本发明涉及阀套，更具体的说，涉及一种半导体保护层。
背景技术：
传统半导体保护层一般用气相沉淀，不符合环保节能长远发展的人类需求。传统led芯片ic芯片的保护层一般都在0.1um不足以进行保护，在绑定的时候容易形成短路，在镭雕或者蚀刻的时候容易形成断路。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明目的是提供一种在绑定的时候不会形成短路，在镭雕或者蚀刻的时候不会形成断路，环保无污染，无强酸腐蚀，可靠性高，成本低的半导体保护层。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种半导体保护层，包括保护胶，所述保护胶为uv胶、硅树脂、环氧树脂和硅橡胶中的一种或多种，所述保护胶中添加导热材料、导光材料和偏光材料，所述保护胶的厚度0.1um-10mm之间。
一种半导体保护层的使用工艺，在真空环境下对led芯片或ic芯片使用移印、丝印、喷涂、旋涂、刮涂和转压方式涂布保护胶，再采用镭雕的方式去除多余保护胶，留下需要的保护胶。
作为优选，所述导热材料为石墨烯。
作为优选，所述导光材料为甲基丙烯酸甲脂。
作为优选，所述偏光材料为聚乙烯醇。
本发明技术效果主要体现在以下方面：在真空环境下涂胶的以保证保护层不会受到空气的破坏影响；保护胶中添加导热材料、导光材料和偏光材料以保护在镭雕的时候激光不会伤害到芯片，在绑定的时候不会形成短路，在镭雕或者蚀刻的时候不会形成断路；保护胶为uv胶、硅树脂、环氧树脂和硅橡胶中的一种或多种具有环保无污染，无强酸腐蚀，可靠性高，成本低的优点。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式作进一步详述，以使本发明技术方案更易于理解和掌握。
一种半导体保护层，包括保护胶，所述保护胶为uv胶、硅树脂、环氧树脂和硅橡胶中的一种或多种，所述保护胶中添加导热材料、导光材料和偏光材料，所述导热材料为石墨烯，所述导光材料为甲基丙烯酸甲脂，所述偏光材料为聚乙烯醇，所述保护胶的厚度0.1um-10mm之间。
一种半导体保护层的使用工艺，在真空环境下对led芯片或ic芯片使用移印、丝印、喷涂、旋涂、刮涂和转压方式涂布保护胶，再采用镭雕的方式去除多余保护胶，留下需要的保护胶。
本发明技术效果主要体现在以下方面：在真空环境下涂胶的以保证保护层不会受到空气的破坏影响；保护胶中添加导热材料、导光材料和偏光材料以保护在镭雕的时候激光不会伤害到芯片，在绑定的时候不会形成短路，在镭雕或者蚀刻的时候不会形成断路；保护胶为uv胶、硅树脂、环氧树脂和硅橡胶中的一种或多种具有环保无污染，无强酸腐蚀，可靠性高，成本低的优点。
当然，以上只是本发明的典型实例，除此之外，本发明还可以有其它多种具体实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。