技术总结
本发明提供了一种改善晶圆边缘缺陷的方法以及MOS晶体管。改善晶圆边缘缺陷的方法包括：在半导体制造过程中，在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的有源区的初始第一光刻胶层，初始第一光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除初始第一光刻胶层的冗余边缘倒角区域；利用第一光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的有源区；执行形成阱区以及形成场氧化层的步骤以形成氧化层；在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的沟槽区域的初始第二光刻胶层，第二光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除第二光刻胶层冗余边缘倒角区域，露出冗余边缘倒角区域所覆盖的所述氧化层；利用第二光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的沟槽区域。
技术研发人员：李秀然;刘宇
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610596459
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2016.11.16