半导体装置的制作方法

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体地说，本实用新型涉及一种半导体装置。

背景技术：

半导体封装行业的产品都会用到锡焊接，通常会使用热轨或回流焊设备进行焊接，其目的是让芯片与散热铜片通过焊锡连接到一块。

目前，在散热铜片上焊接双芯片时，焊接第一个芯片后，第二个芯片所在位置处的焊锡会被吸到第一个芯片所在的位置处，使第二个芯片位置的焊锡不够造成虚焊或锡厚不足，导致产品质量不能保证。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提供一种半导体装置，目的是提高产品质量。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：半导体装置，包括散热铜片、第一芯片和第二芯片，散热铜片具有用于放置第一芯片的第一放置面和用于放置第二芯片的第二放置面，所述散热铜片上设有用于阻止焊锡料在所述第一放置面与所述第二放置面之间进行流动的阻断槽，阻断槽位于第一放置面和第二放置面之间。

所述阻断槽为沿所述散热铜片的宽度方向延伸且阻断槽为v形槽。

所述阻断槽的深度不小于0.15mm。

所述阻断槽的深度小于所述散热铜片的厚度的1/3。

所述第一芯片为bsd芯片，所述第二芯片为igbt芯片，所述第一放置面的面积小于所述第二放置面的面积。

本实用新型的半导体装置，通过在散热铜片上设置阻断槽阻隔焊锡料的流动，降低了产品虚焊与锡厚不足风险，提高了产品品质。

附图说明

本说明书包括以下附图，所示内容分别是：

图1是本实用新型半导体装置的俯视图；

图2是散热铜片的俯视图；

图3是散热铜片的侧视图；

图中标记为：1、第一芯片；2、第二芯片；3、第一放置面；4、第二放置面；5、阻断槽。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本实用新型的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。

需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。

如图1至图3所示，本实用新型提供了一种半导体装置，包括散热铜片、第一芯片1和第二芯片2，散热铜片具有用于放置第一芯片1的第一放置面3和用于放置第二芯片2的第二放置面4，散热铜片上设有用于阻止焊锡料在第一放置面3与第二放置面4之间进行流动的阻断槽5，阻断槽5位于第一放置面3和第二放置面4之间。

具体地说，如图1至图3所示，散热铜片为采用铜材质制成，散热铜片为矩形块状结构，散热铜片为水平放置，第一放置面3为散热铜片的顶面的一部分，第二放置面4为散热铜片的顶面的另一部分，阻断槽5设置在散热铜片的顶面上，阻断槽5为沿散热铜片的宽度方向延伸且阻断槽5为从散热铜片的一端延伸至另一端，第一放置面3和第二放置面4均为矩形平面，第一放置面3与散热铜片的底面之间的垂直距离和第二放置面4与散热铜片的底面之间的垂直距离大小相同。第一芯片1为bsd(bootstrapdiode)芯片，第二芯片2为igbt(insulatedgatebipolartransistor)芯片，第一放置面3的面积小于第二放置面4的面积。在散热铜片上焊接双芯片时，将第一芯片1放置在第一放置面3上，将第二芯片2放置在第二放置面4上，由于散热铜片上设置了阻断槽5，焊接第一芯片1时，阻断槽5会阻止第二芯片2所在位置处的焊锡料被吸到第一芯片1所在的位置处，确保第二芯片2位置的焊锡不会减少，从而降低了产品虚焊与锡厚不足风险，提高了产品品质。

作为优选的，如图1至图3所示，阻断槽5为v形槽，阻断槽5的横截面(该横截面是指与阻断槽5的长度方向相垂直的截面)为v形。阻断槽5的深度不小于0.15mm，且阻断槽5的深度小于散热铜片的厚度的1/3。

以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述。显然，本实用新型具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本实用新型的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.半导体装置，包括散热铜片、第一芯片和第二芯片，散热铜片具有用于放置第一芯片的第一放置面和用于放置第二芯片的第二放置面，其特征在于：所述散热铜片上设有用于阻止焊锡料在所述第一放置面与所述第二放置面之间进行流动的阻断槽，阻断槽位于第一放置面和第二放置面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述阻断槽为沿所述散热铜片的宽度方向延伸且阻断槽为v形槽。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述阻断槽的深度不小于0.15mm。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述阻断槽的深度小于所述散热铜片的厚度的1/3。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第一芯片为bsd芯片，所述第二芯片为igbt芯片，所述第一放置面的面积小于所述第二放置面的面积。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体装置，包括散热铜片、第一芯片和第二芯片，散热铜片具有用于放置第一芯片的第一放置面和用于放置第二芯片的第二放置面，所述散热铜片上设有用于阻止焊锡料在所述第一放置面与所述第二放置面之间进行流动的阻断槽，阻断槽位于第一放置面和第二放置面之间。本实用新型的半导体装置，通过在散热铜片上设置阻断槽阻隔焊锡料的流动，降低了产品虚焊与锡厚不足风险，提高了产品品质。

技术研发人员：温世达;陶少勇;吕磊;曹新明
受保护的技术使用者：安徽瑞迪微电子有限公司
技术研发日：2019.12.09
技术公布日：2020.07.10