技术特征：
技术总结
本发明提供一种提高紫光LED发光效率的外延结构，外延结构从下向上依次包括：AlN衬底、高温UGaN层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、有源区多量子阱结构MQW、In/Mg掺EBL层和P型GaN层；所述In/Mg掺EBL层包括一个[AlxGa1‑xN/GaN]n多周期结构，[AlxGa1‑xN/GaN]n多周期结构包括交替层叠的GaN层和AlxGa1‑xN层，其中，所述x的取值范围在0.02‑0.2之间，所述n为整数，取值范围为6‑12；[AlxGa1‑xN/GaN]n多周期结构中每周期的AlxGa1‑xN层与GaN层的总厚度在50‑100nm之间；GaN层中掺杂Mg浓度在1.0E+19到8.0E+19之间，AlxGa1‑xN层中掺杂In浓度在2.0E+18到9.0E+18之间。本发明的外延结构能够有效提高紫光二极管电子与空穴复合效率进而提高其发光效率。
技术研发人员：吴礼清;程斌
受保护的技术使用者：合肥彩虹蓝光科技有限公司
技术研发日：2017.08.17
技术公布日：2017.11.21