技术特征：
技术总结
本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管，其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者AlaGa1‑aN缓冲层、n型AlbGa1‑bN区、AlcGa1‑cN‑AldGa1‑dN多量子阱有源区、BN电子阻挡层、AleGa1‑eN‑BN布拉格反射镜结构p型区、重掺p型GaN层、ITO导电层、在ITO导电层上设置有p型欧姆电极，在n型AlbGa1‑bN层上设置有n型欧姆电极，且n型欧姆电极与除n型AlbGa1‑bN层以外的其他区域绝缘。该二极管有效提高了紫外LED的发光效率，同时大幅降低紫外LED的开启电压和电阻率。
技术研发人员：张雄;吴自力;庄喆;崔一平
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2018.11.16