陶瓷新型电容器的制造工艺的制作方法

本发明涉及电容元器件制造技术领域，尤其涉及一种陶瓷新型电容器的制造工艺。

背景技术：

电容作为最基础的电子元器件，广泛的应用于各个领域，陶瓷新型电容器主要应用于毫米波相控阵雷达的t/r组件、光纤通信的收发等组件中，以及未来的5g通信，尺寸相对于多层电容器要小很多，通常的陶瓷新型电容器其上下电极间的距离非常小，在实际封装胶粘的过程中极容易造成上下电极间的短路。

目前陶瓷新型电容器的制造工艺均采用半导体的工艺路线，其中传统的单面光刻工艺已经很成熟，但是陶瓷新型电容器的电极是平行的，需要在陶瓷基片上从采用双面的光刻工艺来实现，其中上下电极的图形完全相同或者对称很困难，直接影响电容的电性能及合格率，从而也变相的提高了陶瓷新型电容器的成本。

技术实现要素：

本发明为解决上述问题，提供一种陶瓷新型电容器的制造工艺。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：陶瓷新型电容器的制造工艺，包括如下步骤：

a.陶瓷基片外观检查；

b.陶瓷基片清洗；

c.陶瓷基片表面金属化，先溅射金属叠层，在金属叠层的基础上再电镀或者蒸镀电极层；

溅射金属叠层，上下电极由内到外，均依次为粘附层金属、过渡层金属、电极层金属；粘附层金属，为钛钨、镍铬中任意一种合金，厚度200埃-1000埃；过渡层金属，为镍、铂、铜中任意一种金属，厚度1000埃-5000埃；电极层金属，为金、锡、铜中任意一种金属或者它们之间任意组合的合金，厚度200埃-5000埃；

在金属叠层的基础上继续增加厚度，采用电镀或者蒸镀的方法，采用金、锡、铜中任意一种金属或它们之间任意组合的合金，厚度200埃-100微米；

d.金属化后的陶瓷基片进行双面光刻；

陶瓷基片上表面光刻，匀胶，上表面曝光，显影，形成指定的图形；

陶瓷基片下表面光刻，匀胶，下表面曝光，显影，下表面曝光的设备具有上下显微镜，陶瓷基片下表面接近掩膜版，根据掩膜版标记点在电脑屏幕上绘制光刻标记点，通过底部显微镜调整，使陶瓷基片的上表面光刻标记点同绘制的光刻标记点对准，通过间接的方式使上表面光刻图形同曝光的下表面图形完全相同或对称；

匀胶采用旋涂匀胶，转速1000rpm-6000rpm，时间5s-5min；

e.双面光刻后的陶瓷基片进行热处理，提高金属上下电极的粘附性；

f.将陶瓷基片贴附在膜体上，进行切割；

g.电容器测试分选。

进一步的，步骤b，采用双氧水、氨水、水混合液体，比例1:1:4-1:1:9，清洗时间5-30min。

进一步的，步骤e，热处理可以在真空、空气、氮气任意一种气氛下进行，温度200℃-800℃，时间30min-3小时。

进一步的，步骤f，膜体采用uv膜，固定陶瓷基片，进行分步切割，切割速度为0.1-10mm/s，主轴转速为10000-60000rpm。

进一步的，步骤g，检查外观，测试电容量、损耗和绝缘并分选，剔除不合格品。

本发明增加了上下电极间的距离，避免造成上下电极间的短路；在陶瓷基片上采用双面的光刻工艺，使陶瓷新型电容器的上下电极完全相同或者对称，直接提高了电容的电性能及合格率，从而也变相的降低了陶瓷新型电容器的成本。

附图说明

图1是本发明结构示意图；

图2是本发明俯视图；

图3是本发明剖视图。

具体实施方式

下面结合附图1-3对本发明的具体实施方式作进一步说明。

陶瓷新型电容器的制造工艺，包括如下步骤：

a.陶瓷基片4外观检查；陶瓷基片4表面不能有明显划痕等缺陷；

b.陶瓷基片4清洗；采用双氧水、氨水、水混合液体，比例1:1:4-1:1:9，清洗时间5-30min；

c.陶瓷基片4表面金属化，先溅射金属叠层，在金属叠层的基础上再电镀或者蒸镀电极层；

溅射金属叠层，上下电极由内到外，均依次为粘附层金属、过渡层金属、电极层金属；粘附层金属3，为钛钨、镍铬中任意一种合金，厚度200埃-1000埃；过渡层金属2，为镍、铂、铜中任意一种金属，厚度1000埃-5000埃；电极层金属1，为金、锡、铜中任意一种金属或者它们之间任意组合的合金，厚度200埃-5000埃；

在金属叠层的基础上继续增加厚度，采用电镀或者蒸镀的方法，采用金、锡、铜中任意一种金属或它们之间任意组合的合金，厚度200埃-100微米；

d.金属化后的陶瓷基片4进行双面光刻；

陶瓷基片4上表面光刻，匀胶，上表面曝光，显影，形成指定的图形；

陶瓷基片4下表面光刻，匀胶，下表面曝光，显影，下表面曝光的设备具有上下显微镜，陶瓷基片4下表面接近掩膜版，根据掩膜版标记点在电脑屏幕上绘制光刻标记点，通过底部显微镜调整，使陶瓷基片4的上表面光刻标记点同绘制的光刻标记点对准，通过间接的方式使上表面光刻图形同曝光的下表面图形完全相同或对称；

匀胶采用旋涂匀胶，转速1000rpm-6000rpm，时间5s-5min；

e.双面光刻后的陶瓷基片4进行热处理，提高金属上下电极的粘附性；热处理可以在真空、空气、氮气任意一种气氛下进行，温度200℃-800℃，时间30min-3小时；

f.将陶瓷基片4贴附在膜体上，进行切割；膜体采用uv膜，固定陶瓷基片4，进行分步切割，切割速度为0.1-10mm/s，主轴转速为10000-60000rpm；

g.电容器测试分选；检查外观，测试电容量、损耗和绝缘并分选，剔除不合格品。

按照本实施例制造出的陶瓷新型电容器，上下电极偏差小于等于2um，固体尺寸下电容的容值稳定，不同尺寸的陶瓷新型电容器的容值在0.05-10000pf范围内，损耗因素小于2.5％，绝缘电阻在50v下大于100gω。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种陶瓷新型电容器的制造工艺，包括如下步骤：a.陶瓷基片外观检查；b.陶瓷基片清洗；c.陶瓷基片表面金属化，先溅射金属叠层，在金属叠层的基础上再电镀或者蒸镀电极层；d.金属化后的陶瓷基片进行双面光刻；e.双面光刻后的陶瓷基片进行热处理，提高金属上下电极的粘附性；f.将陶瓷基片贴附在膜体上，进行切割；g.电容器测试分选。本发明增加了上下电极间的距离，避免造成上下电极间的短路；在陶瓷基片上采用双面的光刻工艺，使陶瓷新型电容器的上下电极完全相同或者对称，直接提高了电容的电性能及合格率，从而也变相的降低了陶瓷新型电容器的成本。

技术研发人员：王晓霞;吴继伟;刘溪笔;杨国兴;郝泳鑫;王迪
受保护的技术使用者：大连达利凯普科技有限公司
技术研发日：2019.06.20
技术公布日：2019.09.24