一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法与流程

本发明涉及具有凸块结构的半导体封装结构制造方法，具体涉及一种具有凸柱的全背光伏封装结构的制作工艺。

背景技术：

当今，世界范围内气候环境恶劣变化、化石能源十分紧缺，加快新能源尤其是太阳能发电事业的发展成为全球重要课题之一。光伏发电系统组成中最重要、最核心的设备是太阳能光伏组件，光伏组件的转换效率、使用寿命、衰减率等直接关系着光伏发电系统的发电效率、发电寿命，进而影响运营商的经济效益。

现有的全背太阳能电池的结构如图1所示，其包括硅片1，其包括pn结作为发电单元；正面接触点2；正面电极3；背面电极4；通孔6，正面接触点2通过通孔6与所述正面电极3电接触；透明封装胶5，覆盖所述硅片1的上下表面，以保护硅片和正面接触点2、正面电极3、背面电极4。然而，该种封装结构具有以下缺陷，正面电极3和背面电极4比较薄，在后续（未形成透明封装胶5之前）形成栅线时，会由于电镀、刻蚀等工艺破坏电极点的完整性，而不利于太阳能电池发电长期使用的可靠性。

技术实现要素：

基于解决上述问题，本发明提供了一种制造具有凸块结构的半导体封装结构（及光伏电池）的方法，包括：

提供一硅片，其具有正面和和与正面相对的背面；

形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极，正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触；

形成柱状铜凸块，位于所述正面电极和背面电极上，所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸，并且所述柱状铜凸块具有相同的高度；

在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜，盖住全部的柱状铜凸块；

在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶，所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块；

移除所述粘结膜。

根据本发明的实施例，还包括在所述背面形成的环绕于所述柱状铜凸块周围的密封环结构。

根据本发明的实施例，所述密封环结构包括冗余焊盘和冗余凸块。

根据本发明的实施例，所述冗余凸块为耐腐蚀金属。

根据本发明的实施例，所述密封环结构包括环形金属层和形成于环形金属层上的金属围墙。

根据本发明的实施例，所述金属围墙为耐腐蚀金属。

根据本发明的实施例，所述透明封装胶开槽并填充金属材料以形成主栅线和副栅线。

本发明的优点如下：

（1）利用柱状铜凸块防止较薄的正面电极和背面电极在后续步骤中的损伤；

（2）利用密封环结构更好达到密封作用，简单易行；

（3）利用隔离层进一步加强密封的可靠性。

附图说明

图1为现有的全背太阳能电池的剖视图；

图2为本发明的太阳能电池封装结构的剖视图；

图3位本发明的太阳能电池封装结构的俯视图；

图4-7为本发明制造光伏电池的方法的示意图。

具体实施方式

参见图2和3，本发明的制造光伏电池方法，包括：

提供一硅片1，其具有正面和和与正面相对的背面；

形成通孔6、正面接触点2、正面电极3、背面电极4，正面接触点2通过通孔6与所述正面电极3电接触；

形成柱状铜凸块7，位于所述正面电极3和背面电极4上，所述柱状铜凸块7在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极3和背面电极4的尺寸，并且所述柱状铜凸块7具有相同的高度；

在所述柱状铜凸块7上贴附粘结膜10，盖住全部的柱状铜凸块7；

在粘结膜10和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶11，所述透明封装胶11包覆所述柱状铜凸块7；

在透明封装胶上开槽并沉积金属材料，形成串联所述正面电极的主栅线13以及串联所述背面电极的副栅线12；

移除所述粘结膜10。

还包括在所述背面形成的环绕于所述柱状铜凸块7周围的密封环结构。所述密封环结构包括冗余焊盘8和冗余凸块9，所述冗余凸块9为耐腐蚀金属。可选的，所述密封环结构可以包括环形金属层和形成于环形金属层上的金属围墙（闭合式），所述金属围墙为耐腐蚀金属。

根据本发明的实施例，所述透明封装胶11均位于所述密封环结构的内侧。还包括形成于所述他们封装胶上的隔离层14。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法，包括：提供一硅片，其具有正面和和与正面相对的背面；形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极，正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触；形成柱状铜凸块，位于所述正面电极和背面电极上，所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸，并且所述柱状铜凸块具有相同的高度；在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜，盖住全部的柱状铜凸块；在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶，所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块；移除所述粘结膜。

技术研发人员：郑剑华;苏建国;沈艳梅
受保护的技术使用者：南通华隆微电子股份有限公司
技术研发日：2017.06.26
技术公布日：2017.12.05