一种半导体器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体器件，包括保护外壳，所述保护外壳下侧设置有氢气入口，所述氢气入口与氢源装置连接，所述氢源装置通过菱形气管与储存泡连接，所述储存泡设置在正方形真空外壳中，所述储存泡与真空外壳之间设置有微波腔，所述菱形气管两侧、保护外壳两侧内壁上分别设置有能态选择器、接钛泵。本发明结构简单、发射功率大、性能稳定，抗干扰能力强。
【专利说明】一种半导体器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种半导体器件。
【背景技术】
[0002]利用粒子(如原子、分子)能级之间的跃迀原理产生极其准确而稳定的频率的量子电子器件。量子频率标准器件的物理基础是电磁场同工作物质的相互作用，以及受激吸收与辐射原理。它使用具有极窄谱线且量子跃迀频率几乎不受外界影响的那些物质，如铯、氢、氨、铷等。利用铯原子超精细能级之间的跃迀、以铯原子束技术为基础的器件叫作铯束管。
[0003]目前，半导体激光器技术已趋于完善，但仍然存在以下问题:结构复杂、灵敏度低、性能不稳定、抗干扰能力弱等问题。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单、发射功率大、性能稳定，抗干扰能力强。
[0005]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种半导体器件，包括保护外壳，所述保护外壳下侧设置有氢气入口，所述氢气入口与氢源装置连接，所述氢源装置通过菱形气管与储存泡连接，所述储存泡设置在正方形真空外壳中，所述储存泡与真空外壳之间设置有微波腔，所述菱形气管两侧、保护外壳两侧内壁上分别设置有能态选择器、接钛泵。
[0006]所述氢气从氢气入口进入，进入氢源装置，所述氢源装置通过氢气气管，进入储存泡，所述氢气在储存泡中，被电磁感应，发生跃级，产生量子，所述量子通过接钛泵被输出，所述能态选择器用于控制电磁场强弱，以实现控制氢气跃级能级，从而确准输出相应量子功率。
[0007]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述保护壳为金属保护壳，用于防止器件内部电磁辐射的外泄，以及内部器件受到外界的撞击。
[0009]进一步，所述菱形气管为无锈钢气管，所述无锈钢气管承压能力强，可防止氢气传输过程中，由于压强过大发生爆炸。
[0010]进一步，所述真空外壳上下内壁分别设置有对称弱磁场结构，所述对称弱磁场结构用于均勾磁场的构建。
[0011]所述对称弱磁场结构之间设置有磁屏蔽结构，用于屏蔽对称弱磁场结构产生的交叉磁场之间的干扰。
[0012]本发明的有益效果是:结构简单、发射功率大、性能稳定，抗干扰能力强。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明一种半导体器件结构示意图；
[0014]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、保护外壳，2、氢气入口，3、菱形气管，4、接钛泵，5、正方形真空外壳，6、对称弱磁场结构，7、磁屏蔽结构，8、微波腔，9、储存泡，10、能态选择器，11、氢源装置。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0016]如图1所示，一种半导体器件，包括保护外壳1，所述保护外壳I下侧设置有氢气入口 2，所述氢气入口 2与氢源装置11连接，所述氢源装置11通过菱形气管11与储存泡9连接，所述储存泡9设置在正方形真空外壳5中，所述储存泡9与真空外壳之间设5置有微波腔8，所述菱形气管3两侧、保护外壳I两侧内壁上分别设置有能态选择器10、接钛泵4。
[0017]所述氢气从氢气入口 2进入，进入氢源装置11，所述氢源装置11通过菱形气管3，进入储存泡9，所述氢气在储存泡9中，被电磁感应，发生跃级，产生量子，所述量子通过接钛泵4被输出，所述能态选择器10用于控制电磁场强弱，以实现控制氢气跃级能级，从而确准输出相应量子功率。
[0018]所述保护壳I为金属保护壳，用于防止器件内部电磁辐射的外泄，以及内部器件受到外界的撞击；所述菱形气管3为无锈钢气管，所述无锈钢气管承压能力强，可防止氢气传输过程中，由于压强过大发生爆炸；所述真空外壳5上下内壁分别设置有对称弱磁场结构6，所述对称弱磁场结构6用于均勾磁场的构建；所述对称弱磁场结构6之间设置有磁屏蔽结构7，用于屏蔽对称弱磁场结构6产生的交叉磁场之间的干扰。
[0019]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.本发明涉及一种半导体器件，其特征在于，包括保护外壳，所述保护外壳下侧设置有氢气入口，所述氢气入口与氢源装置连接，所述氢源装置通过菱形气管与储存泡连接，所述储存泡设置在正方形真空外壳中，所述储存泡与真空外壳之间设置有微波腔，所述菱形气管两侧、保护外壳两侧内壁上分别设置有能态选择器、接钛泵。
2.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述保护壳为金属保护壳。
3.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述菱形气管为无锈钢气管。
4.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述真空外壳上下内壁分别设置有对称弱磁场结构。
5.根据权利要求4所述一种半导体器件，其特征在于，所述对称弱磁场结构之间设置有磁屏蔽结构。
【文档编号】H01S1/06GK104466622SQ201410649421
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月12日 优先权日:2014年11月12日
【发明者】吴礼才 申请人:大足县众科管道设备有限公司