一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构，中间层介质基板和下层接地金属板。滤波器由两个谐振器和两条馈电线组成，两个谐振器左右对称，并且馈电线也呈左右对称结构。每个谐振器包括一条两端开路的主传输微带线、一条加载在半波长主传输线中点的开路枝节线。这条中心加载谐振器有两个谐振模式或者说谐振路径，其中基波的谐振路径是较长半波长谐振通路，由于引入了对称式的馈电方式，产生了选择性电磁耦合，从而抑制了基波的通带，而只保留了高通带。本发明具有在30G频段容易加工制造，阻带宽，通带选择性好，不附带多余电路的特点。
【专利说明】一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种毫米波带通滤波器，特别是涉及一种抑制基波的，尺寸较大的，可 用PCB制版技术实现的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器。
【背景技术】
[0002] 随着毫米波工程的发展，毫米波的应用正在向着更高频段发展，同时也遇到了新 的问题，如更高的频率意味着更小的电路尺寸，使得电路加工难度大，制造成本高。因此对 成本较低的，尺寸较大的，易于加工的毫米波滤波器有着较为迫切的需求。
[0003] 目前许多研究者已经将许多种技术用于毫米波带通滤波器的设计，其中有 几种典型的方法。第一种方法是采用具有多层结构和高制造精度的低温共烧陶瓷技 术（LTCC)设计毫米波带通滤波器，如S. W. Wong，Z. N. Chen，and Q. X. Chu， (2012)， 'Microstrip-line millimeter-wave bandpass filter using interdigital coupled-line'，，48，pp. 224-225. ?第二种方法是米用 COMS (bulk complementary metal oxide semiconductor)设计毫米波带通滤波器，如使用慢波结 构的 B. Yang, E. Skafidas，and R. J. Evans, (2012)，^Slow-wave slot microstrip transmission line and bandpass filter for compact millimeter-wave integrated circuits on bulk complementary metal oxide semiconductor'， IET Mi crow. Antennas 6，pp. 1548-1555.和 H. -R. Lin，C. _Y. Hsu，H. -R. Chuang，and C. _Y. Chen, (2012)，'A 77-GHz miniaturized slow-wave SIR bandpass filter fabricated using 0. 18-um standard CMOS technology^ , Microwave Opt Techno 1 Lett. , 54, pp. 1063 - 1066。以及使用阶跃阻抗谐振器的 S. -C. Chang，Y. -M. Chen，S. -F. Chang， Y. -H. Jeng，C. -L. Wei，C. -H. Huang，and C. -P. Jeng，(2010)，'Compact millimeter-wave CMOS bandpass filters using grounded pedestal stepped-impedance technique'，/52?1 fra/Ls* #icrew /fed，58，pp. 3850-3858?第三种方法是 采用介质集成波导技术（SIW)、集成无源器件技术（IPD)设计毫米波带通滤波器，如C. Y. Hsiao, S. S. H. Hsu, and D. C. Chang, (2011)，ζk compact V-band bandpass filter in IPD technology^, IEEE Mi crow Wireless Compon. Lett. , 21， pp. 531-533.以及 X. P. Chen, and K. Wu, (2012) ^Self-packaged millimeter-wave substrate integrated waveguide filter with asymmetric frequency response'，IEEE Trans Compon Package /fed，2，pp. 775-782。本发明采用的PCB制版技术可实现的平面微带线结构。
[0004] 现阶段，毫米波带通滤波器已经引起了很多的关注。如J. -H. Lee，S. Pinel， J. Laskar， and Μ. M. Tentzeris, (2007)， 'Design and development of advanced cavity-based dual-mode filters using low-temperature c〇-fired ceramic technology for V-band gigabit wireless systems'，IEEE Trans Mi crow Theory Tech. , 55，pp. 1869-1879。但它采用了 LTCC技术，加工难度较大，制作成本较高，为了解决这个问题，本发 明提供新的实现大尺寸的抑制基波的毫米波带通滤波器。
[0005]
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于克服现有技术存在的上述不足，提供一种采用频率选择性耦合 来抑制基波的毫米波带通滤波器。
[0007] 为实现本发明目的，本发明所采用的技术方案如下： 一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构、中间层介 质基板和下层接地金属板；上层微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属板 附着在中间层介质基板下表面；上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器；两个谐振器 呈中轴对称，并且结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器，工作在高通带时 也等效为半波长谐振器，但是两条谐振路径是不同的，所述滤波器的其中一条馈电线在输 入端口处分成两路，分别对称地沿着中心加载谐振器的外边缘进行耦合馈电，另外一条馈 电线在输出端口处分成两路，分别对称地沿着另一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
[0008] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器包括一个半波长主 传输线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线，其中半波长主传输微带线部分由第四微 带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，第四微带线的一 端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两端相连，加载在第六微带线中心 的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输线的中间，另一端开路。谐振器工 作在低通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线、第九微 带线所组成的对应低通带的半波长路径，工作在高通带的时候谐振路径是第四微带线、第 五微带线、第六微带线的一半和第七微带线所组成的对应高频率的半波长路径。
[0009] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，每个谐振器的半波长主传 输线的长度Z的电长度基波谐振频率对应的波长的一半；Z/jMi为所述双带通滤波器 的高谐振频率/ 2对应的波长λ的一半，A为第七微带线的长度；半波长主传输微带线长度 Z为第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线的长度之和。
[0010] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器的半波长主传输线 部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，两 个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E型结构。
[0011] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述其中一条馈电线由第 一微带线、第二微带线、第三微带线、第十九微带线组成，第一微带线一端开路，另一端与第 二微带线一端相连，第二微带线另一端与第三微带线一端相连，第三微带线另一端开路， 第十九微带线一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线的中心；另一条馈电线由第十微带 线、第十一微带线、第十二微带线、第二十微带线组成，第十微带线一端开路，另一端与第 十一微带线一端相连，第十一微带线另一端与第十二微带线一端相连，第十二微带线另一 端开路，第二十微带线一端开路，另一端垂直搭接在第十一微带线上的中心；接在输入端口 之后的馈电线分成两路，其中一路包括第一微带线和第二微带线的一半；另一路包括第三 微带线和第二微带线的另一半；其中第一微带线与半波长主传输线的第八微带线之间有 0. 1±0. 05 mm的间隙来实现平行耦合；第三微带线与半波长主传输线的第五微带线之间有 0. 1±0. 05 mm的间隙来实现平行耦合；第二微带线和第四微带线以及第九微带线之间有 0. 1±0. 05 mm的间隙来实现平行耦合。
[0012] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述接在输出端口之前的 馈电线分成两路，一路包括第十微带线和第十一微带线的一半；另一路包括第十二微带线 与第十一微带线的另一半。
[0013] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述滤波器的通带固定在 30GHz，在很宽一段频带范围内都有很好的抑制水平；第一微带线的长度为1. 1±0. 02mm， 宽度为〇· 2±0· 02mm，第二微带线的长度为4· 2±0· 02mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第三微 带线的长度为1· 1±〇· 〇2mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第十九微带线接输入端口，其特性阻抗 为50Ω，长度为1.3±0. 02_，宽度为0. 8±0. 03_，第四微带线的长度为1.2±0. 04mm， 宽度为〇· 2±0· 02mm，第五微带线的长度为0· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第六微带 线的长度为3· 6±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第七微带线的长度为0· 6±0· 05mm，宽度 为0· 2±0· 02mm，第八微带线的长度为0· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第九微带线的 长度为1·2±0· 04mm，宽度为0·2±0· 02mm，第十微带线的长度为1. 1±0· 02mm，宽度为 0. 2±0. 02mm，第i^一微带线的长度为4. 2±0. 02mm，宽度为0. 2±0. 02mm，第十二微带线的 长度为1. 1±〇.〇2臟，宽度为0.2±0.02臟，第二十微带线接输出端口，其特性阻抗为50Ω， 长度为1. 3 ±0. 02mm，宽度为0. 8 ±0. 03mm，第一微带线和第八微带线的间距为0. 1+0. 05mm 第三微带线和第五微带线的间距为0. l±〇. 05mm，第二微带线和第四微带线以及第九微带 线之间的间距为〇· 1±〇· 05 mm。
[0014] 相对于现有技术，本发明具有如下优点： (1)采用半波长主传输线两端开路，中心加载开路枝节线，使用两个谐振器，实现双模 谐振的功能。
[0015] (2)由于采用双模谐振器，采用选择性耦合，抑制了基波谐振频率，所以滤波器在 工作频率上算是大尺寸，便于加工。整个电路大小为0. 371g'0. 581g，lg是低频对应的波 长。
[0016] (3)采用选择性耦合的方式抑制基波，阻带范围很宽，在馈电线和谐振器之间的没 有引入附加电路，结构简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1是采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器结构图。
[0018] 图2a是选择性耦合抑制基波的电磁耦合结构的微带线耦合区域示意图， 图2b是馈电线上的奇偶模电压示意图； 图2c为谐振器部分耦合区域内的奇偶模电压示意图。
[0019] 图3是采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器示意图。
[0020] 图4是馈电端口不对称的仿真结果图，基波没有得到抑制。
[0021] 图5是仿真和测试的滤波器的插入损耗图。
[0022] 图6是仿真和测试的滤波器的回波损耗图。
[0023] 图7是局部的低通带的仿真和测试的滤波器的插入损耗图。
[0024] 图8是局部的低通带的仿真和测试的滤波器的回波损耗图。 具体实施方案
[0025] 下面结合附图对本发明作进一步详细的说明，但本发明要求保护的范围并不局限 于下例表述的范围。
[0026] 如图1所示，采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器(使用PCB制版这 种简单低成本的工艺实现)，包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板；上层 微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属板附着在中间层介质基板下表面； 其特征在于：上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器；两个谐振器呈中轴对称，并且 结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器，工作在高通带时也等效为半波长 谐振器，但是两条谐振路径是不同的；所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两 路，分别对称地沿着中心加载谐振器的外边缘进行耦合馈电；另外一条馈电线在输出端口 处分成两路，分别对称地沿着另一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
[0027] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器包括一个半波长主 传输线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线。其中半波长主传输微带线部分由第四微 带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，第四微带线的一 端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两端相连；加载在第六微带线中心 的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输线的中间，另一端开路。
[0028] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，由奇偶模分析可知，在奇 模时，半波长主传输线中间相当于接地，对应于低通带，而且是半波长谐振器；即谐振器的 半波长主传输线的长度Z对应的电长度为所述毫米波带通滤波器的低谐振频率对应的 波长的一半；在偶模时，半波长主传输线中间开路，半波长主传输线的一半连接在第七微带 线7,其谐振时，对应于高通带，而且是半波长谐振器。即1/2Ζ+Α为所述毫米波带通滤波器 的高谐振频率/ 2对应的波长λ的二分之一，乙为第七微带线7的长度；半波长主传输微带 线长度Ζ为第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9的长 度之和；谐振频率由微带线第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和 第九微带线9的长度之和Ζ决定，确定了所要抑制的低谐振频率之后，然后根据第四微 带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9的长度之和Ζ对应为半 波长的特性就可以确定Ζ的长度；当高谐振频率/ 2确定之后，的长度也随之确定， 进而可以确定Α的长度。由于在第二微带线2的中点采用对称馈电的方法，在由第一微带 线1、第二微带线2、第三微带线3组成的馈电线上的电压关于馈电点在奇偶模谐振时都呈 偶函数分布。如图2a，为了实现抑制基波谐振，采用选择性耦合的方式，在馈电线和主谐振 器之间选择适当的耦合区域，在图2b中为从AT到和从到所示的两个区域； 如图2c在奇模谐振频率/；，两个区域的电压关于主微带线的中点呈奇函数分布，因此在所 选耦合区域中耦合因数为零，抑制了信号从馈电线传输到谐振器，进而基波谐振频率得到 了抑制；在偶模谐振频率/ 2，两个区域的电压关于主微带线的中点呈偶函数分布，因此在所 选耦合区域中耦合因数不为零，并且其耦合强度可由控制耦合间隙得到适当的值。
[0029] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器的半波长主传输线 部分由第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9依次连接 而成，两个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E型结构。
[0030] 上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述其中一条馈电线由第 一微带线1、第二微带线2、第三微带线3、第十九微带线19组成，第一微带线1 一端开路，另 一端与第二微带线2 -端相连，第二微带线2另一端与第三微带线3 -端相连，第三微带线 3另一端开路，第十九微带线19 一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线2的中心；另一条 馈电线由第十微带线10、第十一微带线11、第十二微带线12、第二十微带线20组成，第十微 带线10 -端开路，另一端与第十一微带线11 一端相连，第十一微带线11另一端与第十二 微带线12-端相连，第十二微带线12另一端开路，第二十微带线20 -端开路，另一端垂直 搭接在第i^一微带线11上的中心；接在输入端口之后的馈电线分成两路，其中一路包括第 一微带1线和第二微带线2的一半；另一路包括第三微带线2和第二微带线2的另一半。 作为举例，其中第一微带线1与半波长主传输线的第八微带线8之间有0. 1±0. 05 mm的间 隙来实现平行耦合；第三微带线3与半波长主传输线的第五微带线5之间有0. 1 ±0. 05 mm 的间隙来实现平行耦合；第二微带线2和第四微带线4以及第九微带线9之间有0. 1 ±0. 05 mm的间隙来实现平行耦合。
[0031] 所述接在输出端口之前的馈电线分成两路，一路包括第十微带线10和第十一微 带线11的一半；另一路包括第十二微带线12与第十一微带线11的另一半。
[0032] 作为举例，所述滤波器的通带固定在30GHz，在很宽一段频带范围内都有很好的 抑制水平；第一微带线1的长度为1. 1±〇· 〇2mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第二微带线2的 长度为4. 2±0· 02mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第三微带线3的长度为1. 1±0· 02mm，宽度为 0. 2 ±0. 02mm，第十九微带线19接输入端口，其特性阻抗为50 Ω，长度为1. 3 ±0. 02mm，宽度 为0. 8±0. 03mm，第四微带线4的长度为1. 2±0. 04mm，宽度为0. 2±0. 02mm，第五微带线 5的长度为0· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第六微带线6的长度为3. 6±0· 01mm，宽度 为0. 2±0. 02mm，第七微带线7的长度为0. 6±0. 05mm，宽度为0. 2±0. 02mm，第八微带线8 的长度为〇· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第九微带线9的长度为1. 2±0· 04臟，宽度为 0· 2±0· 02mm，第十微带线10的长度为1. 1±0· 02mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第i^一微带线11 的长度为4. 2±0· 02mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第十二微带线12的长度为1. 1±0· 02mm，宽度 为0. 2 ±0. 02mm，第二十微带线20接输出端口，其特性阻抗为50 Ω，长度为1. 3 ±0. 02mm，宽 度为0. 8 ±0. 03mm，第一微带线1和第八微带线8的间距为0. 1+0. 05mm第三微带线3和第 五微带线5的间距为0. 1±0. 05mm，；第二微带线2和第四微带线4以及第九微带线9之间 的间距为0. 1±〇. 05 mm。 实施例
[0033] -种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器的结构如图1所示，有 关尺寸规格如下图3所示；介质基板的厚度为0.254mm，相对介电常数为2. 2,损耗角 正切为0.0009 ;谐振器采用E形结构可以方便实现选择性耦合馈电结构的设计；滤波 器的各微带线尺寸参数如下 ^=1. 06±0. 01mm, Ζ2=0·6±0· 01mm, 4=1. 16±0. 01mm， Z4=Z5"=1. 515±0. 01mm，Z6=l. 385 ±0. 01mm，Z7=0. 65±0. 01mm，&=0. 15±0. 01mm， 而=0. 1 ±0. 01mm，Α=0. 2±0. 01mm，F2=0. 77±0. 01mm，F3=0. 2±0. 01mm，％=0. 2±0. 01mm， 选择这些微带线各自的长度和宽度，以获得所需的输入/输出阻抗特性、频带内传输特性 和频带外衰减特性。
[0034] 图4是在其他参数不变的条件下，馈电端口不对称的仿真结果图；虚线代表插入 损耗S21的仿真结果，实线代表回波损耗sn的仿真结果；从图中可以看出，当馈电端口不对 称时，基波谐振通带没有得到抑制，当馈电端口对称时，基波谐振通带被很好地抑制了，呈 现良好带外抑制特性；图5和图6分别是按照上述参数设计出来的大尺寸的抑制基波的毫 米波带通滤波器S 21 (插入损耗）和Sn (回波损耗）的仿真结果；输特性曲线图中的横轴表 示频率，纵轴表示传输特性的dB值；虚线为仿真结果，实线为测试结果；图5的测 试结果显示通带中心频率为30. 2 GHz，插入损耗2. 5dB，和仿真的插入损耗1. ldB有差别是 因为包含了 50传输线的损耗和端口上SMA头的损耗，在通带的两侧都有传输零点，极大地 改善了滤波器的选择性；由于基波谐振频率得到了抑制，获得了很好的带外抑制特性，在频 率低于29GHz和33GHz至50GHz频率范围内，回波损耗低于-20dB ;为了更加清楚地展示通 带特性及带外抑制的效果，图7截取了图5中的局部的图形，其测试插入损耗为-2. 5dB，其 仿真插入损耗为-1. ldB，-3dB相对带宽为4. 6% ;图6为传输特性5^的仿真曲线，从图中 可以看出，仿真通带回波损耗优于_23dB ;为了更加清楚地看通带回波损耗Sn的效果，图8 截取了图6中通带局部的图形，测试结果通带回波损耗优于-lldB，测试结果与仿真结果基 本一致，仿真和测试分别是使用全波电磁仿真软件IE3D和E5071C网络分析仪来完成的。
[0035] 实施例的仿真和实测结果表明，基波谐振频率可以通过上述设计得到良好的抑 制，而且没有引入附加电路，在谐振频率上具有相对较大的电路尺寸，具有在30G频段容易 加工制造，通带选择型好的特点。
[0036] 以上所述仅为本发明的较佳实例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神 和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构、中间层 介质基板和下层接地金属板；上层微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属 板附着在中间层介质基板下表面；其特征在于：上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振 器；两个谐振器呈中轴对称，并且结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器， 工作在高通带时也等效为半波长谐振器，谐振器在高通带和低通带工作时的谐振路径是不 同的；所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两路，分别对称地沿着中心加载谐 振器的外边缘进行耦合馈电；另外一条馈电线在输出端口处分成两路，分别对称地沿着另 一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
2. 根据权利要求1所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在 于所述谐振器包括一个半波长主传输线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线，其中半 波长主传输微带线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线 依次连接而成，第四微带线的一端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两 端相连；加载在第六微带线中心的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输 线的中间，另一端开路。
3. 根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在 于谐振器工作在低通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带 线、第九微带线所组成的对应低通带的半波长路径，工作在高通带的时候谐振路径是第四 微带线、第五微带线、第六微带线的一半和第七微带线所组成的对应高频率的半波长路径。
4. 根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在 于每个谐振器的半波长主传输线的长度Z的电长度基波谐振频率Λ对应的波长的一半； 为所述双带通滤波器的高谐振频率/2对应的波长λ的一半，Α为第七微带线的长 度；半波长主传输微带线长度Z为第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第 九微带线的长度之和。
5. 根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在 于谐振器的半波长主传输线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第 九微带线依次连接而成，两个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E形结构。
6. 根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征 在于所述其中一条馈电线由第一微带线、第二微带线、第三微带线、第十九微带线组成，第 一微带线一端开路，另一端与第二微带线一端相连，第二微带线另一端与第三微带线一端 相连，第三微带线另一端开路，第十九微带线一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线的中 心；另一条馈电线由第十微带线、第十一微带线、第十二微带线、第二十微带线组成，第十微 带线一端开路，另一端与第十一微带线一端相连，第十一微带线另一端与第十二微带线一 端相连，第十二微带线另一端开路，第二十微带线一端开路，另一端垂直搭接在第十一微带 线上的中心；接在输入端口之后的馈电线分成两路，其中一路包括第一微带线和第二微带 线的一半；另一路包括第三微带线和第二微带线的另一半；其中第一微带线与半波长主传 输线的第八微带线之间有〇. 1±〇. 05 mm的间隙来实现平行耦合；第三微带线与半波长主 传输线的第五微带线之间有〇. 1±〇. 05 mm的间隙来实现平行耦合；第二微带线和第四微 带线以及第九微带线之间有〇. 1±〇. 05 mm的间隙来实现平行耦合。
7. 根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征 在于所述接在输出端口之前的馈电线分成两路，一路包括第十微带线和第十一微带线的一 半；另一路包括第十二微带线与第十一微带线的另一半。
8.根据权利要求7所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特 征在于，所述滤波器的通带固定在30GHz，第一微带线的长度为1. 1±0. 02mm，宽度为 0.2±0.02mm，第二微带线的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第三微带线 的长度为1. 1±〇· 〇2mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第十九微带线接输入端口，其特性阻抗为 50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm，第四微带线的长度为1.2±0.04臟，宽 度为0· 2±0· 02mm，第五微带线的长度为0· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第六微带线 的长度为3. 6±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第七微带线的长度为0· 6±0· 05mm，宽度 为0· 2±0· 02mm，第八微带线的长度为0· 8±0· 01mm，宽度为0· 2±0· 02mm，第九微带线的 长度为1.2±0.04臟，宽度为0.2±0.02mm，第十微带线的长度为1. l±0.02mm，宽度为 0. 2±0. 02mm，第i^一微带线的长度为4. 2±0. 02mm，宽度为0. 2±0. 02mm，第十二微带线的 长度为1. 1±〇.〇2臟，宽度为0.2±0.02臟，第二十微带线接输出端口，其特性阻抗为50Ω， 长度为1. 3 ±0. 02mm，宽度为0. 8 ±0. 03mm，第一微带线和第八微带线的间距为0. 1+0. 05mm 第三微带线和第五微带线的间距为0. l±〇. 05mm，第二微带线和第四微带线以及第九微带 线之间的间距为〇· 1±〇· 05 mm。
【文档编号】H01P1/203GK104241743SQ201410445965
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月3日 优先权日:2014年9月3日
【发明者】章秀银, 徐金旭, 郭庆毅, 叶晓锋, 赵小兰 申请人:华南理工大学