技术特征：
技术总结
本申请案涉及形成高纵横比开口的方法、形成高纵横比特征的方法及相关半导体装置。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直侧壁及所述电介质材料堆叠内的至少一个特征，所述至少一个特征包括至少约30:1的纵横比。
技术研发人员：渡嘉敷健;约翰·A·斯迈思;古尔特杰·S·桑胡
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.07.16