的首层，即位于封装加强层202和有机发光二极管103之间。
[0055]请参考图5，图5为本发明实施例三的有机发光显示装置的结构示意图，本实施例与图4所示的实施例的区别在于，完全覆盖层201为薄膜封装层的中间层，即为两封装加强层202之间。
[0056]请参考图6，图6为本发明实施例四的有机发光显示装置的结构示意图，本实施例与图4所示的实施例的区别在于，薄膜封装层包括两层完全覆盖层201，其中，一完全覆盖层201为薄膜封装层200的首层，另一完全覆盖层201为薄膜封装层200的中间层，即位于两封装加强层202之间。
[0057]上述实施例中的有机发光显示装置可以为OLED显示器件，也可以为OLED照明器件。
[0058]本发明实施例还提供一种有机发光二极管的封装方法,包括:
[0059]步骤S1:在下基板上形成薄膜晶体管功能层；
[0060]步骤S2:在形成有所述薄膜晶体管功能层的下基板上形成有机发光二极管；
[0061]步骤S3:在形成有所述有机发光二极管的下基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板；
[0062]步骤S4:在形成有所述薄膜封装层的下基板上覆盖上基板。
[0063]优选地，所述完全覆盖层采用镀膜方法形成，不需要采用曝光工艺形成图形，因而，可避免曝光工艺对有机发光二极管的损伤。
[0064]所述镀膜方法可以热蒸镀、原子层沉积镀膜方法(ALD)、化学气相沉积镀膜方法(CVD)或物理气相沉积镀膜方法(PVD)。
[0065]优选地，所述薄膜封装层还包括至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管区域上方，所述封装加强层采用以下方法形成:
[0066]将一掩膜板放置于已形成其他层结构的下基板上方，所述掩膜板上具有镂空图形，所述镂空图形对应所述有机发光二极管区域；
[0067]在所述掩膜板上涂覆用于制作所述封装加强层的封装材料；
[0068]撤离所述掩膜板，所述镂空图形对应的封装材料保留在所述下基板上，形成所述封装加强层的图形。
[0069]所述封装加强层可以提高薄膜封装层的封装性能，另外，在制作所述封装加强层的图形时，也不需要使用曝光工艺，避免对有机发光二极管的损伤。
[0070]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括: 下基板，以及设置于所述下基板之上的薄膜晶体管功能层、有机发光二极管、薄膜封装层和上基板，其中，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述至少一层完全覆盖层的厚度总和小于预设阈值。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述预设阈值为100纳米。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述完全覆盖层采用阻水材料制成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述阻水材料为金属氧化物或金属氮化物。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层还包括: 至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管区域上方。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述上基板覆盖所述下基板的除所述薄膜晶体管功能层的电路搭接区之外的其他区域。
8.一种有机发光二极管的封装方法，其特征在于，包括: 在下基板上形成薄膜晶体管功能层； 在形成有所述薄膜晶体管功能层的下基板上形成有机发光二极管； 在形成有所述有机发光二极管的下基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一层完全覆盖层，所述完全覆盖层完全覆盖设置有所述薄膜晶体管功能层和有机发光二极管的下基板； 在形成有所述薄膜封装层的下基板上覆盖上基板。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管的封装方法，其特征在于，所述完全覆盖层采用镀膜方法形成。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管的封装方法，其特征在于，所述镀膜方法为热蒸镀、原子层沉积镀膜方法、化学气相沉积镀膜方法或物理气相沉积镀膜方法。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管的封装方法，其特征在于，所述薄膜封装层还包括至少一层封装加强层，仅设置于所述有机发光二极管区域上方，所述封装加强层采用以下方法形成: 将一掩膜板放置于已形成其他层结构的下基板上方，所述掩膜板上具有镂空图形，所述镂空图形对应所述有机发光二极管区域； 在所述掩膜板上涂覆用于制作所述封装加强层的封装材料； 撤离所述掩膜板，所述镂空图形对应的封装材料保留在所述下基板上，形成所述封装加强层的图形。
【文档编号】H01L51/56GK104201189SQ201410419043
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2014年8月22日
【发明者】王俊然, 曾思衡 申请人:京东方科技集团股份有限公司