一种低esl的多层陶瓷电容器的制造方法
【专利摘要】一种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体、导电连接在陶瓷芯体上的两引线、包裹陶瓷芯体的绝缘外壳，引线为由相互垂直连接的导电板和焊接板组成的“L”形结构，导电板与陶瓷芯体导电连接并被绝缘外壳覆盖，焊接板位于绝缘外壳的底部并且具有侧向伸出绝缘外壳的焊接段，采用“L”形的引线，不仅大大缩短了引线长度，而且减少了引线的弯折角，这样就可以大大降低ESL，提高电容的自谐振频率，使电容可应用于高频电路中。
【专利说明】
一种低ESL的多层陶瓷电容器
技术领域
[0001 ] 本实用新型涉及一种多层陶瓷电容器。
【背景技术】
[0002]如图1和图2所示，多层陶瓷电容器，主要包括陶瓷芯体1、两引线2和绝缘外壳3，陶瓷芯体I包括平行间隔且交错排列的若干第一、第二内电极片、设置在第一、第二内电极片之间的电介质、与各第一内电极片导电连接的第一外电极片、与各第二内电极片导电连接的第二外电极片，通常陶瓷芯体I为长方体，第一、第二外电极片布置在陶瓷芯体I的两相对面，两引线2分别与第一、第二外电极片导电连接，而绝缘外壳3则包裹陶瓷芯体，绝缘外壳3大致为与陶瓷芯体I形状相适配的长方体。
[0003]如图1和图2所示，E壳封装结构的多层陶瓷电容，该电容的引线2从陶瓷芯体I的底面延伸至侧面，并从侧面伸出，再折弯到底部形成焊盘，造成了引线长度的增加;E壳的标准封装尺寸为7.3mm X 4.3mm X 4.lmm,引线2的长度约为2.8mm。理论上对于引线来说，Imm长度大约产生InH的电感量，因此电感约增加2.8nH。另一方面，引线2出现多处90°弯曲，在高频率、大电流条件下，弯曲的引出端会增加涡流，并直接增大电容器的等效电感(ESL) JSL的增加直接导致电容器自谐振频率的下降，使电容器无法应用于高频电路中。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种结构简单、便于焊接且低ESL的多层陶瓷电容器。
[0005]本实用新型的目的通过如下技术方案来实现:
[0006]—种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体、导电连接在陶瓷芯体上的两引线、包裹陶瓷芯体的绝缘外壳，其特征在于:引线为由相互垂直连接的导电板和焊接板组成的“L”形结构，导电板与陶瓷芯体导电连接并被绝缘外壳覆盖，焊接板位于绝缘外壳的底部并且具有侧向伸出绝缘外壳的焊接段。
[0007]进一步的，所述焊接板的底面与绝缘外壳的底面相平。
[0008]进一步的，所述焊接段的前端沿形成有凹凸结构。
[0009]进一步的，所述陶瓷芯体为长方体，所述绝缘外壳大致为与陶瓷芯体相适配的长方体。
[0010]进一步的，两所述引线的导电板分别贴附在所述陶瓷芯体的两相对面上，所述陶瓷芯体的两相对面分别设置有与所述导电板导电连接的外电极片。
[0011]进一步的，所述导电板与所述陶瓷芯体的两相对面的大小相适配。
[0012]进一步的，所述导电板和焊接板一体成型。
[0013]进一步的，所述导电板和焊接板均为矩形。
[0014]一种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体、导电连接在陶瓷芯体上的两引线、包裹陶瓷芯体的绝缘外壳，其特征在于:引线包括竖直延伸的导电板、连接导电板并水平延伸的水平焊接板和连接水平焊接板并竖直延伸的竖直焊接板，导电板与陶瓷芯体导电连接并被绝缘外壳覆盖，水平焊接板位于绝缘外壳的底部，竖直焊接板位于绝缘外壳的侧面，且至少水平焊接板的底面和竖直焊接板的外侧面暴露在绝缘外壳之外。
[0015]进一步的，所述竖直焊接板上形成有靠近水平焊接板的焊料填充孔，用于增加焊料的填充量，提高焊接强度。
[0016]本实用新型具有如下有益效果:
[0017]与现有技术相比，实施例一采用“L”形的引线和实施例二采用的导电板、水平焊接板和竖直焊接板的结构，不仅大大缩短了引线长度，而且减少了引线的弯折角，这样就可以大大降低ESL，提高电容的自谐振频率，使电容可应用于高频电路中；而实施例一的焊接板的焊接段侧向伸出绝缘外壳，以及实施例二的竖直焊接板，不仅使电容器适用于回流焊工艺，而且适用于手工焊接，并可方便地观察焊接质量;焊接段的前端沿形成凹凸结构和实施例二的焊料填充孔，可增加焊料与焊接段的接触面积，增加焊料的附着量和附着强度。
【附图说明】
[0018]下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
[0019]图1为现有陶瓷电容器的立体图。
[0020]图2为现有陶瓷电容器的构件分解图。
[0021]图3为实施例一陶瓷芯体和引线的立体图。
[0022]图4为实施例一的立体图。
[0023]图5为实施例二的立体图。
[0024]图6为实施例二陶瓷芯体和引线的立体图。
【具体实施方式】
[0025]实施例一，参照图3和图4所示，一种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体5、两引线6和绝缘外壳7。
[0026]陶瓷芯体5为长方体，主要由电介质、内电极片和外电极片组成，两外电极片设置在陶瓷芯体5的两相对面，为公知的现有技术，在这里不再详细说明。
[0027]引线6为一体成型的“L”形结构，由相互垂直连接的导电板61和焊接板62组成，导电板61和焊接板62大致为矩形，导电板61具有与焊接板62连接的凸出部611。
[0028]两引线6的导电板61分别贴附在陶瓷芯体5的两相对面上并与外电极片导电连接，引线6的焊接板62位于绝缘外壳7的底部并且具有从绝缘外壳7侧向伸出的焊接段62a，焊接板62的底面与绝缘外壳7的底面相平，并暴露在绝缘外壳7之外，焊接段62a的前端沿形成有凹凸结构621，即绝缘外壳7包裹陶瓷芯体5、导电板61和焊接板62的局部顶面和侧面，绝缘外壳7大致为与陶瓷芯体5相适配的长方体。
[0029]实施例二，其基本结构与实施例一相同，主要区别在于引线8的结构，该引线8包括竖直延伸的导电板81、连接导电板81并水平延伸的水平焊接板82和连接水平焊接板82并竖直延伸的竖直焊接板83，导电板81与陶瓷芯体5导电连接并被绝缘外壳7覆盖，水平焊接板82位于绝缘外壳7的底部，竖直焊接板83位于绝缘外壳7的侧面，且至少水平焊接板82的底面和竖直焊接板83的外侧面暴露在绝缘外壳7之外，竖直焊接板83上形成有靠近水平焊接板82的三个焊料填充孔831，焊料填充孔831沿竖直焊接板83的宽度方向排列。
[0030]以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，故不能以此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体、导电连接在陶瓷芯体上的两引线、包裹陶瓷芯体的绝缘外壳，其特征在于:引线为由相互垂直连接的导电板和焊接板组成的“L”形结构，导电板与陶瓷芯体导电连接并被绝缘外壳覆盖，焊接板位于绝缘外壳的底部并且具有侧向伸出绝缘外壳的焊接段。2.根据权利要求1所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述焊接板的底面与绝缘外壳的底面相平。3.根据权利要求1所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述焊接段的前端沿形成有凹凸结构。4.根据权利要求1或2或3所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述陶瓷芯体为长方体，所述绝缘外壳大致为与陶瓷芯体相适配的长方体。5.根据权利要求4所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:两所述引线的导电板分别贴附在所述陶瓷芯体的两相对面上，所述陶瓷芯体的两相对面分别设置有与所述导电板导电连接的外电极片。6.根据权利要求5所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述导电板与所述陶瓷芯体的两相对面的大小相适配。7.根据权利要求1或2或3所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述导电板和焊接板一体成型。8.根据权利要求1或2或3所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述导电板和焊接板均为矩形。9.一种低ESL的多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯体、导电连接在陶瓷芯体上的两引线、包裹陶瓷芯体的绝缘外壳，其特征在于:引线包括竖直延伸的导电板、连接导电板并水平延伸的水平焊接板和连接水平焊接板并竖直延伸的竖直焊接板，导电板与陶瓷芯体导电连接并被绝缘外壳覆盖，水平焊接板位于绝缘外壳的底部，竖直焊接板位于绝缘外壳的侧面，且至少水平焊接板的底面和竖直焊接板的外侧面暴露在绝缘外壳之外。10.根据权利要求9所述的一种低ESL的多层陶瓷电容器，其特征在于:所述竖直焊接板上形成有靠近水平焊接板的焊料填充孔。
【文档编号】H01G4/30GK205692698SQ201620556048
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月8日 公开号201620556048.5, CN 201620556048, CN 205692698 U, CN 205692698U, CN-U-205692698, CN201620556048, CN201620556048.5, CN205692698 U, CN205692698U
【发明人】贺卫东, 吴文辉, 张子山, 蔡劲军
【申请人】福建火炬电子科技股份有限公司