一种led薄膜芯片基板的制备方法及其结构的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构，通过在基板支撑材料表面制备合金准备层，并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层，从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面；通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力，以解决基板弯曲问题，并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。
【专利说明】一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体光电器件制造【技术领域】，尤其是涉及一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构。
【背景技术】
[0002]LED发展初期，芯片结构大多为基于生长衬底上的同侧电极结构。随着LED发光效率的逐渐提高，应用范围越来越广，LED芯片由传统的用于指示、显示等用途的小功率芯片逐渐发展为可用于照明等应用场所的大功率芯片。由于同侧结构存在诸多问题，例如工作电压偏高、电流拥挤、电流易饱和、Pn结利用率不高、电流扩展差等，要求具有良好散热结构和电流扩展性的照明用功率型芯片需要采用更为先进的具有垂直结构的芯片——薄膜芯片。薄膜芯片技术通过结合晶圆热压键合技术和衬底剥离技术，去掉了原生长衬底并将LED薄膜直接转移至基板之上，同时此结构可采用有效提高LED发光效率的表面粗化技术和金属反射镜技术，如果再结合倒装焊技术，则可获得目前光效和散热最好的芯片结构之一。具有垂直电极结构的薄膜芯片已成为大功率LED的发展趋势之一，也逐渐成为照明用发光二极管芯片的主流产品。
[0003]在LED薄膜芯片技术中，通常采用晶圆热压键合技术将薄膜与基板结合在一起，而薄膜与基板结合后的可靠性是该技术路线中需重点突破的难题。基板支撑材料通常采用表面抛光的半导体材料，键合材料通常为金属材料。由于两者表面能之间的差异，经过抛光后的半导体材料与蒸镀在其表面的键合金属材料之间的粘附性通常不够好，因此提高薄膜芯片结构可靠性的关键在于提高半导体材料和键合金属之间的粘附性，而提高半导体材料和键合金属之间的粘附性的关键在于改善半导体材料和蒸镀在其上的金属之间的浸润性，也就是提高两者之间界面的结合能。
[0004]现有的生产工艺及技术中通常采用半导体材料表面处理工艺来提高半导体材料与金属材料的粘附性，如化学清洗、等离子体处理等，但是根据上述处理方法得到的半导体材料，其与金属材料的粘合力仍不够强，有可能会使位于键合金属之上的LED薄膜在后续的芯片制造过程中从基板上剥离或脱落下来，从而影响生产良率及可靠性。而且，在基板背面，若半导体材料与接触金属的粘附性不够好，充当电极的接触金属也有可能会从半导体材料上剥离或脱落下来，导致芯片失效。
[0005]“CN201320330460.1”采用将半导体材料进行适当表面粗化，增加其与金属的粘附性，这种方法富有成效，但是其半导体材料表面粗化的均匀性及粗化尺寸的控制较难，工艺窗口较小；若表面粗化尺寸过大或者均匀性过差，会导致薄膜芯片应力分布不均匀或者键合结构悬空不可靠，会导致芯片存在可靠性隐患或失效。因此，采用“CN201320330460.1”的方法需要实时根据批次粗化的效果调整晶圆热压键合的结构和工艺。这样以来，加工工艺复杂，窗口小，不易广品生广及稳定。
[0006]另外，在薄膜芯片制造过程中，一定伴随着薄膜转移，即LED薄膜从生长衬底转移至基板上。LED薄膜中通常残留有较大的生长应力，在去除生长衬底时所述生长应力会得到一定程度的释放，而残余的应力则加载在基板和薄膜之间，导致薄膜转移后的基板存在明显的弯曲现象，这种弯曲严重影响了芯片加工制造过程的自动化程度及良率。
[0007]
【发明内容】
:
本发明的第一个目的在于提供一种具有高可靠性的LED薄膜芯片基板的制备方法，它可以解决基板支撑材料与键合金属之间粘附性差的问题以及由于残余应力引起的基板弯曲问题。
[0008]本发明的第二个目的在于提供一种LED薄膜芯片基板的结构，用于解决基板支撑材料与键合金属之间粘附性差的问题以及由于残余应力引起的基板弯曲问题。
[0009]本发明的第一个目的是这样实现的:
第一种LED薄膜芯片基板的制备方法，特征是:包括以下步骤:
A、提供一表面清洗干净的基板支撑体；
B、在基板支撑体的正面依次形成第一合金准备层、第一基板保护层；
C、在基板支撑体的反面依次形成第二合金准备层、第二基板保护层；
D、进行合金，使所述第一合金准备层、第二合金准备层分别和基板支撑体在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层和第二二元共混层；
E、在第一基板保护层上形成热压黏合层；
F、在第二基板保护层上形成基板应力调制层，通过调整应力调制层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；
G、在所述基板应力调制层上形成电极层，制得LED薄膜芯片的基板。
[0010]第二种LED薄膜芯片基板的制备方法，特征是:包括以下步骤:
A、提供一表面清洗干净的基板支撑体；
B、在基板支撑体的正面依次形成第一合金准备层；
C、在基板支撑体的反面依次形成第二合金准备层；
D、进行合金，使所述第一合金准备层、第二合金准备层分别和基板支撑体在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层和第二二元共混层；
E、在第一二元共混层和第二二元共混层上分别形成第一基板保护层和第二基板保护层；
F、在第一基板保护层上形成热压黏合层；
G、在第二基板保护层上形成基板应力调制层，通过调整应力调制层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；
H、在所述基板应力调制层上形成电极层，制得LED薄膜芯片的基板。
[0011]对于所述的第一种LED薄膜芯片基板的制备方法和第二种LED薄膜芯片基板的制备方法，步骤D的合金温度取决于基板支撑体和第一合金准备层或者支撑基板体和第二合金准备层能够形成合金相的最低温度Ttl ;优选地，步骤D的合金温度为！^±201:。例如，若基板支撑体的材料为S1、第一合金准备层和第二合金准备层的材料均为Au，由Au-Si相图中可知，两者能够形成合金的最低温度Ttl为363°C，则优选地所述步骤D的合金温度范围为363±20°C。
[0012]优选地，步骤D在特定的保护气体氛围中进行，包括氮气、氩气、氧气中的一种或者以上气体的混合气。
[0013]其中，所述第一合金准备层和第二合金准备层的材料为易与基板支撑体的材料形成合金的金属；优选地，所述基板支撑体的材料为S1、Ge、GaAs、GaP、Cu(W)、MO、C、Si02中的任意一种或多种材料形成的复合基板；当基板支撑体的材料为Si时，优选地，所述第一合金准备层和第二合金准备层均为单层Au、Pt、Al、Ti或以上金属的叠层，如:Au/Pt/Au/Pt。
[0014]优选地:所述基板支撑体的材料具有较好的导热性能，为半导体材料或金属材料或有金属过孔的绝缘材料，厚度为60 ym?400μπι。
[0015]其中，所述第一基板保护层、第二基板保护层的材料具有良好的抗酸碱腐蚀能力；优选地，所述第一基板保护层、第二基板保护层均为Cr、T1、Pt、Au、N1、W、Tiff中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Cr/Pt、Cr/Au、Pt/Au/TiW、Pt/Au。
[0016]其中，所述热压黏合层所用的材料具有较低的熔点或者具有较强的扩散能力；优选地，所述的热压黏合层的材料为Sn、In、Pb、B1、Sb、Zn低熔点金属或其与Ag、Cu、Au、Al形成的合金(如AuSn、AuIn、Agin、AgSn)中的任意一种,其结构为一种金属单层或者多种金属构成的叠层，如Au/AuSn、Ag/Sn、Ag/In。
[0017]优选地,所述的基板应力调制层为Ag、Cu、Au、N1、W、Mo、Ti中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Cu/Ni/Cu、Ag/Ni/Ag、Cu/Ti/Ni/Ag、Cu/Ni/Ti/Mo。
[0018]其中，所述电极层的材料具有稳定的物理化学特性且具有较好的导热导电特性；优选地，所述电极层为Cr、T1、Pt、Au、N1、Cu中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Pt/Au。
[0019]优选地，所述基板支撑体的厚度为60 μπι?400μηι;
优选地，所述的第一合金准备层和第二合金准备层的厚度均为0.001 μ m?I μ m。
[0020]优选地，所述的第一基板保护层、第二基板保护层的厚度均为在0.2 μπι?Ιμπι。
[0021]优选地,所述热压黏合层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述基板应力调制层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述电极层的厚度为0.1 μ m?I μπι。
[0022]本发明的第二个目的是这样实现的:
一种LED薄膜芯片基板的结构，包括:基板支撑体，特征是:在所述基板支撑体的正面设有第一二兀共混层，在第一二兀共混层的上面设有第一合金准备层，在第一合金准备层的上面设有第一基板保护层，在第一合金准备层的上面设有热压黏合层；在所述基板支撑体的反面设有第二二元共混层，在第二二元共混层的下面设有第二合金准备层，在第二合金准备层的下面设有第二基板保护层，在第二合金准备层的下面设有基板应力调制层，在基板应力调制层的下面设有电极层。
[0023]优选的，所述基板支撑体的材料为S1、Ge、GaAs、GaP、Cu(W)、Mo、C、Si02中的任意一种，或者所述基板支撑体为上述多种材料形成的复合基板。
[0024]优选的，所述基板体支撑体的材料为Si，同时所述第一合金准备层和第二合金准备层均为单层Au、Pt、Al、Ti或以上金属的叠层，如:Au/Pt/Au/Pt。
[0025]优选地，所述基板支撑体的材料具有较好的导热性能，为半导体材料或金属材料或有金属过孔的绝缘材料，厚度为60 μ--?400 μπι。
[0026]优选地，所述第一基板保护层、第二基板保护层均为Cr、T1、Pt、Au、N1、W、TiW中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Cr/Pt、Cr/Au、Pt/Au/TiW、Pt/Au。
[0027]优选地，所述的热压黏结层的材料为Sn、In、Pb、B1、Sb、Zn低熔点金属或其与Ag、Cu、Au、Al形成的合金(如AuSn、Auln、Agin、AgSn)中的任意一种,其结构为一种金属单层或者多种金属构成的叠层，如Au/AuSn、Ag/Sn、Ag/In。
[0028]优选地，所述的基板应力调制层为Ag、Cu、Au、N1、W、Mo、Ti中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Cu/Ni/Cu、Ag/Ni/Ag、Cu/Ti/Ni/Ag、Cu/Ni/Ti/Mo。
[0029]优选地,所述电极层为Cr、T1、Pt、Au、N1、Cu中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Pt/Au。
[0030]优选地,所述基板支撑体的厚度为60 μ m?400 μ m ；
优选地，所述的第一合金准备层和第二合金准备层的厚度均为0.001 μ m?I μ m。
[0031]优选地，所述的第一基板保护层、第二基板保护层的厚度均为在0.2 μπι?Ιμπι。
[0032]优选地，所述热压黏结层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述基板应力调制层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述电极层的厚度为0.1 μ m?I μπι。
[0033]就解决基板支撑材料与键合金属之间粘附性差的问题而言，本发明通过设计第一合金准备层和第二合金准备层，并通过合金使所述第一合金准备层、第二合金准备层均和基板支撑体形成了二元共混的界面层，这有效地增强了基板支撑材料和金属之间的粘附性，避免了 LED薄膜和电极层从基板上剥离或脱落下来，获得了高可靠性的基板。
[0034]就解决残余应力引起的基板弯曲问题而言，本发明通过设计基板应力调制层并调整该层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；首先，由于基板应力调整层和LED薄膜分别处于基板的两侧，通过调整基板应力调制层的热膨胀系数使基板所受的来自该层的应力与基板所受的来自LED薄膜的残余应力平衡，则基板不会弯曲；其次，增大所述基板应力调整层的结构强度和厚度，可有效提闻基板的抗弯曲能力。
[0035]另外，本发明不仅适合于制备具有垂直电极的LED薄膜芯片，同样适合于制备具有通孔结构的同侧电极的LED薄膜芯片，还适合于具有相似结构的其它半导体器件。
[0036]【专利附图】
【附图说明】:
图1是本发明实施例1的结构示意图；
图2为实施例1中步骤A的结构示意图；
图3为实施例1中步骤B的结构示意图；
图4为实施例1中步骤C的结构示意图；
图5为实施例1中步骤D的结构示意图；
图6为实施例1中步骤E的结构示意图；
图7为实施例1中步骤F的结构示意图；
图8为实施例2中步骤B的结构示意图；
图9为实施例2中步骤C的结构示意图；
图10为实施例2中步骤D的结构示意图。
[0037]【具体实施方式】:
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种LED薄膜芯片基板的制作方法及其结构进行详细说明。需说明的是，本发明的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本发明。
[0038]实施例1:
图1和图2?7描述了本发明实施例1 一种LED薄膜芯片基板的制备方法，该制备方法包括以下步骤:
A、准备一基板支撑体100，如图2所示，并将其表面清洗干净；本实施例中选择了具有较好的导热导电性能的Si圆片作为基板支撑体，其厚度为250 μπι。
[0039]B、采用电子束蒸发或溅射的方法在基板支撑体100的正面依次形成第一合金准备层201、第一基板保护层301，如图3所示；
C、在基板支撑体100的反面依次形成第二合金准备层202、第二基板保护层302，如图4所示；
所述第二合金准备层201和第二合金准备层202的材料均为易与基板支撑体100形成合金的金属。当基板支撑体100的材料为Si时,所述第一合金准备层201和第二合金准备层202可均为单层Au、Pt、Al、Ti或以上金属的叠层，如:Au/Pt/Au/Pt。
[0040]D、将形成有第一合金准备层201、第一基板保护层301、第二合金准备层201和第二基板保护层301的基板支撑体100放入合金炉进行合金，使所述第一合金准备层201、第二合金准备层201分别和基板支撑体100在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层401和第二二元共混层402，如图5所示；
步骤D是本发明解决基板支撑材料和金属之间的粘附性差的问题的核心步骤，通过形成第一二元共混层401和第二二元共混层402可使得基板支撑体的材料和金属之间的粘附性将得到有效增强。
[0041]步骤D的合金温度是影响基板支撑材料和金属粘附性的重要参数，如果合金温度过高，第一合金准备层201、第二合金准备层202分别和基板支撑体100反应剧烈，会破坏基板支撑体100的表面形貌，导致整个基板上应力分布不均匀；如果合金温度过低，则难以达到增强基板支撑材料和金属粘附性的效果。
为此，本发明给出了上述合金温度的设计方法:步骤D的合金温度取决于基板支撑体100和第一合金准备层201或者支撑基板体100和第二合金准备层202能够形成合金相的最低温度Ttl ;优选地，步骤D的合金温度为！^±201:。若支撑基板体100的材料为S1、第一合金准备层201和第二合金准备层202材料均为Au，则由Au-Si相图中可知，两者能够形成合金的最低温度Ttl为363°C，那么步骤D的合金温度的较佳范围为363±20°C。
[0042]E、在第一基板保护层301上形成热压黏合层500，如图6所示；热压黏合层500的作用是在芯片制备时将LED薄膜与基板黏结在一起；
F、在第二基板保护层302上形成基板应力调制层600，如图7所示，形成该层的目的是通过调整该层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；
所述基板应力调整层600和LED薄膜分别处于基板的两侧，通过调整基板应力调制层600的热膨胀系数使基板所受的来自该层的应力与基板所受的来自LED薄膜的残余应力平衡，则基板不会弯曲；而增大所述基板应力调整层600的结构强度和厚度，可有效提高基板的抗弯曲能力。
[0043]G、所述基板应力调制层600上形成电极层700，如图1所示。
[0044]根据本发明实施例1提出的一种LED薄膜芯片基板的制备方法，本发明获得了一种LED薄膜芯片基板的结构，如图1所示，包括: 基板支撑体100 ；
第一二元共混层401，位于所述基板支撑体100的正面；
第一合金准备层201,位于二兀共混层I 401之上；
第一基板保护层301,位于第一合金准备层201之上；
热压黏合层500,位于第一基板保护层301之上；
第二二元共混层402，位于所述基板支撑体100的反面；
第二合金准备层202，位于所述第二二元共混层402之下；
第二基板保护层302,位于第二合金准备层202之下；
基板应力调制层600，位于所述第二基板保护层302之下；
电极层700，位于所述基板应力调制层600之下。
[0045]所述第一合金准备层201、第一基板保护层301、第一合金准备层201、第二合金准备层202、第一基板保护层301、第二基板保护层302、热压黏合层500、基板应力调制层600、电极层700均可采用蒸发或溅射的方法制得，而第一二元共混层401和第二二元共混层402则是在合金过程中由第一合金准备层201、第二合金准备层202分别和基板支撑体100相互反应扩散而成的二元共混界面层。
[0046]本发明的核心之一就在于形成在基板支撑材料和其上金属材料之间形成第一二元共混层401和第二二元共混层402，以解决基板支撑材料和金属之间粘附力差的问题，从而可避免由于LED薄膜或电极层700从基板上脱落下来所导致的芯片失效。
[0047]本发明的另一核心在于，通过设计基板应力调整层600并最优化该层的的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；由于所述基板应力调整层600和LED薄膜分别处于基板的两侧，因此通过调整基板应力调制层600的热膨胀系数使基板所受的来自该层的应力与基板所受的来自LED薄膜的残余应力平衡，则可使基板不弯曲；而若增大所述基板应力调整层600的结构强度和厚度，则可有效提高基板的抗弯曲能力。
[0048]优选地,所述的基板应力调制层为Ag、Cu、Au、N1、W、Mo、Ti中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层，如:Cu/Ni/Cu、Ag/Ni/Ag、Cu/Ti/Ni/Ag、Cu/Ni/Ti/Mo。
[0049]优选地,所述基板支撑体的厚度为60 μ m?400 μ m ；
优选地，所述的第一合金准备层和第二合金准备层的厚度均为0.001 μ m?I μ m。
[0050]优选地，所述的第一基板保护层、第二基板保护层的厚度均为在0.2 μπι?Ιμπι。
[0051]优选地，所述热压黏结层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述基板应力调制层的厚度为2um?1um ；
优选地，所述电极层的厚度为0.1 μ m?I μπι。
[0052]实施例2:
与实施例1的不同之处在于，在本实施例2中，所述第一基板保护层301和第二基板保护层302是在完成所述合金工序之后再分别形成于基板支撑体100的正面和反面，而实施例2所获得一种LED薄膜芯片基板的结构与实施例1完全相同。
[0053]实施例2提供的一种LED薄膜芯片基板的制备方法，包括以下步骤:
Α、提供一表面清洗干净的基板支撑体100 ；
B、在基板支撑体的正面依次形成第一合金准备层201，在基板支撑体的反面依次形成第二合金准备层202，如图8所示； C、进行合金,使所述第一合金准备层201、第二合金准备层201分别和基板支撑体100在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层401和第二二元共混层402，如图9所示；
D、在第一合金准备层201上形成第一基板保护层301,在第二合金准备层202之下形成第二基板保护层302，如图10所示；
E、在第一基板保护层301上形成热压黏合层500；
F、在第二基板保护层302上形成基板应力调制层600，通过调整该层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题；
G、在所述基板应力调制层600上形成电极层700。
【权利要求】
1.一种LED薄膜芯片基板的制备方法，其特征在于:包括以下步骤: A、提供一表面清洗干净的基板支撑体； B、在基板支撑体的正面依次形成第一合金准备层、第一基板保护层； C、在基板支撑体的反面依次形成第二合金准备层、第二基板保护层； D、进行合金，使所述第一合金准备层、第二合金准备层分别和基板支撑体在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层和第二二元共混层； E、在第一基板保护层上形成热压黏合层； F、在第二基板保护层上形成基板应力调制层，通过调整应力调制层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题； G、在所述基板应力调制层上形成电极层，制得LED薄膜芯片的基板。
2.—种LED薄膜芯片基板的制备方法，其特征在于:包括以下步骤: A、提供一表面清洗干净的基板支撑体； B、在基板支撑体的正面依次形成第一合金准备层； C、在基板支撑体的反面依次形成第二合金准备层； D、进行合金，使所述第一合金准备层、第二合金准备层分别和基板支撑体在界面处相互反应扩散形成第一二元共混层和第二二元共混层； E、在第一二元共混层和第二二元共混层上分别形成第一基板保护层和第二基板保护层； F、在第一基板保护层上形成热压黏合层； G、在第二基板保护层上形成基板应力调制层，通过调整应力调制层的热膨胀系数、结构强度和厚度来解决基板弯曲问题； H、在所述基板应力调制层上形成电极层，制得LED薄膜芯片的基板。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:步骤D的合金温度为'±201:，其中?；为所述基板支撑体和第一合金准备层或者支撑基板体和第二合金准备层能够形成合金相的最低温度。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:步骤D在氮气、氩气、氧气或者以上任意多种气体的混合气中进行。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述基板支撑体的材料为具有较好的导热、导电性能的半导体材料或金属材料或具有金属过孔的绝缘材料，厚度为60μ m ?400 μ m。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于:所述基板支撑体为S1、Ge、GaAs、GaP、Cu(W)、Mo、C、Si02中的任意一种或以上多种材料形成的复合基板。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述第一合金准备层和第二合金准备层的材料为易与基板支撑体材料形成合金的金属；所述基板支撑体的材料为Si，所述第一合金准备层和第二合金准备层均为单层Au、Pt、Al、Ti或以上金属的叠层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于:所述的第一合金准备层和第二合金准备层的厚度均为0.001 μπι?1 μ m。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述第一基板保护层、第二基板保护层均为Cr、T1、Pt、Au、N1、W、TiW中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层；其厚度均为0.2 μ m?1 μ m。
10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述的热压黏结层的材料为Sn、In、Pb、B1、Sb、Zn低熔点金属或其与Ag、Cu、Au、Al形成的合金中的任意一种；其结构为一种金属单层或者多种金属构成的叠层；其厚度为2um?10um。
11.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述的基板应力调制层为Ag、Cu、Au、N1、W、Mo、Ti中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层。
12.根据权利要11所述的制备方法，其特征在于:所述基板应力调制层的厚度为2um ?10umo
13.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于:所述电极层为Cr、T1、Pt、Au、N1、Cu中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层；所述电极层的厚度为0.Ιμπι?1μ m。
14.一种LED薄膜芯片基板的结构，包括:基板支撑体，其特征在于:在所述基板支撑体的正面设有第一二兀共混层，在第一二兀共混层的上面设有第一合金准备层，在第一合金准备层的上面设有第一基板保护层，在第一合金准备层的上面设有热压黏合层；在所述基板支撑体的反面设有第二二元共混层，在第二二元共混层的下面设有第二合金准备层，在第二合金准备层的下面设有第二基板保护层，在第二合金准备层的下面设有基板应力调制层，在基板应力调制层的下面设有电极层。
15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于:所述第一二元共混层和第二二元共混层分别由所述第一合金准备层、第二合金准备层和基板支撑体在界面处相互反应扩散而成。
16.根据权利要求14所述的结构，其特征在于:所述第一二元共混层和第二二元共混层的厚度均为10nm?lOOnm。
17.根据权利要求14所述的结构，其特征在于:所述的基板应力调制层为Ag、Cu、Au、N1、W、Mo、Ti中的任意一种金属单层或多种金属构成的叠层。
18.据权利要求14所述的结构，其特征在于:所述基板应力调制层的厚度为2um?10umo
【文档编号】H01L33/00GK104362224SQ201410483424
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年9月22日 优先权日:2014年9月22日
【发明者】王光绪, 刘军林, 陶喜霞, 江风益 申请人:南昌大学, 南昌黄绿照明有限公司