薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，涉及显示【技术领域】，能够更简单地实现对数据线不良的检测。本实用新型提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极和位于所述源极上的钝化层，所述源极和数据线电连接，所述钝化层上设置有对应于所述源极的第一过孔，使所述源极暴露。
【专利说明】薄膜晶体管、阵列基板和显示装置【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。【背景技术】
[0002]液晶显示器制作完成后，需要对其进行检测，以确定其是否能正常显示。若液晶显示器不能正常显示，则需要对造成显示不良的原因进行分析。常见的原因为阵列基板上的数据线不良，例如数据线断线。
[0003]检测数据线不良的最直接有效的方法是:使用两个外部探针分别接触数据线上的两点，测试两点之间的电阻，从而判断两点之间是否存在不良。阵列基板上的数据线依次贯穿集成电路区域、第一复位电路区域、显示区域和第二复位电路区域，第一复位电路区域和第二复位电路区域只是位置不同，统称复位电路区域，其中，集成电路区域和复位电路区域之间的数据线通过布线区域的走线连接。目前，一条数据线上只有集成电路区域处的一个过孔使得数据线可以直接与外部探针接触，因而无法测试数据线的电阻。
[0004]因此，现有技术中，对于数据线不良的检测方法如下:首先，根据液晶显示器显示不良所在的位置，粗略判断发生不良的数据线范围，并进行标记；然后，使用显微镜仔细观察标记范围内的数据线，根据数据线的外观确定出现不良的位置。发明人发现，使用上述检测方法对数据线不良进行检测时，由于阵列基板的结构复杂，走线密集，使得检测过程困难。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，能够更简单地实现对数据线不良的检测。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用如下技术方案:
[0007]—种薄膜晶体管，包括源极和位于所述源极上的钝化层，所述源极和数据线电连接，所述钝化层上设置有对应于所述源极的第一过孔，使所述源极暴露。
[0008]所述薄膜晶体管位于复位电路区域内。
[0009]所述薄膜晶体管还包括漏极，所述源极和所述漏极为一个整体结构。
[0010]本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极和位于源极上的钝化层，源极和数据线电连接，钝化层上设置有对应于源极的过孔，使源极暴露，进而可以使外部探针通过暴露的源极连接至数据线，加之现有技术中，位于集成电路区域的数据线通过过孔暴露出来，使得数据线上有多个暴露区域可以连接外部探针。因此，在对数据线不良进行检测时，可以使用两个外部探针测试两个探针之间的数据线的电阻，从而可以准确判断数据线不良发生在哪条数据线以及数据线的哪个部分，最后通过显微镜观察等方法确定数据线不良的具体位置，从而可以更简单地对数据线不良进行检测。
[0011]为进一步解决上述技术问题，本实用新型实施例还提供了一种阵列基板，采用如下技术方案:
[0012]一种阵列基板，包括以上任一项所述的薄膜晶体管。
[0013]所述阵列基板还包括两个复位电路区域，所述薄膜晶体管位于所述复位电路区域内。
[0014]所述阵列基板还包括位于两个所述复位电路区域之间的显示区域，所述显示区域包括公共电极和像素电极，所述像素电极上设置有狭缝。
[0015]所述阵列基板还包括位于其中一个复位电路区域远离所述显示区域一侧的集成电路区域，所述集成电路区域包括多个集成电路单元，每个所述集成电路单元上设置有对应于数据线的第二过孔，使得所述数据线暴露。
[0016]所述阵列基板还包括位于所述复位电路区域和所述集成电路区域之间的布线区域，所述布线区域包括多条走线，每条所述走线的一端连接位于所述复位电路区域的数据线，另一端连接位于所述集成电路区域的数据线。
[0017]所述阵列基板还包括栅极驱动电路区域，所述栅极驱动电路区域包括位于显示区域两侧的显示栅极驱动电路区域和位于复位电路区域两侧的复位栅极驱动电路区域，显示栅极驱动电路区域包括显示栅极驱动电路单元，复位栅极驱动电路区域包括复位栅极驱动电路单元。
[0018]本实用新型实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本实用新型实施例中的第一种薄膜晶体管的示意图；
[0021]图2为本实用新型实施例中的第二种薄膜晶体管的示意图；
[0022]图3为本实用新型实施例中的阵列基板的示意图。
【具体实施方式】
[0023]本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，能够更简单地实现对数据线不良的检测。
[0024]下面结合附图对本实用新型进行详细描述。
[0025]本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管，如图1所示，所述薄膜晶体管包括源极14和位于源极14上的钝化层16，源极14和数据线电连接，钝化层16上设置有对应于源极14的第一过孔161,使源极14暴露。
[0026]进一步地，如图1所示，源极14和漏极15可以为一个整体结构(图中虚线只是为了便于描述，并无实际意义)，也可以如图2所示，源极14和漏极15相互独立设置，本实用新型实施例优选源极14和漏极15为一个整体结构，可以使钝化层16上的第一过孔161的尺寸较大，从而增加源极14和外部探针的可接触面积。[0027]具体地，如图1所示，所述薄膜晶体管包括以下结构:
[0028]衬底基板10，衬底基板10通常选用透光性好的玻璃基板或者石英基板。
[0029]位于衬底基板10上的栅极11，栅极11通常选用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料制成。
[0030]位于栅极11上的栅极绝缘层12，栅极绝缘层12通常选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成，也可以选用绝缘的树脂材料等制成。
[0031]位于栅极绝缘层12上的有源层13，有源层13通常选用多晶硅、非晶硅、单晶硅或者金属氧化物半导体材料等制成。
[0032]位于有源层13上的源极14和漏极15，源极14和数据线电连接，源极14和漏极15通常选用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料制成。
[0033]位于源极14和漏极15上的钝化层16，钝化层16通常选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成，也可以选用绝缘的树脂材料等制成。钝化层16上设置有对应于源极14的第一过孔161,使源极14暴露。
[0034]需要说明的是，本实用新型实施例中复位电路区域内的薄膜晶体管包括源极14，源极14和数据线电连接，但并不局限于此，也可以使数据线直接作为薄膜晶体管的源极14，若薄膜晶体管上直接使用数据线作为源极14时，则钝化层16上的第一过孔161应对应于该部分数据线，使数据线暴露。
[0035]补充说明的是，以上各个结构的位置关系也不局限于此，其厚度和具体形状也无限定，同时上述薄膜晶体管包括以上结构，但不局限于只包括以上结构，本领域技术人员可以根据实际情况进行设定，本实用新型实施例对此不进行限定。
[0036]本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极和位于源极上的钝化层，源极和数据线电连接，钝化层上设置有对应于源极的过孔，使源极暴露，进而可以使外部探针通过暴露的源极连接至数据线，加之现有技术中，位于集成电路区域的数据线通过过孔暴露出来，使得数据线上有多个暴露区域可以连接外部探针。因此，在对数据线不良进行检测时，可以使用两个外部探针测试两个探针之间的数据线的电阻，从而可以准确判断数据线不良发生在哪条数据线以及数据线的哪个部分，最后通过显微镜观察等方法确定数据线不良的具体位置，从而可以更简单地对数据线不良进行检测。
[0037]本实用新型实施例还提供了一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板包括以上所述的薄膜晶体管I。
[0038]进一步地，上述阵列基板还包括两个复位电路区域2，薄膜晶体管I位于复位电路区域2内。
[0039]进一步地，如图3所示，阵列基板还包括纵横交错的栅线3、数据线4和位于两个复位电路区域2之间的显示区域5，显示区域5用于显示画面。
[0040]显示区域5内的纵横交错的栅线3和数据线4之间是像素单元，像素单元包括显示薄膜晶体管51和像素电极52。显示薄膜晶体管51用于控制像素电极52上是否施加电压。具体地，显示薄膜晶体管51包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层等结构，其中钝化层上设置有对应于漏极的过孔。像素电极52通过该过孔与漏极电连接。
[0041]进一步地，为了使包括上述阵列基板的液晶显示器具有更好的显示效果，本实用新型实施例中还应用高级超维场转换技术，即通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极与板状电极间产生的电场形成多维电场，使显示面板内的狭缝电极间和狭缝电极正上方的液晶分子都能够产生偏转，从而提高液晶分子工作效率并增大了透光效率。因此，显示区域5包括像素电极52和公共电极，其中，如图3所示，像素电极52上设置有狭缝，另外还可以根据实际情况使公共电极上有狭缝，或者公共电极和像素电极52上都有狭缝，本实用新型实施例对此不进行限定。
[0042]进一步地,该阵列基板还采用栅极驱动电路设置在阵列基板上(Gate Driver onArray)的技术，进而可以节省单独制作栅极驱动电路的材料，并且减少工艺步骤，可以有效降低成本。如图3所示，应用GOA技术的阵列基板上还设置有栅极驱动电路区域6 (简称GOA区域6)，G0A区域6用于给栅线3施加驱动电压。GOA区域6包括位于显示区域5两侧的显示驱动电路区域61 (简称GOA区域61)，和位于复位电路区域2两侧的复位驱动电路62(简称复位GOA区域62)，图中虚线只是为了便于描述，复位GOA区域62和显示GOA区域61的划分并不局限于此，通常复位GOA区域62和显示GOA区域61为一个整体结构。
[0043]显示GOA区域61包括显示GOA单元611,显示区域5处的栅线3的两端各自连接一个显示GOA单元611,复位GOA区域62包括复位GOA单元621,复位电路区域2处的栅线3的两端各自连接一个复位GOA单元621。复位GOA区域62和复位电路区域2共同作用使显示过程中最后开启的栅线3复位，进而可以有效改善GOA区域6的性能，其中复位GOA区域62包括的复位GOA单元621越多，改善GOA区域6的性能的效果越好。
[0044]此外，阵列基板还包括位于其中一个复位电路区域2远离显示区域5 —侧的集成电路区域7，集成电路区域7用于给数据线4施加驱动电压。集成电路区域7包括多个集成电路单元71，每个集成电路单元71上设置有对应于数据线4的第二过孔711，使得数据线4暴露。其中，第二过孔711的大小和数目可以根据实际情况设定，只要能实现外部探针能够充分接触暴露的数据线4即可，示例性地，可以在一个集成电路单元71上设置两个第二过孔711，当其中一个第二过孔711搭接异常时，可以通过另一个第二过孔711使外部探针和数据线4连接。
[0045]进一步地，由于通常集成电路区域7的尺寸远小于复位电路区域2的尺寸，因此，如图3所示，阵列基板还包括位于复位电路区域2和集成电路区域7之间的布线区域8，用以实现集成电路区域7的数据线4和复位电路区域2的数据线4之间的连接。具体地，布线区域8包括多条走线81，每条走线81的一端连接位于复位电路区域2的数据线4，另一端连接位于集成电路区域7的数据线4。需要说明的是，图3中的走线81只是为了表示电连接关系，布线区域8内走线81的设置应综合考虑集成电路区域7、复位电路区域2和布线区域8之间的位置关系和尺寸关系进行设定，本实用新型实施例对此不进行限定。
[0046]本实用新型实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括以上所述的阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、有机发光显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0047]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种薄膜晶体管，包括源极和位于所述源极上的钝化层，所述源极和数据线电连接，其特征在于，所述钝化层上设置有对应于所述源极的第一过孔，使所述源极暴露。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管位于复位电路区域内。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括漏极，所述源极和所述漏极为一个整体结构。
4.一种阵列基板，其特征在于，还包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括两个复位电路区域，所述薄膜晶体管位于所述复位电路区域内。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于两个所述复位电路区域之间的显示区域，所述显示区域包括像素电极，所述像素电极上设置有狭缝。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于其中一个复位电路区域远离所述显示区域一侧的集成电路区域，所述集成电路区域包括多个集成电路单元，每个所述集成电路单元上设置有对应于所述数据线的第二过孔，使得所述数据线暴露。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述复位电路区域和所述集成电路区域之间的布线区域，所述布线区域包括多条走线，每条所述走线的一端连接位于所述复位电路区域的数据线，另一端连接位于所述集成电路区域的数据线。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括栅极驱动电路区域，所述栅极驱动电路区域包括位于显示区域两侧的显示栅极驱动电路区域和位于复位电路区域两侧的复位栅极驱动电路区域，显示栅极驱动电路区域包括显示栅极驱动电路单元，复位栅极驱动电路区域包括复位栅极驱动电路单元。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求4-9任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/12GK203690308SQ201420037580
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年1月21日 优先权日:2014年1月21日
【发明者】王德帅, 王亮 申请人:北京京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司