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半导体器件结构的结构和形成方法与流程
文档序号:11810163
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来源:国知局
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半导体器件结构的结构和形成方法与流程
技术总结
提供半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件结构也包括覆盖部分鳍结构的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括第一部分和邻近鳍结构的第二部分,并且第一部分宽于第二部分。
技术研发人员:
张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者:
台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码:
201510811593
技术研发日:
2015.11.20
技术公布日:
2016.11.30
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