移相器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种移相器，包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，第一层介质板、第二层介质板以及第三层金属板由上到下依次设置，倒置微带结构设置在第一层介质板的下表面，第二层介质板的中部设置有矩形槽，第一层介质板放置在第二层介质板上时，第一层介质板上的倒置微带结构放置在矩形槽内，向列型液晶设置在由第二层介质板上的矩形槽配合第一层介质板以及第三层金属板围城的空腔内，连接头安装在第二层介质板以及第三层金属板上对应位置的安装缺口处。本发明提供的移相器，利用了向列型液晶的性能，能够在微波频段下工作,具有小型化、造价低廉、移相度高以及工作电压较低等优势，具有很高的实用性。
【专利说明】移相器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及微波和光电元器件领域，特别涉及一种微波移相器。
【背景技术】
[0002] 移相器是对波的相位进行调节的一种装置，在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信 W及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前有多种移相器在使用，例如：1、PIN二极管移相 器，是通过二极管正偏和反偏的状态来实现不同开关特性和阻抗特性；2、铁氧体（YIG)移 相器，是通过波导外加磁场，从而使铁氧体的磁导率变化，进而使电磁波的相速变化，W 此来获得不同相移量；3、BST铁电移相器，是通过调节外加电场，BST薄膜相对介电常数也 随之改变，从而使电路的等效相对介电常数发生变化，进而通过进一步控制电磁波的波速 实现相移；4、射频微机电系统（RF MEM巧移相器，是通过设计RF MEMS电路的移相器来实 现移相；5、单片微波集成电路（MMIC)移相器，是通过设计单片微波电路的移相器来实现移 化但是，现有的该些移相器在品质因数、调谐比、调谐速度、线性度等方面存在或多或少的 技术问题。
[0003]
【权利要求】
1. 一种移相器，其特征在于：包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构w及第 H层金属板，所述第一层介质板、所述第二层介质板W及所述第H层金属板由上到下依次 设置，并且相邻层之间通过导电胶粘合，所述倒置微带结构设置在所述第一层介质板的下 表面，所述第二层介质板的中部设置有矩形槽，所述第一层介质板上设置有两个用于注入 向列型液晶的通孔，向列型液晶通过所述第一层介质板上的通孔注入到由所述第二层介质 板上的矩形槽配合所述第一层介质板围成的空腔内； 所述第二层介质板上W及所述第H层金属板上对应所述倒置微带结构入线端和出线 端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，所述连接头安装在对应的所述安装缺口内。
2. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于；所述连接头为SMA接头，通过焊接的方 式固定在对应的所述安装缺口处，并且所述连接头安装在所述安装缺口处时，所述连接头 与所述倒置微带结构的入线端和出线端紧密接触。
3. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述第一层介质板、所述第二层介质板 W及所述第H层金属板的形状大小相同。
4. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述第一层介质板和所述第二层介质 板选用罗杰斯5880制成，所述第H层金属板由铜材料制成。
5. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于；所述第一层介质板的厚度为0. 508mm。
6. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述倒置微带结构上金属带线的厚度 为 0? 017mm。
7. 根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述第二层介质板的厚度为0. 127mm。
【文档编号】H01P1/19GK104466307SQ201410683093
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月24日 优先权日:2014年11月24日
【发明者】蒋迪 申请人:电子科技大学