LED芯片护层的改善的制作方法

文档序号:11289956阅读:137来源:国知局

led芯片照明、半导体芯片、ic芯片。



背景技术:

一般led芯片或ic芯片的护层为sio2或者cvd(化学气相沉积)。



技术实现要素:

我们用耐热能高达260度的uv胶代替一般led芯片的表面护层,其工艺是在真空中旋涂在金属导线外厚度达2um,一般芯片护层cvd大约只有0.1um。这样只用了原先光阻的工艺及材料就能做好护层。

若是蓝光芯片我们可以用掺杂荧光粉的uv胶,而其他的材料可以用掺杂了导热粉的uv胶,只要uv胶的导热率大于sio2即可。而且uv胶的折射率更是大于sio2增加出光率。

不管是焊线或是倒装还是溅镀,我们的uv胶都可以提供比sio2更好的特性。

封装我们一样可以将ic的护层,用掺杂导热粉的uv胶去做ic护层。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种LED芯片护层的改善,改善过的LED芯片护层可用于LED照明芯片,IC芯片,半导体行业等,其工艺是用特有耐高温的UV胶在真空中旋涂在芯片金属导线外,厚度可达2um,只需用原先光阻的工艺材料就可以做好护层。我们UV胶还可以掺杂荧光粉、导热材料用于芯片护层,UV胶的导热率折射率更是大于原有LED芯片的护层。

技术研发人员:涂波
受保护的技术使用者:涂波
技术研发日:2016.03.14
技术公布日:2017.09.22
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