一种大电流二极管管芯封装结构的制作方法

文档序号:7090923阅读:201来源:国知局
一种大电流二极管管芯封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种大电流二极管管芯封装结构,包括下管帽,及置于下管帽上方的上管帽,上管帽通过管帽座支撑,在上管帽内腔设有引线柱,引线柱下方的上电极与设在下管帽上台面的下电极相对应,在上电极和下电极之间设有管芯。通过采用金属螺栓型封装替代玻璃封装、塑料封装,提高50A以上大电流恢复二极管的散热性能,解决玻璃封装、塑料封装不能满足有高低温变化、有较强机械应力及且有辐照的环境使用的问题,提高了产品的封装质量和可靠性,保证电路工作的稳定性。
【专利说明】一种大电流二极管管芯封装结构

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件制造领域,具体地说涉及一种大电流二极管管芯封装结构。

【背景技术】
[0002]大电流快恢复二极管以其工作电流大(50A以上)、正向电压小(1.价以下)、反向恢复时间短(10ns)的特点,被广泛应用于电子线路、电源系统等的整流作用,尤其是大功率的开关电路更是必不可少。
[0003]现有技术形成的大电流恢复二极管封装多为玻璃封装、塑料封装,在实际使用中不能满足有高低温变化、有较强机械应力及且有辐照的的环境使用。
[0004]大电流二极管管芯面积大,因此封状体积也很大,玻璃材料和塑封材料的强度、应力不能满足大体积封装要求,在温度变化和有机械应力时,会出现开裂、断裂等问题;玻璃材料的抗腐蚀性能较差,玻璃材料表面的气孔吸收了环境中的水气和腐蚀性气体后,会出现产品电性能退化,玻壳会逐渐分解、出现裂纹、最后开裂失效;塑料是半密封材料,也会受腐蚀性气体和水气的侵蚀,最后导致产品电性能失效。另外,玻璃材料和塑封材料的散热性能较差,不利于大电流二极管工作时散热,极易出现因热集中导致的产品失效,影响电路的工作稳定性。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种大电流二极管管芯封装结构,其目的旨在通过采用金属螺栓型封装替代玻璃封装、塑料封装,解决大电流二极管的封装质量和可靠性。
[0006]为了达到如上目的,本实用新型采取如下技术方案:
[0007]一种大电流二极管管芯封装结构,包括下管帽,及置于下管帽上方的上管帽,上管帽通过管帽座支撑,在上管帽内腔设有引线柱,引线柱下方的上电极与设在下管帽上台面的下电极相对应,在上电极和下电极之间设有管芯。
[0008]进一步地,所述下管帽为螺栓结构,在其端面上设有放置下电极的凸台。
[0009]进一步地,所述上管帽在管芯与下电极底座和引线柱上的上电极连接后通过封帽封焊。
[0010]采用如上技术方案具有如下有益效果:
[0011]采用金属螺栓型封装,提高50A以上大电流恢复二极管的散热性能,解决玻璃封装、塑料封装不能满足有高低温变化、有较强机械应力及且有辐照的环境使用的问题,提高产品的封装质量和可靠性,保证电路工作的稳定性。

【专利附图】

【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是本实用新型结构示意图。
[0014]其中:1下管帽,2下电极,3管芯,4上电极,5引线柱,6上管帽,7夹扁冲凹部,8焊接部,9封帽。

【具体实施方式】
[0015]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
[0016]如图1所示,该大电流二极管管芯封装结构,包括下管帽I,及置于下管帽I上方的上管帽6,上管帽6通过管帽座支撑,管帽座通过焊接部8与上管帽6密封连接;在上管帽6内腔设有引线柱5,引线柱5下方的上电极4与设在下管帽I上台面的下电极2相对应,在上电极4和下电极2之间设有管芯3。
[0017]在上管帽封帽后用机械夹扁、冲凹的方法与管帽的电极柱连接,7为夹扁冲凹部,下管帽为螺栓结构,在其端面上设有放置下电极2的凸台。大电流二极管的管芯通过高温冶金键合与螺栓底座和引线柱连接,上管帽6在管芯与螺栓底座和引线柱连接后通过储能封焊,9为封帽,将管帽与螺栓底座封焊成型。
[0018]使用该封装产品正向电流达到50A以上。
[0019]本实用新型的原理是:采用金属螺栓封装结构,并利用了金属材料的抗温度变化和抗机械应力能力强、散热性好等特点,解决塑料、玻璃封装材料在大电流二极管封装易出现中的壳体断裂、开裂、气密性差、散热差等问题,提高产品的质量和可靠性。
[0020]最后所应说明的是,以上【具体实施方式】仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种大电流二极管管芯封装结构,其特征在于:包括下管帽(1),及置于下管帽(I)上方的上管帽(6),上管帽(6)通过管帽座支撑,在上管帽(6)内腔设有引线柱(5),引线柱(5)下方的上电极⑷与设在下管帽⑴上台面的下电极⑵相对应,在上电极(4)和下电极⑵之间设有管芯⑶。
2.根据权利要求1所述的大电流二极管管芯封装结构,其特征在于:所述下管帽(I)为螺栓结构,在其端面上设有放置下电极(2)的凸台。
3.根据权利要求1所述的大电流二极管管芯封装结构,其特征在于:所述上管帽(6)在管芯⑶与下电极⑵底座和引线柱(5)上的上电极⑷连接后通过封帽(9)封焊。
【文档编号】H01L23/31GK204167286SQ201420568932
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年9月29日 优先权日:2014年9月29日
【发明者】王嘉蓉 申请人:西安卫光科技有限公司
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