一种阵列基板及显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，由于在源极、漏极和数据线的表面包覆有绝缘薄膜，这样在绝缘薄膜上方采用构图工艺形成像素电极的图形的过程中，绝缘薄膜可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极的图形时不被刻蚀剂所腐蚀，可以避免影响显示面板的显示品质；并且，绝缘薄膜是利用绝缘材料代替光刻胶形成源极、漏极和数据线的图形时，对保留在源极、漏极和数据线上方的绝缘材料进行固化处理形成的，因此，绝缘薄膜的形成不会增加掩模次数，还可以省去剥离处理；并且，连接部通过位于漏极上方且贯穿绝缘薄膜的第一过孔将漏极与像素电极电性连接，可以保证显示面板的正常显示功能。
【专利说明】-种阵列基板及显示装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示屏主要由对向基板，阵列基板，以及位于该两基板之间的液晶层组成。一 般地，在阵列基板一侧设置有栅线、数据线、薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)以及 像素电极等图形；TFT具体包括：相互绝缘的栅极和有源层，以及与有源层分别电性连接的 源极和漏极，其中，栅极与栅线电性连接，源极与数据线电性连接，漏极与像素电极电性连 接。在彩膜基板一侧设置有黑矩阵和彩膜层等图形。
[0003] 目前，在现有的阵列基板的制作过程中，一般先采用一次构图工艺在衬底基板101 上形成栅极102和栅线103的图形，如图la所示；然后在衬底基板101上形成一栅绝缘层； 在栅绝缘层上与栅极102的图形对应的区域形成有源层104的图形，如图lb所示；接着形 成刻蚀阻挡层105的图形，如图lc所示；采用一次构图工艺形成源极106、漏极107和数据 线108的图形，如图Id所示；最后形成与漏极107电性连接的像素电极109的图形，如图le 所示。在形成像素电极109的图形后，一般还会形成绝缘层和公共电极110的图形，如图If 所示。
[0004] 其中，在形成源极、漏极和数据线的图形后，一般采用光刻胶构图工艺形成像素 电极的图形，即先在源极、漏极和数据线的图形上依次层叠形成氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ΙΤ0)薄膜和光刻胶薄膜；然后对光刻胶薄膜进行曝光、显影处理；接着，利用刻蚀 剂对未覆盖光刻胶的ΙΤ0薄膜进行刻蚀处理，其中进行刻蚀处理的区域包括覆盖在源极和 数据线的图形上方的ΙΤ0薄膜；最后，剥离剩余的光刻胶得到像素电极的图形。
[0005] 在具体实施时，一般采用诸如铜的金属制作源极、漏极和数据线的图形，这样，在 对覆盖在源极和数据线的图形上方的ΙΤ0薄膜进行刻蚀处理时，刻蚀剂会直接接触到源极 和数据线，对源极和数据线造成腐蚀；并且，在后续形成绝缘层时的高温环境还会加速该腐 蚀过程，从而影响液晶显示屏的显示品质。
[0006] 因此，如何避免源极和数据线被刻蚀剂腐蚀，是本领域技术人员亟需解决的技术 问题。 实用新型内容
[0007] 有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置，用以解决现有技 术中存在的源极和数据线被刻蚀剂腐蚀的问题。
[0008] 因此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基 板上的源极、漏极和数据线，以及在所述源极、漏极和数据线所在膜层上设置的像素电极； 还包括：连接部，以及包覆于所述源极、漏极和数据线的表面的绝缘薄膜；其中，
[0009] 所述绝缘薄膜是利用绝缘材料代替光刻胶形成所述源极、漏极和数据线的图形 时，对保留在所述源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化处理形成的；
[0010] 所述连接部通过位于所述漏极上方且贯穿所述绝缘薄膜的第一过孔将所述漏极 与所述像素电极电性连接。
[0011] 本实用新型实施例提供的上述阵列基板，由于在源极、漏极和数据线的表面包覆 有绝缘薄膜，这样在绝缘薄膜上方采用构图工艺形成像素电极的图形的过程中，绝缘薄膜 可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极的图形时不被刻蚀剂所腐蚀，可以避免 影响显示面板的显示品质，同时，绝缘薄膜还能有效防止源极和数据线与像素电极之间发 生短路的问题；由于绝缘薄膜是利用绝缘材料代替光刻胶形成源极、漏极和数据线的图形 时，对保留在源极、漏极和数据线上方的绝缘材料进行固化处理形成的，因此，绝缘薄膜的 形成不会增加掩模次数，还可以省去剥离处理；并且，连接部通过位于漏极上方且贯穿绝缘 薄膜的第一过孔将漏极与像素电极电性连接，可以保证显示面板的正常显示功能。
[0012] 具体地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于高级超维场开关型液晶 显示屏时，还包括：在所述像素电极上方依次层叠设置的钝化层和公共电极；
[0013] 所述连接部与所述公共电极同层设置且相互绝缘，且所述第一过孔还贯穿所述钝 化层；
[0014] 所述像素电极与所述源极、漏极和数据线的图形互不重叠，所述连接部通过位于 所述像素电极上方且贯穿所述钝化层的第二过孔与所述像素电极电性连接。
[0015] 或者，具体地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于高级超维场开关 型液晶显示屏时，还包括：位于所述像素电极与所述源极、漏极和数据线所在膜层之间的公 共电极，以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的钝化层；所述公共电极和所述漏极 的图形互不重叠；
[0016] 所述连接部与所述像素电极同层设置，所述第一过孔还贯穿所述钝化层。
[0017] 较佳地，为了减小源极、漏极和数据线的电阻，在本实用新型实施例提供的上述阵 列基板中，所述源极、漏极和数据线的材料为铜。
[0018] 具体地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘薄膜的材料为树 脂材料。
[0019] 进一步地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括：
[0020] 位于所述源极和漏极下方且与所述源极和漏极电性连接的有源层；
[0021] 与所述有源层相互绝缘且相对设置的栅极。
[0022] 本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述阵 列基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0023] 图la-图If分别为现有技术中阵列基板的制作方法中各步骤的结构示意图；
[0024] 图2为本实用新型实施例提供的阵列基板应用于TN型液晶显示屏时的结构示意 图；
[0025] 图3a和图3b分别为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0026] 图4为本实用新型实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
[0027] 图5a_图5g分别为本实用新型实例一中阵列基板的制作方法中各步骤的侧视 图；
[0028] 图6a、图6b和图6c分别为图5f、图5g和图3a对应的俯视图；
[0029] 图7a_图7c分别为本实用新型实例二中阵列基板的制作方法中各步骤的俯视 图；
[0030] 图8a和图8b分别为图7a和图7b对应的侧视图。
【具体实施方式】
[0031] 下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置的【具体实施方式】 进行详细地说明。
[0032] 附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本实 用新型内容。
[0033] 本实用新型实施例提供的一种阵列基板，如图2所示，包括：衬底基板1，位于衬底 基板1上的源极、漏极2和数据线，以及在源极、漏极2和数据线所在膜层上设置的像素电 极3 ;还包括：连接部4,以及包覆于源极、漏极2和数据线的表面的绝缘薄膜5 ;
[0034] 绝缘薄膜5是利用绝缘材料代替光刻胶形成源极、漏极2和数据线的图形时，对保 留在源极、漏极2和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化处理形成的；
[0035] 连接部4通过位于漏极2上方且贯穿绝缘薄膜5的第一过孔A将漏极2与像素电 极3电性连接。
[0036] 本实用新型实施例提供的上述阵列基板，由于在源极、漏极2和数据线的表面包 覆有绝缘薄膜5,这样在绝缘薄膜5上方采用构图工艺形成像素电极3的图形的过程中，绝 缘薄膜5可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极3的图形时不被刻蚀剂所腐 蚀，可以避免影响显示面板的显示品质，同时，绝缘膜层5还能有效防止源极和数据线与像 素电极3之间发生短路的问题；由于绝缘薄膜5是利用绝缘材料代替光刻胶采用一次构图 工艺形成源极、漏极2和数据线的图形时，对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的绝 缘材料进行固化处理形成的，因此，绝缘薄膜5的形成不会增加掩模次数，而且，还能省去 构图工艺中的剥离处理；并且，连接部4通过位于漏极2上方且贯穿绝缘薄膜5的第一过孔 A将漏极2与像素电极3电性连接，可以保证显示面板的正常显示功能。
[0037] 在具体实施时，包覆于源极、漏极2和数据线的表面的绝缘薄膜5是利用绝缘材 料代替光刻胶形成源极、漏极2和数据线的图形时，对保留在源极、漏极2和数据线的图形 上方的绝缘材料进行固化处理形成的，因此，不需要单独采用构图工艺制作绝缘薄膜5,相 对于现有技术，本实用新型实施例提供的上述阵列基板在实际制作过程中不会增加掩模次 数；并且，在进行构图工艺中的刻蚀处理形成源极、漏极2和数据线的图形之后，还可以省 去对绝缘材料的剥离处理。
[0038] 在具体实施时，对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化 处理，一般是通过对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的绝缘材料进行加热处理来 实现的，将加热温度控制在150°C至220°C范围内，将加热时长控制在lOmin至2h范围内。
[0039] 在具体实施时，绝缘薄膜5的材料具体可以为树脂材料，利用树脂材料代替光刻 胶采用构图工艺形成源极、漏极2和数据线的图形时，对保留在源极、漏极2和数据线的图 形上方的树脂材料进行固化处理，可以使树脂材料向下流动并完全包覆于源极、漏极2和 数据线的表面，形成绝缘薄膜5 ;并且，由于对光刻胶进行固化处理并不能使光刻胶向下流 动并完全包覆于源极、漏极2和数据线的表面，因此，采用树脂材料代替光刻胶形成源极、 漏极2和数据线的图形。
[0040] 在具体实施时，本实用新型实施例提供的上述阵列基板可以应用于扭转向列 (Twisted Nematic, TN)型液晶显示屏，如图2所示；或者，也可以应用于高级超维场开关 (Adwanced Dimension Switch, ADS)型液晶显不屏，在此不做限定。
[0041] 在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于ADS型液晶显示屏时，如图3a所 示，还可以包括：在像素电极3上方依次层叠设置的钝化层6和公共电极7 ;连接部4与公共 电极7同层设置且相互绝缘，即利用相同的材料(例如氧化铟锡（ΙΤ0, Indium Tin Oxides) 或氧化铟锌（IZ0，Idium Zinc Oxides)等）采用一次构图工艺形成连接部4与公共电极7 的图形，且第一过孔A还贯穿钝化层6,即第一过孔A贯穿绝缘薄膜5和钝化层6 ;像素电极 3与源极、漏极2和数据线的图形互不重叠，连接部4通过位于像素电极3上方且贯穿钝化 层6的第二过孔B与像素电极3电性连接。并且，连接部4通过位于漏极2上方且贯穿绝 缘薄膜5和钝化层6的第一过孔A与漏极2电性连接，这样，漏极2通过连接部4与像素电 极3实现电性连接。
[0042] 或者，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于ADS型液晶显示屏时，如 图3b所示，还可以包括：位于像素电极3与源极、漏极2和数据线所在膜层之间的公共电极 7,以及位于像素电极3与公共电极7之间的钝化层6 ;公共电极7和漏极2的图形互不重 叠；连接部4与像素电极3同层设置，即利用相同的材料(例如氧化铟锡（ΙΤ0, Indium Tin Oxides)或氧化铟锌（IZ0，Idium Zinc Oxides)等)采用一次构图工艺形成连接部4与像素 电极3的图形，第一过孔A还贯穿钝化层6,即第一过孔A贯穿绝缘薄膜5和钝化层6。连接 部4通过位于漏极2上方且贯穿绝缘薄膜5和钝化层6的第一过孔A与漏极2电性连接， 这样，漏极2通过连接部4与像素电极3实现电性连接。
[0043] 较佳地，为了减小源极、漏极2和数据线的电阻，一般采用金属铜形成源极、漏极2 和数据线的图形，当然，也可以采用其他金属形成源极、漏极2和数据线的图形，在此不做 限定。
[0044] 并且，由于金属铜与衬底基板1或其他膜层之间的粘附性较差，可以在金属铜下 方设置诸如M 〇Nb、M〇Ti或MoW的缓冲层，以防止铜离子向有源层的扩散，还可以提高金属铜 与衬底基板1或其他膜层之间的粘附性。
[0045] 本实用新型实施例提供的上述阵列基板在具体实施时，阵列基板中的薄膜晶体管 可以为底栅型结构，如图2、图3a和图3b所示，阵列基板还可以包括：位于源极和漏极2下 方且与源极和漏极2电性连接的有源层8,以及与有源层8相互绝缘且相对设置的栅极9。 具体地，可以在栅极9与有源层8之间设置栅绝缘层10实现栅极9与有源层8相互绝缘。
[0046] 当然，阵列基板中的薄膜晶体管还可以为顶栅型结构，即在源极和漏极2的上方 设置与源极和漏极2电性连接的有源层8以及与有源层8相互绝缘且相对设置的栅极9,在 此不做限定。
[0047] 基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种阵列基板的制作方法， 如图4所示，具体步骤包括：
[0048] S401、在衬底基板上利用绝缘材料代替光刻胶采用一次构图工艺形成源极、漏极 和数据线的图形；其中，在进行构图工艺中的刻蚀处理形成源极、漏极和数据线的图形之 后，对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化处理，形成包覆于源极、 漏极和数据线表面的绝缘薄膜；
[0049] 具体地，为了减小源极、漏极和数据线的电阻，一般采用诸如铜的金属采用一次构 图工艺在衬底基板上形成源极、漏极和数据线的图形，当然，也可以采用其他金属形成源 极、漏极和数据线的图形，在此不做限定；
[0050] 并且，为了防止铜离子向有源层的扩散，可以在采用金属铜形成源极、漏极和数据 线的图形之前，形成一层诸如M 〇Nb、M〇Ti或MoW的缓冲层，同时还可以提高金属铜与衬底基 板或其他膜层之间的粘附性；
[0051] 在具体实施时，绝缘薄膜是利用绝缘材料代替光刻胶形成源极、漏极和数据线的 图形时，对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化处理形成的，不需要 单独采用构图工艺制作绝缘薄膜，这样，相对于现有技术，本实用新型实施例提供的上述阵 列基板的制作方法不会增加掩模次数；并且，在进行构图工艺中的刻蚀处理形成源极、漏极 和数据线的图形之后，还可以省去对绝缘材料的剥离处理；
[0052] 在具体实施时，绝缘薄膜的材料具体可以为树脂材料，利用树脂材料代替光刻胶 采用构图工艺形成源极、漏极和数据线的图形时，对保留在源极、漏极和数据线的图形上方 的树脂材料进行固化处理，可以使树脂材料向下流动并完全包覆于源极、漏极和数据线的 表面，形成绝缘薄膜；并且，由于对光刻胶进行固化处理并不能使光刻胶向下流动并完全包 覆于源极、漏极和数据线的表面，因此，采用树脂材料代替光刻胶形成源极、漏极和数据线 的图形；
[0053] S402、在形成有绝缘薄膜的衬底基板上形成像素电极和连接部的图形；其中，连接 部通过位于漏极上方且贯穿绝缘薄膜的第一过孔将漏极与像素电极电性连接。
[0054] 本实用新型实施例提供的上述阵列基板的制作方法，由于利用绝缘材料代替光刻 胶采用一次构图工艺形成源极、漏极和数据线的图形，在进行构图工艺中的刻蚀处理形成 源极、漏极和数据线的图形之后，对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行 固化处理，形成包覆于源极、漏极和数据线表面的绝缘薄膜，然后形成像素电极和连接部的 图形，这样，绝缘薄膜可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极的图形时不被刻 蚀剂所腐蚀，避免影响显示面板的显示品质，同时，绝缘薄膜还能有效防止源极和数据线与 像素电极之间发生短路的问题；并且，绝缘薄膜的形成也不会增加掩模次数，还可以省去剥 离处理；此外，形成的连接部通过位于漏极上方且贯穿绝缘薄膜的第一过孔将漏极与像素 电极电性连接，从而可以保证显示面板的正常显示功能。
[0055] 在具体实施时，本实用新型实施例提供的上述制作方法中的步骤S402在衬底基 板上形成像素电极的图形，具体可以包括：在衬底基板上形成与源极、漏极和数据线的图形 互不重叠的像素电极的图形；并且，在本实用新型实施例提供的上述制作方法制得的阵列 基板应用于ADS型液晶显示屏时，本实用新型实施例提供的上述制作方法还可以包括：
[0056] 首先，在形成有像素电极的图形的衬底基板上形成钝化层薄膜，通过刻蚀工艺在 位于漏极上方的绝缘薄膜和钝化层薄膜中形成第一过孔；在形成第一过孔的同时，在位于 像素电极上方的钝化层薄膜中形成第二过孔；
[0057] 然后，在钝化层的图形上形成相互绝缘的公共电极和连接部的图形；连接部通过 第一过孔与漏极电性连接，通过第二过孔与像素电极电性连接。
[0058] 或者，在本实用新型实施例提供的上述制作方法制得的阵列基板应用于ADS型液 晶显示屏时，本实用新型实施例提供的上述制作方法中的步骤S402在衬底基板上形成像 素电极和连接部的图形之前，还可以包括 ：
[0059] 首先，在衬底基板上形成与漏极的图形互不重叠的公共电极的图形；
[0060] 然后，在形成有公共电极的图形的衬底基板上形成钝化层薄膜，通过刻蚀工艺在 位于漏极上方的绝缘薄膜和钝化层薄膜中形成第一过孔；
[0061] 具体地，本实用新型实施例提供的上述制作方法中的步骤S402在衬底基板上形 成像素电极和连接部的图形，具体可以包括：在钝化层的图形上形成电性连接的像素电极 和连接部的图形；连接部通过第一过孔与漏极电性连接。
[0062] 较佳地，为了保证形成的绝缘薄膜的厚度适中，本实用新型实施例提供的上述制 作方法中的步骤S401中对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行固化处 理，具体可以包括：对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行加热处理，将 加热温度控制在150°C至220°C范围内，将加热时长控制在lOmin至2h范围内。
[0063] 在具体实施时，以制作具有底栅型结构的薄膜晶体管的阵列基板为例进行说明， 本实用新型实施例提供的上述制作方法中的步骤S401在衬底基板上形成源极、漏极和数 据线的图形之前，还可以包括：
[0064] 首先，在衬底基板上采用一次构图工艺形成栅极和栅线的图形；
[0065] 然后，在形成有栅极和栅线的图形的衬底基板上形成一栅绝缘层；
[0066] 接着，在栅绝缘层上与栅极对应的区域形成有源层的图形；
[0067] 最后，在形成有有源层的图形的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形。
[0068] 下面以两个具体的实例对上述两种结构(连接部与公共电极或像素电极同层设 置）的阵列基板在应用于ADS型液晶显示屏时的制作方法的具体实现方式进行详细说明。 [0069] 实例一：连接部与公共电极同层设置的阵列基板的制作方法，具体步骤可以包 括：
[0070] 1、在衬底基板上采用一次构图工艺形成栅极和栅线的图形；
[0071] 2、在形成有栅极和栅线的图形的衬底基板上形成一栅绝缘层；
[0072] 3、在栅绝缘层上与栅极对应的区域形成有源层的图形；
[0073] 4、在形成有有源层的图形的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形；
[0074] 5、在形成有刻蚀阻挡层11的图形的衬底基板1上形成金属薄膜12,如图5a所示；
[0075] 6、在形成有金属薄膜12的衬底基板1上涂覆一层树脂材料，如图5b所示；
[0076] 7、对树脂材料进行曝光、显影处理，如图5c所示；
[0077] 8、对未覆盖树脂材料的金属薄膜12进行刻蚀处理，得到源极、漏极2和数据线的 图形，如图5d所示；
[0078] 本实用新型实施例提供的阵列基板的制作方法并没有对上述步骤1-8进行改进， 上述步骤的具体实施与现有技术相同，在此不做赘述；
[0079] 9、对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的树脂材料进行固化处理，得到绝 缘薄膜5的图形，如图5e所示；
[0080] 在具体实施时，对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的树脂材料进行固化 处理，可以使树脂材料向下流动并完全包覆于源极、漏极2和数据线的表面，形成绝缘薄膜 5的图形；
[0081] 10、在形成有绝缘薄膜5 (图6a中未示出）的衬底基板1上形成与源极13 (图5f 中未示出）、漏极2和数据线14 (图5f中未示出）的图形互不重叠的像素电极3的图形，如 图5f和图6a所示；
[0082] 11、在形成有像素电极3的图形的衬底基板1上形成钝化层6 (图6b中未示出)薄 膜，通过刻蚀工艺在位于漏极2上方的绝缘薄膜5 (图6b中未示出）和钝化层6薄膜中形 成第一过孔A ;在形成第一过孔A的同时，在位于像素电极3上方的钝化层6薄膜中形成第 二过孔B，如图5g和图6b所示；
[0083] 12、采用一次构图工艺在钝化层6 (图6c中未示出）的图形上形成相互绝缘的公 共电极7和连接部4的图形；连接部4通过第一过孔A与漏极2电性连接，通过第二过孔B 与像素电极3电性连接，如图6c和图3a所示。
[0084] 实例二：连接部与像素电极同层设置的阵列基板的制作方法，具体步骤可以包 括：
[0085] 1、在衬底基板上采用一次构图工艺形成栅极和栅线的图形；
[0086] 2、在形成有栅极和栅线的图形的衬底基板上形成一栅绝缘层；
[0087] 3、在栅绝缘层上与栅极对应的区域形成有源层的图形；
[0088] 4、在形成有有源层的图形的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形；
[0089] 5、在形成有刻蚀阻挡层11的图形的衬底基板1上形成金属薄膜12,如图5a所示；
[0090] 6、在形成有金属薄膜12的衬底基板1上涂覆一层树脂材料，如图5b所示；
[0091] 7、对树脂材料进行曝光、显影处理，如图5c所示；
[0092] 8、对未覆盖树脂材料的金属薄膜12进行刻蚀处理，得到源极、漏极2和数据线的 图形，如图5d所示；
[0093] 本实用新型实施例提供的阵列基板的制作方法并没有对上述步骤1-8进行改进， 上述步骤的具体实施与现有技术相同，在此不做赘述；
[0094] 9、对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的树脂材料进行固化处理，得到绝 缘薄膜5的图形，如图5e所示；
[0095] 在具体实施时，对保留在源极、漏极2和数据线的图形上方的树脂材料进行固化 处理，可以使树脂材料向下流动并完全包覆于源极、漏极2和数据线的表面，形成绝缘薄膜 5的图形；
[0096] 10、在形成有绝缘薄膜5 (图7a中未示出）的衬底基板1上形成与源极13 (图8a 中未示出）、漏极2和数据线14 (图8a中未示出）的图形互不重叠的公共电极7的图形，参 见图7a和图8a所示；
[0097] 11、在形成有公共电极7的图形的衬底基板1上形成钝化层6 (图7b中未示出)薄 膜，通过刻蚀工艺在位于漏极2上方的绝缘薄膜5 (图7b中未示出）和钝化层6薄膜中形 成第一过孔A ;如图7b和图8b所示；
[0098] 12、采用一次构图工艺在钝化层6 (图7c中未示出）的图形上形成电性连接的像 素电极3和连接部4的图形；连接部4通过第一过孔A与漏极2电性连接，如图7c和图3b 所示。
[0099] 基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用 新型实施例提供的上述阵列基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔 记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参 见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
[0100] 本实用新型实施例提供的一种阵列基板及显示装置，由于在源极、漏极和数据线 的表面包覆有绝缘薄膜，这样在绝缘薄膜上方采用构图工艺形成像素电极的图形的过程 中，绝缘薄膜可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极的图形时不被刻蚀剂所腐 蚀，可以避免影响显示面板的显示品质；同时，绝缘膜层还能有效防止源极和数据线与像素 电极之间发生短路的问题；由于绝缘薄膜是利用绝缘材料代替光刻胶采用一次构图工艺形 成源极、漏极和数据线的图形时，对保留在源极、漏极和数据线的图形上方的绝缘材料进行 固化处理形成的，因此，绝缘薄膜的形成不会增加掩模次数，而且，还能省去构图工艺中的 剥离处理；并且，形成的连接部通过位于漏极上方且贯穿绝缘薄膜的第一过孔将漏极与像 素电极电性连接，可以保证显示面板的正常显示功能。
[〇1〇1] 显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用 新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及 其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的源极、漏极和数据线，以及 在所述源极、漏极和数据线所在膜层上设置的像素电极；其特征在于，还包括：连接部，以 及包覆于所述源极、漏极和数据线的表面的绝缘薄膜；其中， 所述连接部通过位于所述漏极上方且贯穿所述绝缘薄膜的第一过孔将所述漏极与所 述像素电极电性连接。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：在所述像素电极上方依次层叠 设置的钝化层和公共电极； 所述连接部与所述公共电极同层设置且相互绝缘，且所述第一过孔还贯穿所述钝化 层； 所述像素电极与所述源极、漏极和数据线的图形互不重叠，所述连接部通过位于所述 像素电极上方且贯穿所述钝化层的第二过孔与所述像素电极电性连接。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素电极与所述源 极、漏极和数据线所在膜层之间的公共电极，以及位于所述像素电极与所述公共电极之间 的钝化层；所述公共电极和所述漏极的图形互不重叠； 所述连接部与所述像素电极同层设置，所述第一过孔还贯穿所述钝化层。
4. 如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、漏极和数据线的材 料为铜。
5. 如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘薄膜的材料为树脂 材料。
6. 如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括： 位于所述源极和漏极下方且与所述源极和漏极电性连接的有源层； 与所述有源层相互绝缘且相对设置的栅极。
7. -种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/12GK203883007SQ201420173331
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年4月10日 优先权日:2014年4月10日
【发明者】崔承镇, 金熙哲, 宋泳锡, 刘圣烈 申请人:京东方科技集团股份有限公司