一种用于高压SF6断路器带有圆柱凸起的喷口的制作方法

本发明涉及输变电设备领域，特别涉及一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口。

背景技术：

高压sf6断路器采用sf6气体作为绝缘介质和灭弧介质，具有良好的开断性能，被广泛应用在高压领域。随着发展需要，对断路器的尺寸和性能都有了新的要求，断路器逐渐向小型化发展，使得灭弧空间也越来越小。灭弧区域的气流场对电弧熄灭的影响越来越大，因此对灭弧区域进行合理的设计十分重要。在高压sf6断路器中，气吹式断路器使用广泛。其中灭弧室的结构设计是高压sf6断路器设计的重点和难点问题。在气吹式断路器中，喷口是灭弧室的主要部件，电弧常在喷口内被强烈的灭弧气体吹走，从而实现电弧电流过零时熄灭。综上所述，高压sf6断路器的喷口是灭弧室的关键部件，它的结构设计直接影响开断时的灭弧效果，与断路器的开断能力息息相关，也成为了高压sf6断路器设计的核心。设计合理的喷口结构可以加快灭弧气体的流动速度，进而提高断路器开断能力。如果断路器喷口设计有缺陷，将会大大减慢灭弧气体吹弧速度，严重的甚至会导致开断失败，降低断路器的可靠性。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明提供一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口，为解决现有技术中小体积断路器的灭弧空间小，灭弧气体的流动速度慢、灭弧效果不好的问题，通过改变灭弧室气体通道内灭弧气体的运动状态，使灭弧室内喷口和触头配合部分灭弧气体的紊流强度增加，提高气吹式断路器开断能力，提升系统运行的工作可靠性。

本发明提供一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口，包括大喷口、小喷口和动弧触头，大喷口和小喷口的表面均设有多个圆柱凸起，大喷口的多个圆柱凸起位于大喷口与小喷口形成通道的端口的表面，小喷口的多个圆柱凸起位于小喷口与大喷口形成通道的端口的表面和小喷口靠近动弧触头端部的表面。

所述多个圆柱凸起中的每个圆柱凸起的高度和直径根据实际断路器的需求而定。

所述多个圆柱凸起的布置方式为均布或成排均布在所述大喷口与所述小喷口的表面上。

所述多个圆柱凸起的数量根据实际需求而定。

本发明设计提供了一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口，改变了喷口形状，在喷口表面圆柱体后部，灭弧气体流将产生规则变异的漩涡，在吹弧过程中可以迅速带走大量的能量，增强了断路器熄弧能力。

附图说明

图1是本发明提供的一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口的结构示意图；

图2是本发明提供的一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口中紊流生成区圆柱示意图及灭弧气体流向示意图；

其中，

1sf6气体区域，2静主触头，3大喷口，4动主触头，5压气缸，6静弧触头，7屏蔽罩，8小喷口，9动弧触头，10活塞，11圆柱凸起。

具体实施方式

为了解决现有技术存在的问题，如图1至图2所示，本发明提供了一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口，包括大喷口3、小喷口8和动弧触头9，大喷口3和小喷口8的表面均设有多个圆柱凸起11，大喷口3的多个圆柱凸起11位于大喷口3与小喷口8形成通道的端口的表面，小喷口8的多个圆柱凸起11位于小喷口8与大喷口3形成通道的端口的表面和小喷口8靠近动弧触头9端部的表面。

多个圆柱凸起11中的每个圆柱凸起11的高度和直径根据实际断路器的需求而定。

多个圆柱凸起11的布置方式为均布或成排均布在大喷口3与小喷口8的表面上。

多个圆柱凸起11的数量根据实际需求而定。

本发明提供了一种用于高压sf6断路器带有圆柱凸起的喷口的工作原理如下：

断路器包括sf6气体区域1、静主触头2、动主触头4、压气缸5、静弧触头6、屏蔽罩7、动弧触头9和活塞10，屏蔽罩7、静主触头2和动主触头4均为导电性能好的金属结构，静弧触头6和动弧触头9相配合部分均为耐高温的钨铜合金。

在压气缸5向左运动时，由于大喷口3和小喷口8形成的气流通道极窄，使得大喷口3和小喷口8之间形成的通道内灭弧气体流速高，在流经11处时，由于喷口形状的改变，在喷口表面圆柱体后部，灭弧气体流将产生规则变异的漩涡，在吹弧过程中可以迅速带走大量的能量，增强了断路器熄弧能力。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
一种用于高压SF6断路器带有圆柱凸起的喷口，涉及输变电设备领域，包括大喷口、小喷口和动弧触头，大喷口和小喷口的表面均设有多个圆柱凸起，大喷口的多个圆柱凸起位于大喷口与小喷口形成通道的端口的表面，小喷口的多个圆柱凸起位于小喷口与大喷口形成通道的端口的表面和小喷口靠近动弧触头端部的表面。本发明设计提供了一种用于高压SF6断路器带有圆柱凸起的喷口，改变了喷口形状，在喷口表面圆柱体后部，灭弧气体流将产生规则变异的漩涡，在吹弧过程中可以迅速带走大量的能量，增强了断路器熄弧能力。

技术研发人员：赵旭;徐建源;林莘;林一泓;庚振新;魏登峰;夏亚龙;李俊峰;李鑫涛;赵建磊;黄蔚偈;郭艳雪
受保护的技术使用者：沈阳工业大学;国网福建省电力有限公司;平高集团有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
技术研发日：2018.06.04
技术公布日：2018.11.06