一种可控磁敏电阻的制作方法

本发明涉及一种可变电阻，尤其涉及一种由外部电压控制的可变电阻。

背景技术：

磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。磁敏电阻通常用锑化铟(insb)或砷化铟(inas)等对磁具有敏感性的半导体材料制成。当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值可以做出相应的改变。

在许多工程实践过程中需要用到可变的电阻，以便于对系统进行微调或某种模式的匹配。对于电阻阻值的调整与控制问题，现有的方式可简要分以下几种：一种是通过数字电位器得到所需的阻值，但是这种方式给出的是离散值，通常只能给出一些离散的电阻值，无法满足连续调整阻值的需要。

另一种是通过滑动变阻器或旋转调节电位器等方式得到所需的阻值，虽然这种方式在理论上可以实现电阻的连续无级调节，但是要获得相应的阻值必须手动改变滑触点的位置来实现，操作不便且精度不高，调整的速度无法保证，另外也很难实现通过自动控制的方法实现阻值调节。

还有一种是通过数字合成技术，实现对电阻的模拟，例如cn107145182b、cn107037760b等，具体是根据给定的输入激励电流，通过调节输出电压实现合成电阻阻值的控制，其输出的电压等于激励电流乘以模拟电阻的阻值，其实这种器件本质上是一个电阻模拟装置而已，在某种程度上已经改变了电阻的无源器件的本质。

如何实现通过电压或电流控制电阻的阻值是一个亟待解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种阻值可变的电阻，尤其涉及一种可通过外部电压控制阻值的电阻。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可变电阻，包括磁场生成部、电阻部，其特征在于：所述磁场生成部包括铁芯6，以及缠绕铁芯6的线圈5，所述线圈5包含外部电压控制接口1,2；所述电阻部包括磁敏材料导电层7、绝缘基片8和阻值输出接口3,4；其中，所述磁敏材料导电层7为片状导体。

上述方案中，所述磁敏材料导电层7为s形丝状分布导体。

上述方案中，所述磁敏材料导电层7为多层堆叠结构。

上述方案中，所述磁敏材料导电层7为锑化铟(insb)或砷化铟(inas)或铁镍钴合金中的一种或多种构成。

上述方案中，所述磁敏材料导电层7为铁镍钴合金，其中镍含量占比为60％-90％。

上述方案中，所述铁芯为c型，于c型开口处放置所述电阻部，所述电阻部与铁芯保持绝缘状态。

本公开中的可变电阻，圆满地解决了的通过外接电压控制阻值大小的可变电阻及其阻值控制方法，可用于所有需要在一定阻值范围内实时动态调节电阻值的场合，尤其适用于需要通过微调电阻达到某些伺服控制的场合。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本发明提供如下附图进行说明：

图1本发明一种电压控制的可变电阻实施例1结构示意图；

图2本发明一种电压控制的可变电阻实施例2结构示意图；

图3本发明一种电压控制的可变电阻实施例3结构示意图；

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明进行进一步的说明。

参见图1，在第一实施例中描述了一c型铁芯6和缠绕在其上的线圈5，并且在线圈5的两端具有接入外部电压或电流源的接口1和2，铁芯6、线圈5和外部接口1，2组成磁场生成部。在c型铁芯的开口处，置放有一绝缘基片8，在其上置有磁敏导电层7，磁敏导电层7为片状，有与外部连接的接口3和4。绝缘基片8、磁敏导电层7和接口3，4组成电阻部，所述电阻部位于c型铁芯6的c型开口中部磁场中，电阻部与磁场生成部保持绝缘状态。当电压或电流接通磁场生成部外部接口1,2时，在铁芯6的c型开口处会形成磁场，磁场施加作用到磁敏导电层7，使得由锑化铟(insb)或砷化铟(inas)或铁镍钴合金中的一种或多种构成的磁敏导电层7具有相应的电阻阻值，并且随着电压或电流所生成的磁场改变而改变。

参见图2，在第二实施例中，所述磁敏导电层7具有与第一实施例不同的结构组成，其中，第二实施例中的磁敏导电层呈s型丝状分布，通过改变s型电阻的长度，改变了电阻的阻值范围。

参见图3，在第三实施例中，为进一步增加电阻的阻值范围，所述磁敏导电层7与绝缘基片8呈多型层堆叠状态，各层之间借助绝缘基片8实现绝缘，各层之间的导电层相互串联，两端连接外部电阻接口3和4，通过上述结构可进一步增大阻值的动态调节范围。

上述所有方案中，所述磁敏材料导电层7为铁镍钴合金，其中镍含量占比为(60％-90％)中的一种或多种构成，本发明优选镍占比78％。

以上所举实施例，对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步的详细说明，所应理解的是，以上所举实施例仅为本发明的优选实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内对本发明所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种可变电阻，包括磁场生成部、电阻部，其特征在于：所述磁场生成部包括铁芯(6)，以及缠绕铁芯(6)的线圈(5)，所述线圈(5)包含外部电压控制接口(1,2)；所述电阻部包括磁敏材料导电层(7)、绝缘基片(8)和阻值输出接口(3,4)；其中，所述磁敏材料导电层(7)为片状导体。

2.根据权利要求1中所述可变电阻，其特征在于，所述磁敏材料导电层(7)为s形丝状分布导体。

3.根据权利要求1中所述可变电阻，其特征在于，所述磁敏材料导电层(7)为多层堆叠结构。

4.根据权利要求1至3中任一所述可变电阻，其特征在于，所述磁敏材料导电层(7)为锑化铟(insb)或砷化铟(inas)或铁镍钴合金中的一种或多种构成。

5.根据权利要求4中所述可变电阻，其特征在于，所述铁镍钴合金中镍含量占比为(60％-90％)。

6.根据权利要求1中所述可变电阻，其特征在于，所述铁芯为c型，于c型开口处放置所述电阻部，所述电阻部与铁芯保持绝缘状态。

技术总结
本发明涉及一种可变电阻，尤其涉及一种由外部电压控制的可变电阻，其特征在于，包括磁场生成部、电阻部，其特征在于：所述磁场生成部包括铁芯(6)，以及缠绕铁芯(6)以生成磁场的电磁线圈(5)，所述电磁线圈包含外部电压控制接口(1,2)；所述电阻部包括磁敏材料导电层(7)、绝缘基片(8)和阻值输出接口(3,4)；其中，所述磁敏材料导电层(7)为S型单丝状导体。

技术研发人员：于南翔;朱伟;王罗;于长安
受保护的技术使用者：重庆邮电大学
技术研发日：2019.12.17
技术公布日：2020.05.05