一种多芯片混合集成电源模块的制作方法
【专利摘要】一种多芯片混合集成电源模块，在引线框上装配有MOS管、厚膜电阻，所述控制芯片装配于所述厚膜电阻上，所述MOS管、厚膜电阻、控制芯片和所述引线框的引脚之间通过金线对应连接。厚膜电阻设置有陶瓷载体、电阻本体以及连接导体，所述电阻本体与所述连接导体连接，所述电阻本体和所述连接导体固定设置于所述陶瓷载体，所述控制芯片装配于所述电阻本体上，所述连接导体通过金线与所述MOS管对应的栅极键合点连接，所述连接导体通过金线与所述控制芯片的键合点A连接。该多芯片混合集成电源模块通过厚膜电阻可以起到限制电流作用，从而能够降低开关功率管的耐压、消除振荡现象，防止功率管瞬间被二次击穿，还具有成本低廉的特点。
【专利说明】一种多芯片混合集成电源模块
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及电子产品【技术领域】，特别是涉及一种多芯片混合集成电源模块。
【背景技术】
[0002] HMG多芯片混合集成电源模块是电子产品中常用的电源模块，现有技术中，多芯片 混合集成电源模块设置的功率M0S管输入极的等效电容容量较大，驱动模块的输出电流相 应也比较大。由于HMG多芯片混合集成电源模块配套的功率M0S管价格昂贵，导致整个成 本较高。为了降低成本，需要更换价格便宜的功率M0S管替代原始设置的功率M0S管。但 是当更换其他型号的功率M0S管时，驱动模块输出的大电流导致功率M0S管开启过快，易引 起电磁振荡，同时也易引起电流局部集中而出现功率M0S的二次击穿损坏。关断过快则导 致电压过冲尖峰很高，引起功率M0S管高压击穿。
[0003] 因此，针对现有技术不足，有必要改进现有的HMG多芯片混合集成电源系列线路 结构，降低对开关功率管的耐压要求，以及消除振荡现象，防止功率管在启动瞬间被二次击 穿，扩展可用功率管的范围，降低成本。
【发明内容】
[0004] 本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种多芯片混合集成电 源模块，能够降低开关功率管的耐压、消除振荡现象，防止功率管瞬间被二次击穿，且成本 低廉。
[0005] 本实用新型的上述目的通过如下技术手段实现。
[0006] -种多芯片混合集成电源模块，在引线框上装配有M0S管、厚膜电阻，所述控制芯 片装配于所述厚膜电阻上，所述M0S管、厚膜电阻、控制芯片和所述引线框的引脚之间通过 金线对应连接。
[0007] 上述厚膜电阻设置有陶瓷载体、电阻本体以及连接导体，所述电阻本体与所述连 接导体连接，所述电阻本体和所述连接导体固定设置于所述陶瓷载体，所述控制芯片装配 于所述电阻本体上，所述连接导体通过金线与所述M0S管对应的栅极键合点连接，所述连 接导体通过金线与所述控制芯片的键合点A连接。
[0008] 上述厚膜电阻的阻值为8 - 20欧。
[0009] 优选的，上述厚膜电阻的阻值为10欧。
[0010] 上述控制芯片的型号为D5563。
[0011] 上述厚膜电阻通过绝缘胶固定于所述引线框。
[0012] 上述控制芯片通过绝缘胶粘贴于所述厚膜电阻的电阻本体上。
[0013] 优选的，上述厚膜电阻可集成于所述控制芯片。
[0014] 本实用新型的多芯片混合集成电源模块，在引线框上装配有M0S管、厚膜电阻，所 述控制芯片装配于所述厚膜电阻上，所述M0S管、厚膜电阻、控制芯片和所述引线框的引脚 之间通过金线对应连接。该多芯片混合集成电源模块通过厚膜电阻可以起到限制电流作 用，从而能够降低开关功率管的耐压、消除振荡现象，防止功率管瞬间被二次击穿，还具有 成本低廉的特点。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 利用附图对本实用新型作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的 任何限制。
[0016] 图1是本实用新型一种多芯片混合集成电源模块的结构示意图。
[0017] 图2是本实用新型一种多芯片混合集成电源模块的部分结构示意图。
[0018] 图3是现有技术中一种多芯片混合集成电源模块的结构示意图。
[0019] 图4是本申请的样品与现有技术的样品测试结果对比图。
[0020] 在图1至图3中，包括：
[0021] 引线框架10、
[0022] M0S 管 20、
[0023] 栅极键合点G、
[0024] 厚膜电阻30、
[0025] 陶瓷载体31、电阻本体32、连接导体33、
[0026] 控制芯片40、
[0027] 金线 5〇。
【具体实施方式】
[0028] 结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
[0029] 实施例1。
[0030] -种多芯片混合集成电源模块，如图1、图2所示，在引线框上装配有M0S管20、厚 膜电阻30,控制芯片40装配于厚膜电阻30上，M0S管20、厚膜电阻30、控制芯片40和引 线框的引脚之间通过金线50对应连接。
[0031] 引线框架10是器件装配的载体并提供整个模块与外接电路的连接端子。
[0032] M0S管20是功率传输开关管，电源从220市电轮换成直流电压输出时，市电的电流 将通过外接的串联的变压器初级线圈全部流过M0S管20。
[0033] 控制芯片40,其功能是从外接的变压器次级线圈的输出电压进行采样，并与设定 的参考电压进行比较，把比较得到的误差进行放大，放大后的误差信号作为负反馈送到振 荡电路的脉冲宽度控制端，振荡电路根据反馈回来的误差信号调整输出信号的占空比，从 而控制M0S管20每个开关周期的导通时间，达到控制输出电压稳定的目的。控制芯片40 的型号为D5563。
[0034] 厚膜电阻30起到限制电流的作用，厚膜电阻30设置有陶瓷载体31、电阻本体32 以及连接导体33,电阻本体32与连接导体33连接，电阻本体32和连接导体33固定设置 于陶瓷载体31，控制芯片40装配于电阻本体32上，连接导体33通过金线50与M0S管20 对应的栅极键合点连接，连接导体33通过金线50与控制芯片40的键合点A连接。控制芯 片40其它的键合点与引线框的引脚连接。厚膜电阻30的阻值范围为8 - 20欧，既可以起 到限流作用，又不会造成太大损耗。
[0035] 具体的，厚膜电阻30通过绝缘胶固定于引线框。控制芯片40通过绝缘胶粘贴于 厚膜电阻30的电阻本体32上。具有操作方便、成本低廉的特点。
[0036] 由于多芯片混合集成电源模块是小型5端子SIP绝缘封装，体积比较小，若使用表 面贴装的方式加入限流电阻，会因体积过大而无法封装。所以本申请中加入的限流措施，是 以厚膜电阻30的方式插入到驱动芯片与功率M0S管G极之间的。采用厚膜电阻30方式， 控制芯片40可以直接叠装在厚膜电阻30上面，能够合理利用空间，而且陶瓷基板是热的良 导体，可以把功率M0S管20的发热传导到控制芯片40,当温升过高时，控制芯片40能及时 检测到超温而关闭功率M0S管20进行过温保护。
[0037] 制备本实用新型的多芯片混合集成电源模块20个，测量Ie曲线、Vceo、Vo几个项 目全部都合格。随机抽取5个安装到电视机电源电路中进行老化考核，累计考核时长120 小时，合格通过。
[0038] 现有技术中的多芯片混合集成电源模块结构示意图如图3所示。以20欧的厚膜 电阻30为例，用示波器测量本实用新型的多芯片混合集成电源模块及现有技术中的多芯 片混合集成电源模块的的波形，对比结果如图4所示。
[0039] 可见本实用新型的多芯片混合集成电源模块，加入了限流厚膜电阻30,能够去除 自激振荡现象，并降低反激尖峰电压，防止功率管瞬间被二次击穿。可以实现其他型号的功 率M0S管20替换原用的型号，仍然满足正常工作的要求，还具有成本低廉的特点。
[0040] 实施例2。
[0041] -种多芯片混合集成电源模块，其它结构与实施例1相同，不同之处在于：厚膜电 阻30的阻值为10欧，既可消除振荡又降低开关损耗。
[0042] 实施例3。
[0043] -种多芯片混合集成电源模块，其它结构与实施例1或2相同，不同之处在于：厚 膜电阻30集成于控制芯片40,这样可以直接将集成有厚膜电阻30的控制芯片40装配于引 线框架，节约封装工序。
[0044] 最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用 新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技 术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用 新型技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1. 一种多芯片混合集成电源模块，其特征在于：在引线框上装配有MOS管、厚膜电阻， 控制芯片装配于所述厚膜电阻上，所述M0S管、厚膜电阻、控制芯片和所述引线框的引脚之 间通过金线对应连接。
2. 根据权利要求1所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述厚膜电阻设置 有陶瓷载体、电阻本体以及连接导体，所述电阻本体与所述连接导体连接，所述电阻本体和 所述连接导体固定设置于所述陶瓷载体，所述控制芯片装配于所述电阻本体上，所述连接 导体通过金线与所述M0S管对应的栅极键合点连接，所述连接导体通过金线与所述控制芯 片的键合点A连接。
3. 根据权利要求2所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述厚膜电阻的阻 值为8 - 20欧。
4. 根据权利要求3所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述厚膜电阻的阻 值为10欧。
5. 根据权利要求1所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述控制芯片的型 号为D5563。
6. 根据权利要求1所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述厚膜电阻通过 绝缘胶固定于所述引线框。
7. 根据权利要求2所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述控制芯片通过 绝缘胶粘贴于所述厚膜电阻的电阻本体上。
8. 根据权利要求1所述的多芯片混合集成电源模块，其特征在于：所述厚膜电阻集成 于所述控制芯片。
【文档编号】H01L23/62GK203910797SQ201420325526
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月18日 优先权日:2014年6月18日
【发明者】洪学毅, 王政清, 宁殿涛, 刘阳 申请人:珠海市华晶微电子有限公司