一种用于LED封装的陶瓷基座及陶瓷支架的制作方法

本实用新型涉及led二极管领域，尤其是一种用于led封装的陶瓷基座及陶瓷支架。

背景技术：

目前在led行业中，如车载等led器件，对倒装芯片的封装在芯片固定部分主要采用ausn或者锡膏进行固晶操作，其主要操作：1.使用前，将固晶锡膏置于室温（25℃左右），回温2-3小时。2.使用时，一定要避免容器外有水滴浸入锡膏中，混入水汽将影响其特性。3.锡膏为状物质，表面容易因溶剂挥发而干燥，因此在开盖后，建议尽量缩短在空气中暴露的时间，如果针筒中锡膏不能一次性使用完全，请将针筒剩下的锡膏按要求冷藏。4.固晶设备可以是点胶机，也可用固晶机。点胶工艺与银胶相同，可根据晶片大小和点胶速度选择合适的针头和气压。5.如果锡膏粘度较大，可以在锡膏中适当的分次加入专用的稀释剂，搅拌均匀后再固晶；固晶锡膏含有极少量可挥发性的溶剂，如果因固晶时间过长而导致锡膏粘度变大，也可以加入适当的稀释剂，搅拌均匀后再固晶。6.固完芯片之后，通过回流焊机进行锡膏的固化。7.依据所选的锡膏，视情况是否进行残留助焊剂清洗。但是，上述技术存在如下缺点：1.锡膏必须在低温下保存，2.锡膏使用前必须在室温条件下进行回温，3.锡膏在使用前必须进行充分彻底的搅拌，4.长时间作业，助焊剂容易挥发，需要添加稀释剂。

技术实现要素：

针对上述不足，本实用新型提供了一种用于led封装的陶瓷基座及陶瓷支架，提前预制好焊锡块，封装时直接使用即可，陶瓷基座不需要冷藏、不需要回温、不需要搅拌。

本实用新型是通过如下方案实现的：1、一种用于led封装的陶瓷基座，包括陶瓷本体、导电铜层，陶瓷本体上部的导电铜层包括左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层，且左导电铜层与中导电铜层绝缘，中导电铜层与右导电同城绝缘，在陶瓷本体的下方设置三个下导电铜层，三个下导电铜层与左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层一一对应电连接，在所述的左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层上均预制有焊锡块，且左导电铜层和右导电铜层上的焊锡块数量之和与中导电铜层上的焊锡块数量相同。有导电铜层可以用于导电，有三个导电铜层，这样可以便于设置led芯片，其中陶瓷本体上部的三个导电铜层上均预制有焊锡块，所述的焊锡块可以通过超声波焊接提前预制在导电铜层上，这样在陶瓷基座的运输、封装等过程中，不需要冷藏、不需要回温、不需要搅拌锡膏，节省了时间和工序，左导电铜层和右导电铜层上的焊锡块分别与中导电铜层上的焊锡块一一对应，用于封装led芯片。超声波锡焊系统是通过烙铁头发射超声波来进行锡焊，超声波传给烙铁头，在锡焊母材和熔融焊锡的界面附近产生空洞现象和气泡。空洞爆发使氧化物表面发生质的变化，并将污垢和氧化膜除去，同时在焊锡母材的溶解和扩散作用下形成扩散层。在被施加了超声波振动之后，液体在流动中会因压力差而产生气泡状的小空洞。空洞在大气压下会破裂，并在破裂的瞬间产生巨大能量。超声波锡焊就是利用空洞能量来除去氧化薄膜的。超声波可以无需助焊剂进行。

所述的左导电铜层为半圆形，右导电铜层为半圆形，左导电铜层的中心有凹槽，即在左导电铜层的圆心处为中心设置有凹槽，右导电铜层的中心有凹槽，即在右导电铜层的圆心处为中心设置有凹槽，左导电铜层的凹槽与右导电铜层的凹槽对应设置构成中空区，中导电铜层设置在中空区，中导电铜层可以为长方形、圆形等形状，中空区的形状与中导电同城形状相同。中导电铜层上的焊锡块沿中导电铜层边沿设置，且左导电铜层与右导电铜层上的焊锡块也沿中导电铜层设置。这样封装时，左、右导电铜层上的焊锡开可以与中导电铜层上的焊锡块一一对应，便于封装led芯片的电极。

优选的，在左、右导电铜层外侧的陶瓷基座上设置金属墙或陶瓷墙。这样便于共晶定位，也避免了不同的固晶区域相互影响。

在所述的导电铜层上覆盖有ni-au合金层和/或ni-ag合金层。可以对导电铜层起保护作用。

一种用于led封装的陶瓷支架，包含多个上述的陶瓷基座，多个陶瓷基座固定在同一支架上。这样可以一次进行多个陶瓷基座的封装。

从以上技术方案可以看出，本实用新型将焊料即焊锡块预制于陶瓷基座上，基座上的焊锡块经过超声波焊接预制于陶瓷基座导电功能区上，陶瓷基座不需要冷藏、不需要回温、不需要搅拌。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图进行介绍。

图1为本实用新型具体实施方式的示意图。

图2为图1的俯视图。

图3为带有墙的陶瓷基座示意图。

图4为陶瓷支架示意图。

图中，1为焊锡块，2为陶瓷本体，3为led芯片，4为左导电铜层，5为中导电铜层，6为右导电铜层，7为下导电铜层，8为陶瓷墙，9为陶瓷支架。

具体实施方式

下面将运用具体的实施例及附图，对本发明保护的技术方案进行描述，这里可能会使用便于描述的空间相对性术语，例如“在…下”、“下方”、“下部”、“以上”、“上方”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应当理解，空间相对性术语意在包括图中所示取向之外的使用或工作中的器件不同取向。例如，如果将图中的器件翻转过来，被描述为在其他元件或特征“下”或“下方”的元件将会朝向其他元件或特征的“上方”。于是，示范性术语“下方”可以包括上方和下方两种取向。可以使器件采取其他取向(旋转90度或其他取向)，这里所用的空间相对术语作相应解释。

通过附图可以看出本方案的用于led封装的陶瓷基座，包括陶瓷本体2、导电铜层，陶瓷本体2上部的导电铜层包括左导电铜层4、中导电铜层5、右导电铜层6，在陶瓷本体1的下方设置三个下导电铜层7，三个下导电铜层中最左侧的与左导电铜层4电连接，三个下导电铜层中间的与中导电铜层5电连接，三个下导电铜层中最右侧的与右导电铜层6电连接，在所述的左导电铜层4、中导电铜层5、右导电铜层6上均预制有焊锡块1，且左导电铜层4和右导电铜层6上的焊锡块1数量之和与中导电铜层5上的焊锡块数量相同。本实施方式中左导电铜层4上有两个焊锡块1，右导电铜层6上有两个焊锡块1，中导电铜层5上设置四个焊锡块1，在上述的导电铜层上覆盖有ni-au合金层和/或ni-ag合金层。

所述的左导电铜层4为半圆形，右导电铜层6为半圆形，左导电铜层4的中心有凹槽，右导电铜层6的中心有凹槽，左导电铜层4的凹槽与右导电铜层6的凹槽对应设置构成中空区，中导电铜层5设置在中空区。中导电铜层5上的焊锡块沿中导电铜层5边沿设置，且左导电铜层4与右导电铜层6上的焊锡块1也沿中导电铜层设置。在本具体实施方式中左、右导电铜层外侧的陶瓷基座上设置陶瓷墙8。

一种用于led封装的陶瓷支架，包含上述的陶瓷基座，且陶瓷基座固定在陶瓷支架9上，且陶瓷基座之间按照横向或纵向排列。

上面所描述的具体实施方式仅仅是本实用新型一个具体实施方式，而非全部的具体实施方式。基于本专利中的具体实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它具体实施方式，都属于本专利保护的范围。

技术特征：

1.一种用于led封装的陶瓷基座，包括陶瓷本体、导电铜层，其特征是：陶瓷本体上部的导电铜层包括左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层，在陶瓷本体的下方设置三个下导电铜层，三个下导电铜层与左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层一一对应电连接，在所述的左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层上均预制有焊锡块，且左导电铜层和右导电铜层上的焊锡块数量之和与中导电铜层上的焊锡块数量相同。

2.根据权利要求1所述的用于led封装的陶瓷基座，其特征是：所述的左导电铜层为半圆形，右导电铜层为半圆形，左导电铜层的中心有凹槽，右导电铜层的中心有凹槽，左导电铜层的凹槽与右导电铜层的凹槽对应设置构成中空区，中导电铜层设置在中空区。

3.根据权利要求2所述的用于led封装的陶瓷基座，其特征是：在左、右导电铜层外侧的陶瓷基座上设置金属墙或陶瓷墙。

4.根据权利要求1所述的用于led封装的陶瓷基座，其特征是：在所述的导电铜层上覆盖有ni-au合金层和/或ni-ag合金层。

5.根据权利要求1所述的用于led封装的陶瓷基座，其特征是：中导电铜层上的焊锡块沿中导电铜层边沿设置，且左导电铜层与右导电铜层上的焊锡块也沿中导电铜层设置。

6.一种用于led封装的陶瓷支架，其特征是：包含多个权利要求1或2或3或4或5所述的陶瓷基座，所述的陶瓷基座依次排列设置在封装支架上。

技术总结
本实用新型提供了一种用于LED封装的陶瓷基座及陶瓷支架，包括陶瓷本体、导电铜层，陶瓷本体上部的导电铜层包括左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层，在陶瓷本体的下方设置三个下导电铜层，三个下导电铜层与左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层一一对应电连接，在所述的左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层上均预制有焊锡块，且左导电铜层和右导电铜层上的焊锡块数量之和与中导电铜层上的焊锡块数量相同。本方案提前预制好焊锡块，封装时直接使用即可，陶瓷基座不需要冷藏、不需要回温、不需要搅拌。

技术研发人员：郭玉国;曾祥华;潘桂建;夏昊
受保护的技术使用者：江苏固立得半导体器件有限公司
技术研发日：2019.10.10
技术公布日：2020.04.10