隧穿场效应晶体管及其制备方法与流程

文档序号：26603738发布日期：2021-09-10 23:16阅读：73来源：国知局
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技术特征：

技术总结
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该隧穿场效应晶体管采用薄层黑磷制备沟道，使得该隧穿场效应晶体管具有较大的开态电流，可以很好地解决硅基TFET开态电流小的问题。

技术研发人员：徐慧龙;李伟;张臣雄
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2016.07.19
技术公布日：2019.03.01
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  • 技术研发人员：徐慧龙;李伟;张臣雄
  • 技术所有人：华为技术有限公司
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