1.一种高电子移动率晶体管结构，其特征在于，包含至少一个高电子移动率晶体管，每个该高电子移动率晶体管包括：
基底，具有主动区；
缓冲层，位于该主动区上；
通道层，位于该缓冲层上；
阻障层，位于该通道层上；
栅极、源极与漏极，位于该阻障层上；以及
沟槽隔离结构，邻接并围绕该通道层以及该阻障层，以对该通道层以及该阻障层施加应力来改变该高电子移动率晶体管的二维电子气(two-dimensionelectrongas,2deg)或二维空穴气(two-dimensionholegas,2dhg)。
2.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管为n型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加压应力，位于该源极的该主动区部位的面积大于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
3.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管为n型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加张应力，位于该源极的该主动区部位的面积小于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
4.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管为p型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加张应力，位于该源极的该主动区部位的面积大于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
5.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管为p型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加压应力，位于该源极的该主动区部位的面积小于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
6.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管包含n型高电子移动率晶体管以及p型高电子移动率晶体管，为共同的该沟槽隔离结构所邻接与围绕，该沟槽隔离结构施加压应力，位于该n型高电子移动率晶体管的该源极的该主动区部位的面积大于位于该n型高电子移动率晶体管的该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积，位于该p型高电子移动率晶体管的该源极的该主动区部位的面积小于位于该p型高电子移动率晶体管的该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
7.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该高电子移动率晶体管包含n型高电子移动率晶体管以及p型高电子移动率晶体管，为共同的该沟槽隔离结构所邻接与围绕，该沟槽隔离结构施加张应力，位于该n型高电子移动率晶体管的该源极的该主动区部位的面积小于位于该n型高电子移动率晶体管的该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积，位于该p型高电子移动率晶体管的该源极的该主动区部位的面积大于位于该p型高电子移动率晶体管的该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
8.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该缓冲层的材料为氮化镓(gan)、氮化铝镓(algan)、氮化铟镓(ingan)、或是氮化铟铝镓(inalgan)，该通道层的材料为氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓、或是氮化铟铝镓，该阻障层的材料为氮化铝(aln)或是氮化铝镓，该沟槽隔离结构的材料为氮化硅。
9.根据权利要求1所述的高电子移动率晶体管结构，其中该沟槽隔离结构更邻接并围绕该主动区且垂直向下连接至位于该主动区下方的绝缘层。
10.一种高电子移动率晶体管的制作方法，包括：
提供基底，该基底具有主动区；
在该主动区上依序形成缓冲层、通道层、阻障层、以及栅极、源极与漏极；
形成沟槽围绕该通道层以及阻障层；以及
在该沟槽中形成沟槽隔离结构，其中该沟槽隔离结构对该通道层以及该阻障层施加应力来改变该高电子移动率晶体管的二维电子气(2deg)或二维空穴气(2dhg)。
11.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该高电子移动率晶体管为n型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加压应力，位于该源极的该主动区部位的面积大于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
12.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该高电子移动率晶体管为n型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构是施加张应力，位于该源极的该主动区部位的面积小于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
13.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该高电子移动率晶体管为p型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构施加张应力，位于该源极的该主动区部位的面积大于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
14.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该高电子移动率晶体管为p型高电子移动率晶体管，该沟槽隔离结构是施加压应力，位于该源极的该主动区部位的面积小于位于该栅极以及该漏极的该主动区部位的面积。
15.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该缓冲层的材料为氮化铝与氮化镓，该通道层的材料为氮化镓，该阻障层的材料为氮化铝镓，该沟槽隔离结构的材料为氮化硅。
16.根据权利要求10所述的高电子移动率晶体管的制作方法，其中该沟槽隔离结构更邻接并围绕该主动区且垂直向下连接至位于该主动区下方的绝缘层。