一种掩模板的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种掩模板，包含：第一子掩模板；第二子掩模板，与所述第一子掩模板交叉；所述第一子掩模板在与所述第二子掩模板交叉区域，设置有第一凹槽，所述第一凹槽能够收纳第二子掩模板。本实用新型通过在交叉处设置凹槽，使得交叉处的总高度降低，与非交叉处的高度保持平齐，这样能够提高掩模板铺设的平坦度，提高张网精度，提高蒸镀良率。
【专利说明】一种掩模板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种掩模板，尤其涉及一种用于有机发光器件蒸镀的金属掩模板。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(OLED)显示装置的特性是自发光，不像液晶显示器(IXD)需要背光，因此可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、高度薄，构造简单，成本低等，被视为21世纪最具前途的产品之一。
[0003]OLED利用电激发的有机荧光化合物发光，其具有阴极和阳极，二者中间有由有机化合物组成的有机膜。当向阴极、阳极上施加电压时，施加正电压的电极中，空穴通过空穴传输层(HTL)迁移到有机发光区，施加负电压的电极中，电子通过电子传输层(ETL)迁移到有机发光区，空穴和电子在有机发光区中发生复合产生激子，激子被激发后发出光，为OLED显示提供光源。
[0004]一般而言，OLED器件中的有机材料通常采用蒸镀工艺实现，随着OLED手机屏幕尺寸的增大，为提高生产效率，蒸镀用金属掩模板的尺寸也不断增大，如何提高蒸镀精度是工艺上面临的一个重要问题。
【发明内容】
[0005]本实用新型为了解决上述现有技术存在的问题，提供了一种掩模板，包含:第一子掩模板；第二子掩模板，与所述第一子掩模板交叉；所述第一子掩模板在与所述第二子掩模板交叉区域，设置有第一凹槽，所述第一凹槽能收纳第二子掩模板。
[0006]可选地，第二子掩模板在与所述第一子掩模板交叉处，设置有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽配合，收纳所述第一子掩模板。
[0007]可选地，第一凹槽和所述第二凹槽高度之和等于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板高度之和的二分之一。
[0008]可选地，第一凹槽和所述第二凹槽中的的至少一个平面是不平整表面。
[0009]可选地，第一凹槽或所述第二凹槽的截面，至少有一条边为斜线或台阶状或曲线。
[0010]可选地，第一凹槽或所述第二凹槽的截面形状为楔形。
[0011]可选地，楔形的斜边与水平边的夹角为45° -70°。
[0012]可选地，还包含框架，第一子掩模板和第二子掩模板的两端固定在所述框架上。
[0013]可选地，第一凹槽或/和所述第二凹槽的高度范围为10-60 μ m。
[0014]可选地，第一凹槽的宽度范围为2_20mm或/和所述第二凹槽的宽度范围为10-30mmo
[0015]可选地，第一凹槽或所述第二凹槽采用半刻蚀的方法制成。
[0016]可选地，掩模板还包含第三子掩模板，所述第三子掩模板覆盖于第一子掩模板和所述第二子掩模板上方。
[0017]可选地，有机层采用上述的掩模板蒸镀制成。
[0018]本实用新型还包括一种有机发光显示面板，包含有机层，其特征在于，所述有机层是采用上述掩模板制成的。
[0019]本实用新型具有如下一种或多种的技术效果:
[0020]1、通过在交叉处设置凹槽，使得交叉处的总高度降低，与非交叉处的高度保持平齐，这样能够提高掩模板铺设的平坦度，提高张网精度，提高蒸镀良率。
[0021]2、通过楔形设计，提高遮蔽掩模板和支撑掩模板的组装精度，减少框架机械加工精度低的风险。
[0022]3、通过凹槽的不平整表面设计，确保遮蔽掩模板和支撑掩模板不发生移位，保证组装稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为现有技术的掩模板结构俯视图示意图；
[0024]图2a为图1中A-A’的剖视图；
[0025]图2b为图1中B-B，的剖视图；
[0026]图2c为图1中C-C’的剖视图；
[0027]图3为本实用新型一实施例提供的掩模板结构俯视图示意图；
[0028]图4为本实用新型一实施例提供的掩模板结构俯视图示意图；
[0029]图5a为本实用新型图3中D_D’的剖视图；
[0030]图5b为本实用新型一实施例提供的掩模板结构剖视图；
[0031]图5c为本实用新型图3中E-E’的剖视图；
[0032]图5d为本实用新型一实施例提供的掩模板结构剖视图；
[0033]图6a为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0034]图6b为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0035]图7a为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0036]图7b为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0037]图8a为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0038]图Sb为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0039]图9a为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图；
[0040]图9b为本实用新型一实施例提供的掩模板结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0041]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的几种实施例，而非全部实施方式，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0042]图1为现有技术中有机发光显示器件蒸镀用掩模板的示意图，掩模板包含框架101,框架101上设置有第一子掩模板102和第二子掩模板103。请参照图2a、2b,分别为图I沿A-A’、B-B’的剖视图，从图中可以知道，框架101上设置有一凹槽，第一子掩模板102及第二子掩模板103分别设置在框架101的凹槽内。请参照图2c，图2c为图1沿C-C’的剖视图，从图2c中可以看出，在第一子掩模板102和第二子掩模板103交叉处，第一子掩模板102位于第二子掩模板103的上方。
[0043]图3是本实用新型的一个实施例包含的有机发光显示器件蒸镀用掩模板的俯视图。图3中包含框架201，框架201上设置有第一子掩模板202和第二子掩模板203。可选地，第一子掩模板202是起支撑作用的支撑掩模板(support mask),尤其在大尺寸OLED器件的制备过程中，由于掩模板的尺寸较大，容易在重力的影响下发生变形，支撑掩模板可以给大尺寸掩模板以支撑力，从而消除大尺寸掩模板的变形。请参照图4，图4是本实用新型的一个实施例包含的有机发光显示器件蒸镀用掩模板的俯视图。图4中还包含第三子掩模板206,第三子掩模板206覆盖在第一子掩模板202及第二子掩模板203上方。可选地,第三子掩模板206是分区掩模板(divided mask),分区掩模板206将这个基板分成蒸镀区域与非蒸镀区域，其允许有机物沉积到蒸镀区域，阻止有机物沉积到非蒸镀区域，一般来讲，蒸镀区域是有机发光的像素单元区域。可选地，第二子掩模板203是起遮蔽作用的遮蔽掩模板(cover mask),而遮蔽掩模板203则遮挡在两个相邻分区掩模板206之间,其作用是防止有机物蒸镀到相邻分区掩模板206中间的非蒸镀区域。通过上述三种掩模板的作用，蒸发室中从蒸发源中蒸发出来的有机物气体蒸镀于有机发光装置中，尤其形成红、绿、蓝有机层及空穴传输层(HTL)。可选地，第一子掩模板或第二子掩模板或第三子掩模板的材料为金属。
[0044]请参照图5a，是本实用新型图3沿D_D’的剖视图。在掩模板张网工艺中，由于分区掩模板需要设置在框架201、第一子掩模板202、第二子掩模板203的上方，为了保证张网的精度，需要保证下方掩模板的平坦度。因此，本实施例中，框架201与第一子掩模板202、第二子掩模板203接触处都设置有凹槽，使它们位于同一个平面上，其中，可选地，第一子掩模板202、第二子掩模板203均采用焊接的方式固定在框架201上，例如点焊、缝焊等方法。本实用新型中，第一子掩模板202在与第二子掩模板203交叉处，设置有第一凹槽204，第一凹槽204能够收纳第二子掩模板，可选地，第一凹槽204的宽度大于或等于第二子掩模板203的宽度。例如，第二子掩模板的宽度为4mm，则第一凹槽204的宽度为4_15mm。这样的设置使得第一凹槽能够将第二子掩模板嵌入到凹槽中，使得第一子掩模板202和第二子掩模板203交叉处高度降低，平坦度增加。可选地，第一凹槽宽度等于第二子掩模板的宽度，二者结合牢固，不易变形；可选地，第一凹槽宽度大于第二子掩模板的宽度，此时更有利于二者组装。一般来说，凹槽的深度越大，提高平坦度的程度越大，第一凹槽204的高度小于第一子掩模板202的高度。例如，第一子掩模板202的高度为60 μ m，则第一凹槽204的高度大于O小于60 μ m。可选地，第一凹槽204的高度是第一子掩模板202高度的一半。可选地，第一凹槽204的宽度范围是2-20mm，第一凹槽204的高度范围是10 μ m-60 μ m。
[0045]在现有技术中，第一子掩模板和第二子掩模板交叉处的高度是第一子掩模板和第二子掩模板高度之和(图2c)，掩模板铺设的平坦度对张网工艺有较大的影响，掩模板铺设得越平坦，张网精度越高，蒸镀的良率也越高。本实用新型中，通过在交叉处设置凹槽，使得交叉处的总高度降低，与非交叉处的高度保持平齐，这样能够提高掩模板铺设的平坦度，提高张网精度，提高蒸镀良率。
[0046]请参照图5c，是本实用新型的图3沿E-E’的剖视图。可选地，本实用新型中，第二子掩模板203在与所述第一子掩模板202交叉处，设置有第二凹槽205，第二凹槽205能够收纳第一子掩模板202。可选地，所述第二凹槽205的宽度大于或等于所述第一子掩模板202的宽度。例如，第一子掩模板的宽度为17mm，则第二凹槽205的宽度为17_25mm。这样的设置使得第二凹槽能够将第一子掩模板嵌入到凹槽中，使得第一子掩模板202和第二子掩模板203交叉处高度降低，平坦度增加。可选地，第二凹槽宽度等于第一子掩模板的宽度，二者结合牢固，不易变形；可选地，第二凹槽宽度大于第一子掩模板的宽度，组装难度低。凹槽的深度越大，提高平坦度的程度越大，第二凹槽205的高度小于第二子掩模板203的高度。例如，第二子掩模板203的高度为60 μ m,则第二凹槽205的高度大于O小于60 μ m。可选地，第二凹槽205的高度是第二子掩模板203高度的一半。可选地，第二凹槽205的宽度范围是10-30mm，第二凹槽205的高度范围是10 μ m-60 μ m。
[0047]请参照图5b、图5d，为本实用新型的一个实施例，可选地，第一凹槽204和第二凹槽205相互配合使用。可选地，第一凹槽204和第二凹槽205高度之和等于所述第一子掩模板202和所述第二子掩模板203高度之和的二分之一。此时，第一子掩模板202与第二子掩模板203在二者交叉处的高度刚好等于第一子掩模板202和第二子掩模板203非交叉位置的高度，能够有效地保证第一子掩模板202与第二子掩模板203位于同一平面上，保证了掩模板张网的平坦度，从而使蒸镀的精度更加精确，例如，第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都是60 μ m,那么第一凹槽204的高度设置为20 μ m,第二凹槽205的高度设置为40 μ m,此时如图5b所不,第一子掩模板202和第二子掩模板203在二者交叉处呈一个平面。可选地，第一凹槽204的高度是第一子掩模板202高度的一半，且第二凹槽204的高度是第二子掩模板203高度的一半，例如第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都是60 μ m,则第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都设置为30 μ m。这样可以保证第一凹槽204和第二凹槽205的深度相同，在凹槽制作过程中，二者可以采用相同的工艺参数，在相同的时间内完成，节省工艺时间。
[0048]可选地，第一凹槽204和第二凹槽205采用药液刻蚀的方法形成。药液刻蚀精确，可以有效防止精度偏差造成的掩模板不均匀。可选地，第一凹槽204和第二凹槽205采用半刻蚀的方法制成。
[0049]可选地，第一凹槽或第二凹槽的截面，至少有一条边为斜线或台阶状或曲线。请参照图6a、6b，为本实用新型的一个实施例。在本实用新型的一个实施例中，第一凹槽304与第二凹槽305分别设置在第一子掩模板302和第二子掩模板303中，第一凹槽304与第二凹槽305的截面形状为楔形。楔形相比于其他形状，具有如下好处:保证遮蔽掩模板和支撑掩模板为一整体，提高遮蔽掩模板和支撑掩模板的组装精度，减少框架机械加工精度低的风险，平稳支撑分区掩模板；在两个掩模板组装的过程中，楔形凹槽组装时朝外的开口宽度大，因此可以更容易地实现对位，即使凹槽加工精度相对较低，也容易组装。可选地，楔形凹槽的斜边与水平边的夹角为45° -70°。斜边的夹角越大，子掩模板之间越容易组装，但是同时子掩模板间组装结合强度弱，彼此容易发生移位，容易变形。斜边的夹角越小，子掩模板的组装结合强度高，结构稳定，不易变形，但是同时对加工精度的要求较高，组装较为困难。本实用新型中，经过大量实验验证，发现楔形的斜边的夹角为45° -70°时，最有利于子掩模板之间的配合。可选地，楔形的斜边的夹角为45° -55°。在图6a中，第一凹槽304的较宽的水平边的宽度大于或等于第二子掩模板的宽度，可选地，第一凹槽304的较宽的水平边的宽度等于第二子掩模板的宽度，此时可实现二者的精准配位。可选地，第一凹槽304的较宽水平边宽度比较窄水平边的宽度大400 μ m。在图6b中，第二凹槽305的较宽的水平边的宽度大于或等于第一子掩模板的宽度，可选地，第二凹槽305的较宽的水平边的宽度等于第一子掩模板的宽度，此时可实现二者的精准配位。可选地，第二凹槽305的较宽水平边宽度比较窄水平边的宽度大400 μ m。
[0050]请参照图7a及图7b，为本实用新型的一个实施例，在本实施例中，本实用新型所述的凹槽的至少一个表面为粗糙表面。粗糙表面的实现方式可以是在表面设置微小的凹凸结构，也可以是在表面增加一层摩擦力较大的材料。在图7a中，第一子掩模板402的第一凹槽404的上表面具有多个微凹槽407，微凹槽407的存在使得其所在表面的粗糙度增大。图7b中，第二子掩模板403的第二凹槽405下表面具有多个与图7a中所述的微凹槽407相配合的微凸起408。当第一子掩模板402与第二子掩模板403装配时，凹凸表面配合在一起，增大摩擦力，使得第一子掩模板402与第二子掩模板403不容易相对发生滑动，确保装配精度。需要说明的是，本实施例中的微凹槽及微凸起的形状包含但不局限于图中所示的形状，只要是能起到配合作用的凹凸形状，都在本实用新型的思想之内。此外，图中所示的微凹槽及微凸起的尺寸只是一个示意，实际的微凹槽及微凸起的尺寸可以是更微小的不平整表面，例如磨砂表面，也可以是更大微凸起、微凹槽。此外，本实施例中所述的凹槽形状包含但不限于图中的形状，也可以是本实用新型包含的任何一种形状。
[0051]请参照图8，为本实用新型的一个实施例，在本实施例中，第一凹槽504与第二凹槽505的截面形状为台阶状，台阶状的凹槽可以保证第一子掩模板与第二子掩模板更好地相互嵌合在一起，位置固定，从而保证了掩模板的设置精度。
[0052]请参照图9，为本实用新型的一个实施例，在本实施例中，第一凹槽604与第二凹槽605的截面两侧的边为圆弧状，圆弧状有利于提高加工精度。
[0053]本实用新型还包含一种有机发光显示面板，包含有机层，所述有机层是采用上述掩模板蒸镀制成的。
[0054]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种掩模板,其特征在于,包含: 第一子掩模板； 第二子掩模板，与所述第一子掩模板交叉设置； 所述第一子掩模板在与所述第二子掩模板交叉区域，设置有第一凹槽，所述第一凹槽能收纳第二子掩模板。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第二子掩模板在与所述第一子掩模板交叉处，设置有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽配合，收纳所述第一子掩模板。
3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽高度之和等于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板高度之和的二分之一。
4.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的的至少一个平面是不平整表面。
5.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽的截面，至少有一条边为斜线或台阶状或曲线。
6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽的截面形状为楔形。
7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述楔形的斜边与水平边的夹角为45。-70。。
8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，还包含框架，所述第一子掩模板和所述第二子掩模板的两端固定在所述框架上。
9.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽的高度范围为10-60 μ m。
10.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽的宽度范围为2-20mm或/和所述第二凹槽的宽度范围为10-30mm。
11.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽采用半刻蚀的方法制成。
12.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板还包含第三子掩模板，所述第三子掩模板覆盖于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板上方。
13.一种有机发光显示面板，包含有机层，其特征在于，所述有机层采用如权利要求1所述的掩模板蒸镀制成。
【文档编号】H01L51/56GK203960317SQ201420376204
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月8日 优先权日:2014年7月8日
【发明者】孙田雨, 叶添昇, 毕德锋 申请人:上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司