低损耗高稳定性高互调双频4g合路器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器，在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一，在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三，在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件。本实用新型既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用，具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。
【专利说明】 低损耗高稳定性高互调双频4G合路器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通信系统收发信号滤波器件【技术领域】，尤其涉及一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。
【背景技术】
[0002]无线通信技术经过多年的发展，已经从GSM时代进入3G时代，而未来更先进的4G网络已经具有可实用化的技术，在国内亦有试点，现有各类天线以及收发信机输入口的不是低损耗、高互调、选择性合路器都还是采用立体型的辐射结构和多腔谐振结构，体积庞大，结构复杂，加工困难，已成为无线通信产品微型化的主要障碍:其主要原因是它所依据的辐射转换空间和频率谐振空间是电解质常数接近于1，损耗最小的自由空气。开拓各种不同规格的解电常数并加以控制，而且解质损耗更低的新型材料代替自由空气，是实现天线和滤波器平面化、微型化和智能化的主要技术途径。
实用新型内容
[0003]本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器，包括有谐振腔，在谐振腔的顶部固定有盖板，在谐振腔内侧电镀银层，在谐振腔的左侧安装有天线端口 N型连接器一，在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口 N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三，在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件，所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布，第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板，所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容上均连接有输入传输线和输出传输线，所述的输入传输线均与天线端口 N型连接器一连接，GSM信号大功率谐振电容和DCS信号大功率谐振电容连接的输出传输线与GSM、DCS端口 N型连接器二连接，TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三连接。
[0006]所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
[0007]本实用新型的优点是:本实用新型可同时实现将要广泛应用的GSM/DCS/TDA/TDF和LTE系统信号，既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用，具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的结构示意图。
[0009]图2为本实用新型盖板结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图1、2所示，一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器，包括有谐振腔1，在谐振腔I的顶部固定有盖板2，在谐振腔I内侧电镀银层3，在谐振腔I的左侧安装有天线端口N型连接器一 4，在谐振腔I的右侧安装有GSM、DCS端口 N型连接器二 5和TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三6，在谐振腔I的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容7、DCS信号大功率谐振电容8、TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10、LTE信号大功率谐振电容11和带外杂散信号近端和远端抑制控元件12，所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布，第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板15，所述的GSM信号大功率谐振电容7、DCS信号大功率谐振电容8、TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10和LTE信号大功率谐振电容11上均连接有输入传输线13和输出传输线14，所述的输入传输线13均与天线端口 N型连接器一 4连接，GSM信号大功率谐振电容7和DCS信号大功率谐振电容8连接的输出传输线与GSM、DCS端口 N型连接器二 5连接，TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10和LTE信号大功率谐振电容11连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三6连接。
[0011]所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
【权利要求】
1.一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器，其特征在于:包括有谐振腔，在谐振腔的顶部固定有盖板，在谐振腔内侧电镀银层，在谐振腔的左侧安装有天线端口 N型连接器一，在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口 N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三，在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件，所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布，第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板，所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容上均连接有输入传输线和输出传输线，所述的输入传输线均与天线端口 N型连接器一连接，GSM信号大功率谐振电容和DCS信号大功率谐振电容连接的输出传输线与GSM、DCS端口 N型连接器二连接，TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口 N型连接器三连接。
2.根据权利要求1所述的低损耗高稳定性高互调双频4G合路器，其特征在于:所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
【文档编号】H01P1/213GK204118224SQ201420448096
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年8月8日 优先权日:2014年8月8日
【发明者】董后友 申请人:董后友