一种有机电致发光装置及其制备方法
【专利摘要】本发明属于有机电致发光领域，所述的一种有机电致发光装置，包括第一基板、第二基板、若干发光单元，对应各发光单元的非发光区域，层叠设置有吸光层和导电层。导电层与发光单元中的第二导电层接触连接，能够改善第二电极层的导电性能，减弱IR压降；吸光层设置在非发光区域能够有效减少第一电极层的反射光线，从而有效减少环境光线对显示效果的影响。所述有机电致发光装置的制备方法，先在第二基板上形成吸光层、导电层与发光单元，在将第一基板扣合在发光单元上进行封装。发光单元的第二电极层直接制备在导电层上，能与第二电极层有效贴合，降低了断路的风险，提高了连接的可靠性。同时，双板工艺制备，有效降低了工时，提高了生产效率。
【专利说明】一种有机电致发光装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光领域，具体涉及一种能有效降低阴极方阻的有机电致发光装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光装置(英文全称Organic Light Emitting Display,简称0LED)是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]根据有机电致发光装置中有机发光二极管的光线射出方向，有机电致发光装置可以分为底发射装置和顶发射装置。由于底发射装置光线从透明阳极射出后还要通过包括薄膜晶体管的像素电路层，严重影响装置的开口率和发光效率；因此，光线直接从透明阴极射出，从而实现高开口率和高发光效率的顶发射装置逐渐成为有机电致发光领域研究的主流。
[0004]在顶发射装置中，为了保证出光效率，通常会减少阴极层厚度以保证足够的透光率；然而，由于阴极层厚度较薄导致阴极层方阻高，极易造成IR压降，从而影响显示性能。同时，为了进一步提高有机电致发光装置的发光效率，通常将阳极制成具有反射层的反射电极，在强光环境下使用时会产生大量强反射光，无法清楚看到显示内容，影响使用效果。
【发明内容】
[0005]为此，本发明所要解决的是现有顶发射有机电致发光显示装置阴极层方阻高，以及强光环境下无法正常使用的问题，从而提供一种阴极层方阻低、反射光线少的有机电致发光显示装置及其制备方法。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下:
[0007]本发明所述的有机电致发光装置，包括第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的若干发光单元，所述发光单元包括第一电极层、第二电极层以及设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间的有机发光层，所述第一电极层置于所述第一基板一侧，所述第二电极层置于所述第二基板一侧，
[0008]对应各所述发光单元的非发光区域，还依次层叠设置有用于吸收反射光线的吸光层与用于降低所述第二电极层的方阻值的导电层，所述导电层靠近所述第二电极层设置。
[0009]所述吸光层和/或所述导电层为连续网状或散布型点阵状。
[0010]所述吸光层的厚度为lOOnm?5000nm,所述导电层的厚度为50nm?500nm。
[0011]所述吸光层的透过率为1%?15%。
[0012]所述导电层的方阻值为10 Ω / □?100 Ω / 口。
[0013]优选地，所述导电层为石墨烯层。
[0014]所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板。
[0015]本发明所述的有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤:
[0016]S1、在第二基板上依次形成吸光层与导电层；
[0017]S2、在所述第二基板上形成覆盖所述吸光层和所述导电层的若干发光单元，所述发光单元包括依次层叠设置的第一电极层、有机发光层和第二电极层，所述第二电极层靠近所述导电层设置，所述吸光层与所述导电层对应各所述发光单元的非发光区域；
[0018]S3、在所述发光单元上设置第一基板，进行器件封装。
[0019]优选地，步骤S1中所述的吸光层通过涂布、曝光和刻蚀工艺制备。
[0020]优选地，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板，每个所述发光单元中第一电极层与所述第一基板中的电连接层电连接。
[0021]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0022]1.本发明所述的一种有机电致发光装置，包括第一基板、第二基板以及设置在第一基板与第二基板之间的若干发光单元，沿远离第一基板方向，各发光单元均包括依次层叠设置的第一电极层、有机发光层和第二电极层；所述第二基板靠近所述第二电极层的一侦牝对应各所述发光单元的非发光区域，还依次层叠设置有用于吸收反射光线的吸光层和导电层，所述导电层靠近所述第二电极层设置。所述导电层与所述第二导电层接触连接，能够改善第二电极层的导电性能，减弱IR压降；所述吸光层设置在非发光区域能够有效减少第一电极层的反射光线，从而有效减少环境光线对显示效果的影响；同时，由于所述吸光层与所述导电层均设置在非发光区域，不影响所述有机电致发光装置的原有开口率。
[0023]2.本发明所述的有机电致发光装置的制备方法，采用双板工艺，先在第二基板上形成吸光层、导电层与发光单元，在将第一基板扣合在所述发光单元上进行封装。不但所述导电层与所述第二导电层接触连接，能够改善第二电极层的导电性能，减弱IR压降，所述吸光层设置在非发光区域能够有效减少第一电极层的反射光线，从而有效减少环境光线对显示效果的影响；而且，所述发光单元的第二电极层直接制备在所述导电层上，能与所述第二电极层有效贴合，降低了断路的风险，提高了连接的可靠性。同时，本发明所述的有机电致发光装置的制备方法采用双板工艺，即所述第一基板和所述第二基板上的元件同时制备，有效降低了工时，提高了生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0025]图1是本发明所述有机电致发光装置的装配图；
[0026]图2是本发明所述的有机电致发光装置的制备流程图。
[0027]图中附图标记表示为:1-第一基板、11-电连接层、2-第二基板、3-发光单元、31-第一电极层、32-第二电极层、33-有机发光层、4-吸光层、5-导电层。
【具体实施方式】
[0028]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
[0029]本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0030]本实施例提供一种有机电致发光装置，如图1所示，包括第一基板1、第二基板2、以及设置在第一基板1与第二基板2之间的若干发光单元3 (为了清晰起见，图1中仅示出了一个发光单元，应当理解的是，所述发光单元可以是多个，其数量没有限定)，沿远离所述第一基板1的方向，各所述发光单元3均包括依次层叠设置的第一电极层31、有机发光层33和第二电极层32。
[0031]本实施例中，所述第二基板2为玻璃基板，作为本发明的可变换实施例，所述第二基板2选自但不限于玻璃基板、聚合物基板，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0032]所述第一基板1选自但不限于玻璃基板、聚合物基板、薄膜晶体管阵列基板中的一种，本实施例优选为薄膜晶体管阵列基板。
[0033]本实施例中，所述发光单元3为有机发光二极管，其结构同现有技术。为了提高所述有机电致发光装置的发光效率，所述第一电极层31优选为反射电极，选自但不限于Ag/ITO,IT0/Ag/IT0,IT0/A1/IT0 中的一种，厚度为 lOOnm ?500nm，本实施例优选 IT0/Ag/IT0结构，厚度为30nm/120nm/30nm ;所述第二电极层32选自但不限于Mg/Ag、Al/Ag/Ag中的一种，厚度为50nm?200nm,本实施例优选Mg/Ag结构，厚度为50nm/50nm ;所述有机发光层33选自但不限于现有技术中的有机小分子发光材料、聚合发光材料中的至少一种；作为本发明的可变换实施例，所述发光单元3还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种的组合。本实施例中，所述发光单元3的结构为 IT0/Ag/IT0(第一电极层，30nm/120nm/30nm)/CuPc(空穴注入层，60nm)/TPD (空穴传输层，35nm)/CBP(发光层，50nm):1r (ppy) 3(15% ):1r (piq)3(0.5% )/LiF(电子注入层，35nm) /Mg/Ag (第二电极层，50nm/50nm)。
[0034]所述第一电极层31与所述第一基板1中的电连接层11 (本实施例中，所述电连接层11为薄膜晶体管的源极或者漏极或者与两者之一电连接的导电元件)电连接。
[0035]所述第二基板2靠近所述第二电极层32的一侧，对应各所述发光单元3的非发光区域，还依次层叠设置有吸光层4与导电层5，所述导电层5靠近所述第二电极层32设置；所述吸光层4用于吸收反射光线，所述导电层5用于降低所述第二电极层32的方阻值。
[0036]所述吸光层4选自但不限于含有炭黑和/或CrO等非透光材料的有机胶层，厚度为lOOnm?5000nm，透过率为1%?15% ;本实施例优选为含有Cr203的光刻胶层，厚度为2000纳米，透过率为5%。
[0037]所述导电层5选自但不限于石墨烯层、Ag层等低阻材料,厚度为50nm?500nm,方阻值为10 Ω / □?100 Ω / 口 ；本实施例优选为石墨烯层，厚度为100nm，方阻值为30 Ω / 口。
[0038]所述吸光层4和/或所述导电层5为连续网状或散布型点阵状，本实施例中，所述吸光层4和所述导电层5对应所述发光单元3的非发光区域形成连续的网状结构。所述导电层5靠近所述第二电极层32设置。所述导电层5与所述第二导电层32接触连接，能够改善所述第二电极层32的导电性能，减弱IR压降，从而提高所述有机电致发光装置的信号控制性能。所述吸光层4设置在非发光区域能够有效减少第一电极层31的反射光线，从而有效减少环境光线对显示效果的影响。同时，由于所述吸光层4与所述导电层5均设置在非发光区域，不影响所述有机电致发光装置的原有开口率。
[0039]所述的有机电致发光装置的制备方法，如图2所示，包括如下步骤:
[0040]S1、通过涂布、曝光和刻蚀工艺制备在所述第二基板2对应发光单元3的非发光区域形成吸光层4，通过化学气相沉积、曝光和刻蚀工艺在所述吸光层4上形成导电层5。所述吸光层4与所述导电层5的图案可以相同也可以不同，本实施例中优选为相同的连续网状结构。
[0041]作为本发明的可变换实施例，所述吸光层4与所述导电层5的制备工艺不限于此，可以根据材料的性质进行选择。
[0042]作为本发明的可变换实施例，可以先所述第二基板2上形成吸光材料层和导电材料层，再通过刻蚀工艺，同时对吸光材料层和导电材料层进行图案化形成所述吸光层4与所述导电层5，均可以实现本发明的目的属于本发明的保护范围。
[0043]S2、在所述第二基板2上形成覆盖所述吸光层4和所述导电层5的若干发光单元
3。所述发光单兀3包括依次层叠设置的第一电极层31、有机发光层33和第二电极层32,所述第二电极层32靠近所述导电层5设置，其制备工艺同现有技术，此处不再赘述。所述发光单元3中的所述第二电极层32直接制备在所述导电层5上，能与所述第二电极层32有效贴合，降低了断路的风险，提高了连接的可靠性。
[0044]S3、在所述发光单元3上设置第一基板1，进行器件封装。本实施例中所述第一基板1优选为薄膜晶体管阵列基板，每个发光单元3中第一电极层31需与所述薄膜晶体管阵列基板中的电连接层11 (本实施例中，所述电连接层11为薄膜晶体管的源极或者漏极)电连接。本发明所述的有机电致发光装置中，由于对应所述发光单元3非发光区域所述吸光层4和所述导电层5的设置，可以将所述第一电极层31部分区域抬高，使得所述第一电极层31能够与所述薄膜晶体管有效电连接，无需在所述第一电极层31上设置辅助接触元件(即与薄膜晶体管的源极或者漏极电连接的导电元件)，有效减少工艺步骤，节约生产成本。
[0045]另外，本发明所述的有机电致发光装置的制备方法采用双板工艺，即所述第一基板1和所述第二基板2上的元件同时制备，有效降低了工时，提高了生产效率。
[0046]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【权利要求】
1.一种有机电致发光装置，包括第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的若干发光单元，所述发光单元包括第一电极层、第二电极层以及设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间的有机发光层，所述第一电极层置于所述第一基板一侦牝所述第二电极层置于所述第二基板一侧，其特征在于， 对应各所述发光单元的非发光区域，还依次层叠设置有用于吸收反射光线的吸光层与用于降低所述第二电极层的方阻值的导电层，所述导电层靠近所述第二电极层设置。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述吸光层和/或所述导电层为连续网状或散布型点阵状。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述吸光层的厚度为10nm?5000nm,所述导电层的厚度为50nm?500nm。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述吸光层的透过率为1% ?15%。
5.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述导电层的方阻值为10 Ω / □?100 Ω / 口。
6.根据权利要求1或2或4或5任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述导电层为石墨烯层。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板。
8.—种权利要求1-7任一项所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、在第二基板上依次形成吸光层与导电层； 52、在所述第二基板上形成覆盖所述吸光层和所述导电层的若干发光单元，所述发光单元包括依次层叠设置的第一电极层、有机发光层和第二电极层，所述第二电极层靠近所述导电层设置，所述吸光层与所述导电层对应各所述发光单元的非发光区域； 53、在所述发光单元上设置第一基板，进行器件封装。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，步骤SI中所述的吸光层通过涂布、曝光和刻蚀工艺制备。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板，每个所述发光单元中第一电极层与所述第一基板中的电连接层电连接。
【文档编号】H01L27/32GK104393183SQ201410654749
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】刘巍 申请人:昆山国显光电有限公司