一种高效的衬底剥离方法
【专利摘要】本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
【专利说明】一种高效的衬底剥离方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电【技术领域】，特别提供了一种高效的衬底剥离方法。
【背景技术】
[0002]光电【技术领域】的发展日新月异，其中，三结砷化镓太阳能电池的吸收范围覆盖太阳光大部分波段，是当前所有太阳能电池中转换效率最高。发光二极管(LED)由于其低功耗、尺寸小和可靠性高而作为主要的光源得到迅猛的发展。
[0003]衬底剥离技术为太阳能电池、发光二极管向薄膜化发展提供了必要技术支持。衬底的重复性利用也降低了薄膜太阳能电池、薄膜LED的制作成本，且减少制作过程对环境的污染和资源的浪费。因此，采用有效的衬底剥离技术成为薄膜器件发展的重要技术。
[0004]现有技术中，通常在衬底与外延结构之间设置牺牲层，牺牲层采用AlAs单层膜，由于外延结构与牺牲层接触面积小且无法有效释放外延结构与牺牲层的连接力，容易导致接触面积内的外延结构被拉扯力撕破，为解决所述问题，本案由此产生。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种高效的衬底剥离方法，以提高外延结构与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延结构容易破损的问题。
[0006]为达成上述目的，本发明的解决方案为:
一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤:
步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；
步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。
[0007]进一步，所述化学腐蚀液的配方为:氢氟酸3-5mol/L ;柠檬酸0.5-2mol /L ;过氧化氢 200-500g/L ;水 500-800g/L。
[0008]一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。
[0009]进一步，交替生长的AlInP/AlAs多层结构，其交替生长的对数为3_8对。采用3对以上能有效缓冲和释放剥离过程外延结构与衬底产生的拉扯力，且随着牺牲层对数的增加有效缓冲和释放的能力变得更强。当对数超过8对后腐蚀蚀刻的速率下降明显。因此采用3-8对交替生长的AlInP/AlAs结构为最优选择。
[0010]进一步，AlInP层的单层厚度范围20-60nm。AlInP层的主要作用是起到缓冲和释放剥离过程外延结构与衬底产生的拉扯力，但由于AlInP层蚀刻速率较AlAs层慢，采用厚度不宜厚。
[0011]进一步，AlAs层的单层厚度范围40-150nm。在蚀刻AlInP层、AlAs层的速率不同，AlAs层的厚度采用40nm以上，蚀刻过程会逐渐产生AlInP层与之相邻的上、下层AlAs层都被蚀刻，形成半悬空的AlInP层，在多组交替生长的AlInP/AlAs牺牲层会产生不同区域的AlAs层被相邻的两层AlInP层弯曲所合闭，但另一层AlAs层相邻的两层AlInP层反而是弯曲张开，从而使得一侧的AlAs层更多地接触腐蚀溶液，进而增加AlAs层的腐蚀速率。导致各层AlAs层及各区域的AlAs层的蚀刻速率不同，促进了整体蚀刻速率的提高。但AlAs层的厚度达到150nm以上时，该效应反而减弱，蚀刻速率降低明显。
[0012]进一步，交替生长的AlInP/AlAs多层结构的第一层为AlInP层，且与衬底相邻。
[0013]进一步，交替生长的AlInP/AlAs多层结构的最后一层为AlInP层，且与外延结构相邻。
[0014]进一步，最后一层的AlInP层的厚度较其它AlInP层厚。采用此结构的设计，防止腐蚀进行到最后阶段时，只剩下很小区域的外延结构与衬底的接触面积时，最后一层AlInP能有效阻挡撕破外延结构。
[0015]进一步，所述的化学腐蚀液的温度控制在10_90°C，优选蚀刻温度45°C。采用温度越高本腐蚀配方的腐蚀速率越快，但温度太高了会导致其它外延结构也会被侧蚀。优选蚀刻温度45 °C，腐蚀配方溶液对AlAs层的蚀刻速率与AlInP层的蚀刻速率之比最大，最有利于剥离时保持外延结构的完整性。
[0016]进一步，所述的化学腐蚀液具有流动的功能，环绕着外延衬底的流速范围控制在0.2-3 m/s。腐蚀溶液具有流动的功能有效减小腐蚀溶液蚀刻AlAs层、AlInP层时所形成的毛细现象。
[0017]一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构，电池外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；电池外延结构由下自上依次设置欧姆接触层、顶电池窗口层、顶电池发射区、顶电池基区、顶电池BSF层、中顶电池隧穿结、中电池窗口层、中电池发射区、中电池基区、中电池BSF层、中底电池隧穿结、组分渐变层、底电池窗口层、底电池发射区、底电池基区及底电池BSF层，欧姆接触层与牺牲层相邻。
[0018]—种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构，外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；外延发光结构由下自上依次设置第一型导电层、有源层及第二型导电层，第一型导电层与牺牲层相邻。
[0019]采用上述方案后，本发明通过在衬底与外延结构之间设置用于腐蚀剥离的牺牲层，牺牲层采用交替生长的AlInP/AlAs多层结构，提高了外延结构与衬底的剥离速率。由于AlInP层与AlAs层存在蚀刻速率不同，使得腐蚀过程中AlAs层与AlInP层形成深、浅交替的弹簧状蚀刻形貌，有效释放外延结构与衬底分离所产生的拉扯力。
[0020]解决现有技术牺牲层采用AlAs单层膜蚀刻到后期，由于外延结构与牺牲层接触面积小，且无法有效释放拉扯力，从而容易导致接触面积内的外延结构被撕破的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为应用衬底可剥离的外延结构的太阳能电池结构示意图；
图2为应用衬底可剥离的外延结构的发光二极管结构示意图。
[0022]标号说明
衬底I缓冲层2
牺牲层3欧姆接触层4
顶电池窗口层5顶电池发射区6 顶电池基区7顶电池BSF层8
中顶电池隧穿结9中电池窗口层10
中电池发射区11中电池基区12
中电池BSF层13中底电池隧穿结14
组分渐变层15底电池窗口层16
底电池发射区17底电池基区18 底电池BSF层19
衬底21缓冲层22
牺牲层23第一型导电层24
有源层25第二型导电层26。
【具体实施方式】
[0023]以下结合附图及具体实施例对本发明做详细描述。
[0024]如图1所示，本发明揭示的一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构，在衬底I表面由下自上依次外延缓冲层2、牺牲层3、欧姆接触层4、顶电池窗口层5、顶电池发射区6、顶电池基区7、顶电池BSF层8、中顶电池隧穿结9、中电池窗口层10、中电池发射区11、中电池基区12、中电池BSF层13、中底电池隧穿结14、组分渐变层15、底电池窗口层16、底电池发射区17、底电池基区18及底电池BSF层19。
[0025]其中衬底I采用4英寸的GaAs衬底，厚度为400 μ m。缓冲层2的材料为GaAs三五族化合物，厚度为500nm。
[0026]牺牲层3由7组AlInP层和AlAs层父替构成，且弟一层和取后一层都为AlInP层。AlInP层厚度为40nm, AlAs层厚度为lOOnm。
[0027]欧姆接触层4材料为GaAs三五族化合物，厚度为200nm。
[0028]顶电池窗口层5材料为AlGaInP三五族化合物，顶电池窗口层5厚度为30nm。
[0029]电池发射区6和顶电池基区7材料采用GaInP三五族化合物，顶电池发射区6厚度为650nm,顶电池基区7厚度为6 μ m。
[0030]顶电池BSF层8材料为AlGaInP,顶电池BSF层8厚度为lOOnm。中顶隧穿结9材料为GalnP/AlGaAs，中顶隧穿结9厚度为50nm。
[0031]中电池窗口层10材料为AlGaAs三五族化合物，中电池窗口层10厚度为lOOnm。
[0032]中电池发射区11和中电池基区12材料采用GaInAs三五族化合物，中电池发射区11的厚度为lOOnm，中电池基区12厚度为6 μ m。
[0033]中电池BSF层13材料为AlGaAs，中电池BSF层13的厚度为30nm。中底隧穿结14材料为GaAs，中底隧穿结14的厚度为50nm。
[0034]组分渐变层15由In组分渐变的GaInAs材料构成，组分渐变层15的厚度为600nm。
[0035]底电池窗口层16材料为AlGaInAs三五族化合物，底电池窗口层16的厚度为30nmo
[0036]底电池发射区17和底电池基区18材料采用GaInAs三五族化合物，底电池发射区17的厚度为650nm，底电池基区18的厚度为3 μ m。
[0037]使用下述腐蚀溶液进行外延结构和衬底I的剥离:氢氟酸4.5mol/L ;柠檬酸Imol/L ;过氧化氢500g/L ;氧化氢(水)500g/L。腐蚀液的温度控制在45°C。腐蚀液环绕外延衬底的流速范围控制在1.2m/s。使用所述腐蚀液腐蚀速度较快，当然也可以使用其它的腐蚀液。
[0038]如图2所示，本发明揭示的一种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构，在衬底21表面由下自上依次外延缓冲层22、牺牲层23、第一型导电层24、有源层25及第二型导电层26，其中，牺牲层23由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。
[0039]其中，衬底21采用2英寸的具有η型导电性的GaAs衬底，厚度为350 μ m。缓冲层22的材料为GaAs三五族化合物，厚度为500nm。
[0040]牺牲层23由5组AlInP层和AlAs层交替构成，且第一层和最后一层都为AlInP层。AlInP层厚度为30nm, AlAs层厚度为70nm。
[0041]第一型导电层24的材料为(Ala4Gaa5)a5Ina5P三五族化合物,米用厚度为6 μ m。有源层25采用量子阱与量子垒交替生长的量子结构。量子阱的材料为(AlaiGaa9)a5Ina5P三五族化合物，厚度为10nm。量子垒的材料为(Ala5Gaa5)a5Ina5P三五族化合物，厚度为18nm。量子阱和量子垒交叉的对数为30对。第二型导电层26的材料为(Ala4Gaa5)a5Ina5P、GaP三五族化合物，厚度为5 μ m。
[0042]采用下述腐蚀溶液进行外延结构和衬底的剥离。氢氟酸2mol/L ;柠檬酸0.5mol /L;过氧化氢300g/L;氧化氢(水)700g/L。腐蚀液的温度控制在30°C。腐蚀液环绕外延衬底的流速范围控制在2 m/s。
[0043]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非对本案设计的限制，凡依本案的设计关键所做的等同变化，均落入本案的保护范围。
【权利要求】
1.一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:包括以下步骤: 步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成； 步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。
2.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:所述的化学腐蚀液配方为:氢氟酸 3-5mol/L ;柠檬酸 0.5-2mol /L ;过氧化氢 200_500g/L ;水 500_800g/L。
3.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:交替生长的AllnP/AlAs多层结构，其交替生长的对数为3-8对。
4.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:Α1ΙηΡ层的单层厚度范围 20_60nm。
5.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:AlAs层的单层厚度范围 40-150nm。
6.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:交替生长的AllnP/AlAs多层结构的第一层为AllnP层，且与衬底相邻。
7.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:交替生长的AllnP/AlAs多层结构的最后一层为AllnP层，且与外延结构相邻，最后一层的AllnP层的厚度较其它AllnP层厚。
8.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:所述的化学腐蚀液在腐蚀时的温度控制范围为10-90°C。
9.如权利要求8所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:化学腐蚀液的蚀刻温度为45°C。
10.如权利要求1所述的一种高效的衬底剥离方法，其特征在于:所述的化学腐蚀液环绕着衬底的流速控制在0.2-3 m/s。
【文档编号】H01L33/02GK104347359SQ201410477236
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月18日 优先权日:2014年9月18日
【发明者】林志伟, 张永, 陈凯轩, 姜伟, 蔡建九, 吴洪清, 李俊承, 方天足, 卓祥景, 张银桥, 黄尊祥, 王向武 申请人:厦门乾照光电股份有限公司