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用于IIIA族N装置的经热处理半导体/栅极电介质界面的制作方法
文档序号:11452917
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来源:国知局
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用于IIIA族N装置的经热处理半导体/栅极电介质界面的制造方法
技术特征:
技术总结
在所描述实例中,一种制作用于功率晶体管装置的栅极堆叠的方法(100)包含对衬底上的IIIA族N层的表面进行热氧化(101)以形成厚度大于5A的氧化物材料的第一电介质层。在所述第一电介质层上沉积(102)为氮化硅或氮氧化硅的第二电介质层。在所述第二电介质层上形成(104)金属栅极电极。
技术研发人员:
N·S·德拉斯
受保护的技术使用者:
德州仪器公司
技术研发日:
2015.11.03
技术公布日:
2017.08.29
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