免封装uvled固化光源模组的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种免封装UVLED固化光源模组，包括硅基板，其特征是：在所述硅基板的正面设置反射互联层，反射互联层的上表面设置若干组正负共晶层，每组正负共晶层均由P共晶电极和N共晶电极组成，在每组正负共晶层上设置LED芯片，LED芯片表面覆盖灌封胶；所述LED芯片由365nm、380nm、395nm、405nm四种波长的LED芯片按1:1:1:1配比集成。在所述硅基板的背面通过焊接层连接水冷散热器。所述水冷散热器上设置进水管和出水管。本实用新型通过不同波长芯片的驱动电流，可以满足绝大多数UV墨水和胶水对固化波长及能量比的需求，试验光源模组测试热阻系数低于3℃/W，单颗LED芯片最大驱动功率可达5W。
【专利说明】免封装UVLED固化光源模组
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种免封装UVLED固化光源模组，属于半导体封装【技术领域】。
【背景技术】
[0002]传统UV固化油墨和胶水大多采用复合光稀释剂，需要不同波长的紫光及紫外光才能实现良好的固化，LED只能发出单一波长的光，单颗LED的辐射能量有限，传统封装方式无法实现高集成度组装，能量密度无法达到传统UV油墨和胶水光固化的需求。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种免封装UVLED固化光源模组，实现了高度集成，又获得了超低热阻。
[0004]按照本实用新型提供的技术方案，所述免封装UVLED固化光源模组，包括硅基板，其特征是:在所述硅基板的正面设置反射互联层，反射互联层的上表面设置若干组正负共晶层，每组正负共晶层均由P共晶电极和N共晶电极组成，在每组正负共晶层上设置LED芯片，LED芯片表面覆盖灌封胶；所述LED芯片由365nm、380nm、395nm、405nm四种波长的LED芯片按1:1:1:1配比集成。
[0005]在所述硅基板的背面通过焊接层连接水冷散热器。
[0006]所述水冷散热器上设置进水管和出水管。
[0007]本实用新型通过不同波长芯片的驱动电流，可以满足绝大多数UV墨水和胶水对固化波长及能量比的需求，试验光源模组测试热阻系数低于3°C /W，单颗LED芯片最大驱动功率可达5W。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型所述正负共晶层的俯视图。
[0009]图2为本实用新型所述硅基板的俯视图。
[0010]图3为本实用新型所述硅基板的剖面图。
[0011]图4为本实用新型所述光源模组的剖面图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体附图对本实用新型作进一步说明。
[0013]如图1?图4所示:所述免封装UVLED固化光源模组包括P共晶电极1、N共晶电极2、硅基板3、反射互联层4、正负共晶层5、LED芯片6、灌封胶7、水冷散热器8、进水管9、出水管10、焊接层11等。
[0014]如图4所示，本实用新型所述免封装UVLED固化光源模组包括硅基板3，在硅基板3的正面设置反射互联层4，反射互联层4的上表面设置若干组正负共晶层5，每组正负共晶层5均由P共晶电极I和N共晶电极2组成，在每组正负共晶层5上设置LED芯片6，LED芯片6表面覆盖灌封胶7 ;所述LED芯片6由365nm、380nm、395nm、405nm四种波长的LED芯片按1:1:1:1配比集成；在所述硅基板3的背面通过焊接层11连接水冷散热器8，水冷散热器8上设置进水管9和出水管10，水冷散热器8采用紫铜水冷头。
[0015]所述免封装UVLED固化光源模组，在制作过程采用以下步骤:
[0016]步骤1:分别将波长为365nm，380nm，395nm，405nm的LED芯片6利用助焊剂固晶到加工好反射互联层4和正负共晶层5的硅基板3上；
[0017]步骤2:使用无氧回流焊设备，完成LED芯片6的共晶封装；
[0018]步骤3:利用点胶机将灌封胶7均匀的覆盖在硅基板3表面，经过烘烤固化；
[0019]步骤4:利用金刚石刀片切割机将封装好的光源模组分割成独立器件；
[0020]步骤5:在硅基板3背面均匀涂抹一层锡膏(焊接层11)，与紫铜水冷头8贴合后过回流焊。
[0021]本实用新型利用共晶技术将不同波长的UVLED芯片封装到硅基本上，既实现了高度集成，又获得了超低热阻的UVLED混合波长光源模块，通过锡膏做为焊接层将光源模块与水冷头焊接在一起，光源模组热阻低于3°C /W，抗过驱能力优于传统封装。本实用新型通过不同波长芯片的驱动电流，可以满足绝大多数UV墨水和胶水对固化波长及能量比的需求，试验光源模组测试热阻系数低于3°C /W，单颗LED芯片最大驱动功率可达5W。
【权利要求】
1.一种免封装UVLED固化光源模组，包括硅基板(3)，其特征是:在所述硅基板(3)的正面设置反射互联层(4)，反射互联层(4)的上表面设置若干组正负共晶层(5)，每组正负共晶层(5 )均由P共晶电极(I)和N共晶电极(2 )组成，在每组正负共晶层(5 )上设置LED芯片(6 )，LED芯片(6 )表面覆盖灌封胶(7 );所述LED芯片(6 )由365nm、380nm、395nm、405nm四种波长的LED芯片按1:1:1:1配比集成。
2.如权利要求1所述的免封装UVLED固化光源模组，其特征是:在所述硅基板(3)的背面通过焊接层(11)连接水冷散热器(8 )。
3.如权利要求2所述的免封装UVLED固化光源模组，其特征是:所述水冷散热器(8)上设置进水管(9)和出水管(10)。
【文档编号】H01L33/64GK203826376SQ201420068647
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年2月18日 优先权日:2014年2月18日
【发明者】黄慧诗, 郭文平, 柯志杰, 邓群雄 申请人:江苏新广联科技股份有限公司