应用于无y电容变压器的磁芯包和一种变压器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于无Y电容变压器的磁芯包，包括用于绕制绕组的骨架，骨架包括用于置放磁芯的绕制轴和布置在绕制轴两端的第一侧和第二侧。从骨架的绕制轴向外依次绕制在骨架上的初级绕组、偏置层绕组、屏蔽层绕组和次级绕组；在初级绕组和偏置层绕组之间、屏蔽层绕组和次级绕组之间以及次级绕组的外部还绕制有绝缘层；其中，偏置层绕组N2的宽度大于屏蔽层绕组N3的宽度，使得初级绕组和次级绕组之间存在空隙，以降低初级绕组和次级绕组之间的耦合效果，从而能够达到降低初级绕组和次级绕组共模电流的效果。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本申请涉及电源【技术领域】，尤其涉及到一种应用于无 Υ电容变压器的磁芯包和一 种变压器。 应用于无 Y电容变压器的磁芯包和一种变压器
【背景技术】
[0002] 目前很多充电器在配合带触摸屏的终端使用时，会出现TP(T0UCHPANEL，触摸屏） 触摸失灵问题。很多情况下都是由于充电器的共模噪声对ΤΡ造成干扰，导致ΤΡ触摸失灵。
[0003] 现有技术中，通常通过在充电器的变压器的初级绕组和次级绕组之间增加加 Υ电 容，以消除共模信号的干扰。虽然Υ电容可以滤除共模信号的干扰，但是，Υ电容会造成充 电器浮地电压非常高，一般而言，人体对低于36V的电压不敏感，高于这个电压时，将会有 被"电"的感觉，如果Υ电容过大，将存在一定的安全隐患。在其它设备中，现有的含Υ电容 电源适配器难以满足一些产品的要求，例如医用器材上用的适配器要求漏电流很小，所以 不能有Υ电容，以达到降低漏电流的目的；有语音功能的上网用路由器的电源适配器，如果 有Υ电容，通话过程中会有杂音的干扰，所以需要去掉Υ电容；还有需要满足L线对地线有 4KV以上雷击要求的电源也须去掉Υ电容，这样才能防止雷击时损坏电路里的元件。
[0004] 综上所述，在众多变压器中都需要去除Υ电容，但是，去除Υ电容之后如何抑制变 压器对地的共模信号成为亟待解决的问题。
【发明内容】
[0005] 本申请提供一种应用于无 Υ电容变压器的磁芯包和一种变压器，以实现减少变压 器对触摸屏的干扰。
[0006] 本申请提供一种应用于无 Υ电容变压器的磁芯包，包括：用于绕制绕组的骨架；骨 架包括用于置放磁芯的绕制轴和布置在绕制轴两端的第一侧和第二侧；从骨架的绕制轴向 外依次绕制在骨架上的初级绕组、偏置层绕组、屏蔽层绕组和次级绕组；在初级绕组和偏置 层绕组之间、屏蔽层绕组和次级绕组之间以及次级绕组的外部还绕制有绝缘层；其中，偏置 层绕组的宽度大于屏蔽层绕组的宽度。
[0007] 在优选的实施例中，偏置层绕组的宽度小于绕制轴的长度。
[0008] 进一步，偏置层绕组的宽度大于或等于绕制轴长度的3/4。
[0009] 进一步，屏蔽层绕组的宽度小于或等于骨架绕制轴长度的1/2。
[0010] 进一步，次级绕组的起始绕制端与初级绕组的绕制起始端位于所述骨架的第一 侧。
[0011] 进一步，次级绕组的进线端与绕制终止端位于所述骨架的第二侧。
[0012] 进一步，次级绕组的绕制层数为奇数；次级绕组的绕线从骨架的第二侧（Β)拉至 骨架的第一侧开始绕制。
[0013] 进一步，初级绕组的绕制层数为奇数；初级绕组的绕线从骨架的第一侧开始绕制， 绕线从绕制终止端拉至骨架的第一侧。
[0014] 优选地，初级绕组的绕制层数为3。
[0015] 本申请提供一种变压器，包括：磁芯和上述磁芯包，磁芯置于磁芯包的绕制轴内。
[0016] 本申请的有益效果是：设置偏置层绕组的宽度大于屏蔽层绕组的宽度，使得初级 绕组和次级绕组之间存在空隙，以降低初级绕组和次级绕组之间的耦合效果，从而能够达 到降低初级绕组和次级绕组共模电流的效果，进而实现了减少变压器对触摸屏干扰的目 的。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1为本申请实施例磁芯包的结构示意图；
[0018] 图2为本申请实施例公开的一种变压器原理图；
[0019] 图3a为现有技术方案电场线效果示意图；
[0020] 图3b为本申请实施例技术方案实现的电场线效果示意图。
【具体实施方式】
[0021] 下面通过【具体实施方式】结合附图对本发明作进一步详细说明。
[0022] 本申请文件中，在未作特别说明的情况下，使用的方位词如"上、下、左、右"通常是 指参考附图所示的上、下、左、右；"内、外"是指相对于各部件本身的轮廓的内、外。
[0023] 绕线起始端，绕组上的绕线在骨架上开始执行绕制动作的端。
[0024] 绕线终止端，绕组上的绕线在骨架上终止绕制动作的端。
[0025] 进线端，绕组上的绕线引进骨架的端，该端可能是绕线起始端，也可能绕线在引进 骨架后被拉至其它位置开始绕制。
[0026] 本实施例公开了一种无 Y电容变压器，包括磁芯2和磁芯包，磁芯2置于磁芯包的 绕制轴11内。请参考图1，为本实施例公开的应用于无 Y电容变压器的磁芯包结构示意图， 该磁芯包包括：
[0027] 用于绕制绕组的骨架1，骨架1包括用于置放磁芯的绕制轴11，以及布置在绕制轴 11两端的第一侧A和第二侧B。
[0028] 从骨架1的绕制轴11向外依次绕制在骨架1上的初级绕组N1、偏置层绕组N2、屏 蔽层绕组N3和次级绕组N4。在初级绕组N1和偏置层绕组N2之间、屏蔽层绕组N3和次级 绕组Μ之间以及次级绕组N4的外部还绕制有绝缘层3。其中，绝缘层3的材料可以为胶带 或其它常用的具备绝缘性质的材料。在一种具体实施例中，偏置层绕组Ν2的宽度大于屏蔽 层绕组Ν3的宽度，使得初级绕组Ν1和次级绕组Μ之间存在空隙。在优选的实施例中，为 了增大初级绕组Ν1和次级绕组Μ之间的空隙，偏置层绕组Ν2的宽度小于绕制轴11的长 度L。进一步地，屏蔽层绕组Ν3的宽度小于或等于骨架1绕制轴11长度L的1/2。在实际 应用过程中，为了防止屏蔽层绕组Ν3的绕线在外力的作用下嵌入到偏置层绕组Ν2的绕线 之间，偏置层绕组Ν2的宽度应优选大于或等于绕制轴11长度L的3/4,从而增加了偏置层 绕组Ν2沿绕制轴11轴向的摩擦力，继而能够更有效地防止屏蔽层绕组Ν3的绕线嵌入到偏 置层绕组Ν2的绕线之间，导致出现屏蔽层绕组Ν3的绕线和偏置层绕组Ν2的绕线出现交叉 现象。
[0029] 请参考图2,为一种变压器原理图，其中，E、F、G点都是动态点。会产生很强的dV/ dT (其中，V为电压，T为时间标量），从而导致E点与G点之间，以及F点与G点也产生很强 dV/dT。由于E点与G点之间以及F点与G点之间都有寄生的电容C存在，从而使得变压器 中E点与G点之间以及F点与G点之间将产生电流，该电流无法在变压器内部循环，通常会 流出变压器，这就形成了共模电流I cm，共模电流I cm = dV/dT*C，其中，C为初级绕组N1 和次级绕组N4之间的寄生电容。在现有的技术方案中，通过在初级绕组N1和次级绕组N4 之间的寄生电容C并联Y电容以降低共模电流I cm;在本实施例中，由于初级绕组N1和次 级绕组Μ之间存在空隙，降低了初级绕组N1和次级绕组Μ之间的耦合效果，从而使得初 级绕组Ν1和次级绕组Μ对地的共模信号降低，即能够减小变压器流出的共模电流I cm。 在一种具体实施例中，初级绕组N1和次级绕组Μ之间的空隙越大，越能够降低初级绕组N1 和次级绕组Μ之间的耦合效果。通过本实施例公开的磁芯包，在应用到变压器时，可以不 必并联Υ电容，并且达到降低共模信号的效果。
[0030] 为了提高变压器的电磁兼容性（Electromagnetic Compatibility, EMC)，使得变 压器在运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不超过EMC国标。在另一种具体实施例中， 次级绕组Μ的起始绕制端与初级绕组N1的绕制起始端应位于同一侧，具体为位于骨架1 的第一侧Α，即次级绕组Μ和初级绕组Ν1在骨架1的同一侧开始绕制。进一步，次级绕组 Ν4的绕制层数为奇数，在优选的实施例中，次级绕组Μ的绕制层数为一层。次级绕组Μ的 进线端与绕制终止端位于骨架1的第二侧Β，具体为，将次级绕组Μ的绕线从骨架1的第二 侧Β拉至骨架1的第一侧Α开始绕制，从而实现了次级绕组Μ的进线端位于第二侧Β，并且 起始绕制端位于第一侧Α。在另一种具体实施例中，初级绕组Ν1的绕制层数为奇数，优选为 三层；初级绕组Ν1的绕线从骨架1的第一侧Α开始绕制，而后将绕线从绕制终止端拉至骨 架1的第一侧A，并从第一侧A引出绕线，于是，初级绕组N1的起始绕制端位于第一侧A，绕 制终止端位于第二侧B。
[0031] 请参考图3a和图3b，对比了现有技术方案与本实施例技术方案的效果。
[0032] 现有技术中，次级绕组Μ的起始绕制端与初级绕组N1的绕制起始端位于骨架的 异侧，如图3a所示，不妨设初级绕组Ν1的绕制起始端位于第一侧Α，绕制终止端位于第二侧 B，那么，初级绕组N1的压降（电压下降）方向为由A向B ;次级绕组Μ的起始绕制端位于 第二侧Β，绕制终止端位于第一侧Α，那么，次级绕组Μ的压降方向为由Β向Α。综上所述， 初级绕组Ν1与次级绕组Ν4的电位减小的方向相反，于是，初级绕组Ν1指向次级绕组Ν4的 电场线存在交叠，如图3a虚线箭头所示，具体为，初级绕组Ν1靠近第一侧Α的绕线的电位 指向次级绕组N4靠近第二侧B绕线的电位，初级绕组N1靠近第二侧B绕线的电位指向次 级绕组N4靠近第一侧A的绕线的电位。
[0033] 而本实施例公开的技术方案中，由于次级绕组Μ的起始绕制端与初级绕组N1的 绕制起始端位于骨架的同一侧，不妨设绕制起始端均位于第一侧Α，因此，初级绕组Ν1和次 级绕组Ν4的压降方向均为由Α向Β，如图3b所示。于是，初级绕组Ν1与次级绕组Ν4的电 位减小的方向相同，从而能够尽可能地避免了初级绕组N1指向次级绕组Μ的电场线之间 的交叠，如图3b虚线箭头所示，具体为，初级绕组Ν1绕线上的电位大致垂直地指向次级绕 组N4相应绕线的电位。通过本实施例公开的技术方案，由于减少了初级绕组N1与次级绕 组Μ电场线之间的交叠，从而能够改善变压器的电磁兼容性。
[〇〇34] 以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发 明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱 离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。
【权利要求】
1. 应用于无 Y电容变压器的磁芯包，包括用于绕制绕组的骨架（1);所述骨架（1)包括 用于置放磁芯的绕制轴（11)和布置在绕制轴（11)两端的第一侧（Α)和第二侧（Β); 从骨架（1)的绕制轴向外依次绕制在骨架（1)上的初级绕组（Ν1)、偏置层绕组（Ν2)、 屏蔽层绕组（Ν3)和次级绕组（M);在初级绕组（Ν1)和偏置层绕组（Ν2)之间、屏蔽层绕组 (Ν3)和次级绕组（M)之间以及次级绕组（M)的外部还绕制有绝缘层（3); 其特征在于，所述偏置层绕组（Ν2)的宽度大于所述屏蔽层绕组（Ν3)的宽度。
2. 如权利要求1所述的磁芯包，其特征在于，所述偏置层绕组（Ν2)的宽度小于绕制轴 (11)的长度（L)。
3. 如权利要求2所述的磁芯包，其特征在于，所述偏置层绕组（Ν2)的宽度大于或等于 绕制轴（11)长度（L)的3/4。
4. 如权利要求1-3任意一项所述的磁芯包，其特征在于，所述屏蔽层绕组（Ν3)的宽度 小于或等于骨架（1)绕制轴长度（L)的1/2。
5. 如权利要求1-3任意一项所述的磁芯包，其特征在于，所述次级绕组（M)的起始绕 制端与初级绕组（Ν1)的绕制起始端位于所述骨架（1)的第一侧（Α)。
6. 如权利要求5所述的磁芯包，其特征在于，所述次级绕组（M)的进线端与绕制终止 端位于所述骨架（1)的第二侧（Β)。
7. 如权利要求6所述的磁芯包，其特征在于，所述次级绕组（M)的绕制层数为奇数； 次级绕组（Ν4)的绕线从骨架（1)的第二侧（Β)拉至骨架（1)的第一侧（Α)开始绕制。
8. 如权利要求1-3任意一项所述的磁芯包，其特征在于，所述初级绕组（Ν1)的绕制层 数为奇数；初级绕组（Ν1)的绕线从骨架（1)的第一侧（Α)开始绕制，绕线从绕制终止端拉 至骨架⑴的第一侧（Α)。
9. 如权利要求8所述的磁芯包，其特征在于，所述初级绕组（Ν1)的绕制层数为3。
10. -种无 Υ电容变压器，包括磁芯；其特征在于，还包括如权利要求1-9任意一项所 述的磁芯包；所述磁芯置于所述磁芯包的绕制轴内。
【文档编号】H01F27/30GK203850133SQ201420279272
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】李城铭, 倪漫利 申请人:深圳天珑无线科技有限公司